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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Courant - Hold (IH) (Max) | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) | COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) | COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) | Type Scr | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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![]() | Ss2p3he3 / 84a | - | ![]() | 5460 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q100, ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-220AA | SS2P3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 550 MV @ 2 A | 150 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-60APH03-N3 | 4.5800 | ![]() | 531 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Fred PT® | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | 60aph03 | Standard | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VS-60APH03-N3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1 45 V @ 60 A | 42 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 60A | - | |||||||||||||||||||
![]() | VS-ST730C08L0 | 138.8467 | ![]() | 1306 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Soutenir de châssis | À 200ac, b-puk | ST730 | À 200ac, b-puk | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 600 mA | 800 V | 2000 a | 3 V | 17800a, 18700a | 200 mA | 1,62 V | 990 A | 80 mA | Norme de rénovation | ||||||||||||||||||
MMBZ5248C-HE3-08 | - | ![]() | 5987 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5248 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 100 na @ 14 V | 18 V | 21 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZG05B16-HM3-18 | 0.2079 | ![]() | 1837 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | BZG05B16 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 12 V | 16 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6481HE3 / 96 | - | ![]() | 2349 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | 1N6481 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1N6481HE3_A / H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
BZX84B30-HE3-08 | 0,0341 | ![]() | 9199 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B30 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Tzx3v6a-tr | 0 2400 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TZX | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Tzx3v6 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 V | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | Vs-MBRB20100cttrlp | - | ![]() | 7471 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRB20 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 10A | 800 mV @ 10 a | 100 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | Ugb10bcthe3_a / i | - | ![]() | 5346 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | À 263ab | télécharger | Atteindre non affecté | 112-UGB10BCTHE3_A / ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 5A | 1.1 V @ 5 A | 25 ns | 10 µA à 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRKC91 / 08A | - | ![]() | 9540 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Add-a-pak (3) | IRKC91 | Standard | Add-a-pak® | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 800 V | 100A | 10 ma @ 800 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | BYG22D-M3 / TR3 | 0.1898 | ![]() | 7789 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Byg22 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1.1 V @ 2 A | 25 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||
VS-HFA04TB60-M3 | 0,8100 | ![]() | 235 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Hexfred® | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | HFA04 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2.2 V @ 8 A | 42 ns | 3 µA à 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Plz4v7c-g3 / h | 0,2800 | ![]() | 52 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Plz | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2,6% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Do-219AC | Plz4v7 | 960 MW | DO-219AC (microsmf) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 4 500 | 900 mV @ 10 mA | 5 µA @ 1 V | 4.81 V | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | GLL4738A-E3 / 97 | 0,3168 | ![]() | 5871 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-213AB, MELF | Gll4738 | 1 W | Melf do-213ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4,5 ohms | |||||||||||||||||||||||
DZ23C36-G3-18 | 0,0483 | ![]() | 4239 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Dz23-g | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 paire la commune de cathode | 100 na @ 27 V | 36 V | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | VSS8D2M6-M3 / I | 0 4500 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP®, TMBS® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-221AC, SMA PLATS À PLAT | S8d2 | Schottky | SLIMSMAW (DO-221AD) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 14 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 480 mV @ 1 a | 200 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 2A | 430pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR20H100CTGHE3 / 45 | - | ![]() | 6493 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-3 | Mbr20 | Schottky | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 10A | 850 MV @ 10 A | 3,5 µA à 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B7V5-GS18 | 0,0433 | ![]() | 2997 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | Variante SOD-80 | Bzt55b7v5 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 5 V | 7,5 V | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | ES3A-E3 / 9AT | 0,6300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | ES3A | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 900 mV @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | BYVB32-200-E3 / 45 | 1.6900 | ![]() | 990 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Byvb32 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 18a | 1,15 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||
![]() | Egl41ahe3_a / i | - | ![]() | 4879 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | Egl41 | Standard | DO-213AB | télécharger | Atteindre non affecté | Egl41ahe3_b / i | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | Vs-st180s16p1pbf | 102.7425 | ![]() | 7043 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Châssis, montage | To-209AB, to-93-4, Étalon | ST180 | To-209AB (to-93) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VSST180S16P1PBF | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 mA | 1,6 kV | 314 A | 3 V | 4200A, 4400A | 150 mA | 1,75 V | 200 A | 30 mA | Norme de rénovation | |||||||||||||||||
![]() | Bzx85c4v3-tr | 0,3800 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Bzx85c4v3 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 13 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-8EWF12S-M3 | 3.3300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 8ewf12 | Standard | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VS8EWF12SM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1,3 V @ 8 A | 270 ns | 100 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | |||||||||||||||||||
![]() | VS-SD853C45S50K | 341.1850 | ![]() | 8284 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Acheter la Dernière | De serrer | DO-200AC, K-PUK | SD853 | Standard | DO-200AC, K-PUK | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 4500 V | 2,9 V @ 2000 A | 5 µs | 100 mA @ 4500 V | 990a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Fepe16ft-e3 / 45 | - | ![]() | 8766 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-3 | Fepe16 | Standard | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 300 V | 16A | 1,3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||
![]() | B350A-E3 / 5AT | 0,4100 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | B350 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 720 MV @ 3 A | 200 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 145pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR4050PT-E3 / 45 | 1 5515 | ![]() | 1472 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MBR4050 | Schottky | À 247ad (to-3p) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 50 V | 40a | 720 MV @ 20 A | 1 ma @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
MMBZ5244B-HE3-18 | - | ![]() | 1552 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5244 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 na @ 10 V | 14 V | 15 ohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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