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Produits semi-conduurs discrètes (31214)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GDZ20B-HE3-08 | 0,0378 |  | 2339 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, GDZ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | Gdz20 | 200 MW | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 100 na @ 15 V | 20 V | 85 ohms | ||||||||||||||||||||
| GDZ27B-G3-08 | 0,0445 | | 2543 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Gdz-g | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | GDZ27 | 200 MW | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 100 na @ 21 V | 27 V | 150 ohms | ||||||||||||||||||||
| Gdz2v7b-g3-08 | 0,0445 | | 1903 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Gdz-g | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | Gdz2v7 | 200 MW | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 100 µA @ 1 V | 2,7 V | 110 ohms | ||||||||||||||||||||
| Gdz2v7b-he3-08 | 0,0378 | | 7634 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, GDZ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | Gdz2v7 | 200 MW | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 100 µA @ 1 V | 2,7 V | 110 ohms | ||||||||||||||||||||
| GDZ36B-E3-08 | 0,0360 | | 1888 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | GDZ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | Gdz36 | 200 MW | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 100 na @ 27 V | 36 V | 300 ohms | ||||||||||||||||||||
 | BZD17C180P-E3-08 | 0.1455 | | 1154 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD17C180 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 30 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA à 130 V | 180 V | ||||||||||||||||||||
| BZD17C20P-E3-08 | 0.1356 | | 1663 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 30 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 15 V | 20 V | ||||||||||||||||||||
| BZD17C4V3P-E3-08 | 0,1515 | | 4323 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-219AB | Bzd17c4v3 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 30 000 | 1,2 V @ 200 mA | 25 µA @ 1 V | 4.3 V | ||||||||||||||||||||
| BZD17C68P-E3-08 | 0.1452 | | 9881 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD17C68 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 30 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51 V | 68 V | ||||||||||||||||||||
| BZD27C10P-E3-08 | 0,5300 | | 620 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZD27C | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 7 µA à 7,5 V | 10 V | 4 ohms | |||||||||||||||||||
| BZD27C120P-M-08 | - | | 7574 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzd27-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27C120 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91 V | 120 V | 250 ohms | |||||||||||||||||||
| BZD27C12P-M-08 | - | | 5383 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzd27-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA @ 9,1 V | 12 V | 7 ohms | |||||||||||||||||||
| BZD27C180P-HE3-08 | 0 4500 | | 30 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZD27C | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27C180 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA à 130 V | 180 V | 400 ohms | |||||||||||||||||||
| BZD27C18P-E3-08 | 0,5300 | | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZD27C | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 13 V | 18 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||
| BZD27C18P-M-08 | - | | 6058 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzd27-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 13 V | 18 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||
| BZD27C200P-M-08 | - | | 3292 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzd27-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27C200 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA à 150 V | 200 V | 500 ohms | |||||||||||||||||||
| BZD27C20P-M-08 | - | | 6072 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzd27-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 15 V | 20 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||
| BZD27C22P-HE3-08 | 0,4200 | | 29 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZD27C | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | Bzd27c22 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 16 V | 22 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||
| BZD27C24P-E3-08 | 0,4100 | | 17 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZD27C | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27C24 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18 V | 24 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||
| BZD27C30P-M-08 | - | | 8253 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzd27-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27C30 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 22 V | 30 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||
| BZD27C30P-M3-08 | 0,1500 | | 5781 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzd27-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27C30 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 30 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 22 V | 30 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||
 | VS-305UR160 | - | | 3739 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | Soutien | DO-205AB, DO-9, Stud | 305ur160 | Polateté Standard et inverse | DO-205AB (DO-9) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Vs305ur160 | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) | 1600 V | 1 46 V @ 942 A | -40 ° C ~ 180 ° C | 330A | - | ||||||||||||||||||
 | VSB3200-M3 / 73 | - | | 4770 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | TMBS® | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-201D, axial | B3200 | Schottky | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VSB3200M373 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,2 V @ 3 A | 60 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 175pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||
 | Z4KE130A-E3 / 73 | - | | 3164 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Z4ke130 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Z4ke130ae373 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 500 mA | 500 na @ 99.2 V | 130 V | 800 ohms | ||||||||||||||||||
| Zpy33-Tap | 0,3700 | | 25 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 5% | 175 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Zpy33 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 500 na @ 25 V | 33 V | 11 ohms | ||||||||||||||||||||
| Zpy5v1-tap | 0,3700 | | 19 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 5% | 175 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Zpy5v1 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 500 na @ 700 mV | 5.1 V | 2 ohms | ||||||||||||||||||||
| Zpy6v2-tap | 0,3700 | | 25 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 5% | 175 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Zpy6v2 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 500 na @ 2 V | 6.2 V | 1 ohms | ||||||||||||||||||||
| Zpy8v2-tap | 0,0545 | | 3516 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | 175 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Zpy8v2 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Zpy8v2tap | EAR99 | 8541.10.0050 | 25 000 | 500 na @ 6 V | 8.2 V | 1 ohms | |||||||||||||||||||
 | VS-FA38SA50LCP | - | | 8292 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | FA38 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-227 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | VSFA38SA50LCP | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | Canal n | 500 V | 38A (TC) | 10V | 130mohm @ 23A, 10V | 4V @ 250µA | 420 NC @ 10 V | ± 20V | 6900 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | |||||||||||||
 | VS-SD200R16M12C | 94.7420 | | 1642 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Soutien | DO-205AC, DO-30, Stud | SD200 | Polateté Standard et inverse | DO-205AC (DO-30) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VSSD200R16M12C | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1600 V | 1,4 V @ 630 A | -40 ° C ~ 180 ° C | 200A | - |
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