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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Structure | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Courant - Hold (IH) (Max) | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Nombre de Scr, Diodes | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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![]() | As1fg-m3 / h | 0.4400 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Avalanche | DO-219AB (SMF) | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,15 V @ 1,5 A | 1,3 µs | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 8,8pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | TZM5233C-GS18 | - | ![]() | 2833 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TZM5233 | 500 MW | SOD-80 MINMEL | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA à 3,5 V | 6 V | 7 ohms | ||||||||||||||||||||
Vs-vskt250-08pbf | 203.8250 | ![]() | 5441 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Magn-a-pak | VSKT250 | Connexion de la Série - Tous Les Scr | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VSVSKT25008PBF | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 mA | 800 V | 555 A | 3 V | 8500A, 8900A | 200 mA | 250 A | 2 SCR | ||||||||||||||||||
![]() | BZM55C18-TR | 0,2800 | ![]() | 1929 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZM55 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | 2-md, pas d'Avance | BZM55C18 | 500 MW | Micro-paramétre | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 13 V | 18 V | 170 ohms | ||||||||||||||||||||
MMBZ5230C-E3-08 | - | ![]() | 6956 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5230 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF16H35HE3 / 45 | - | ![]() | 5514 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Par le trou | To-220-2 EXCEPLAGE, ONGLET ISOLÉ | MBRF16 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 35 V | 660 MV @ 16 A | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | |||||||||||||||||||
VS-SD400N24PC | 106.5800 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | Soutien | DO-205AB, DO-9, Stud | SD400 | Standard | DO-205AB (DO-9) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2400 V | 1,62 V @ 1500 A | 15 mA @ 2400 V | -40 ° C ~ 190 ° C | 400A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | VIT3080CHM3 / 4W | - | ![]() | 7415 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tube | Obsolète | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Vit3080 | Schottky | À 262aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 15A | 820 MV @ 15 A | 700 µA @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||
![]() | Z4KE170A-E3 / 54 | 0,1584 | ![]() | 2323 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Z4KE170 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 500 | 1 V @ 500 mA | 500 na @ 129,6 V | 170 V | 1200 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | Ss13he3_b / i | 0,4300 | ![]() | 4797 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | SS13 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 500 mV @ 1 a | 200 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||
![]() | BZD27B20P-M3-08 | 0,4200 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzd27b-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 15 V | 20 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-8EWH06FN-M3 | 1.0600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Fred PT® | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 8ewh06 | Standard | D-pak (à 252aa) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2,4 V @ 8 A | 25 ns | 50 µA à 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||
![]() | U3C-M3 / 57T | 02003 | ![]() | 6498 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | U3C | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 900 mV @ 3 a | 150 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 25pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||
![]() | MBR3045CTHE3 / 45 | - | ![]() | 3206 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-3 | MBR30 | Schottky | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 15A | 600 mV @ 20 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||
![]() | BYW172F-TR | 0,5643 | ![]() | 6614 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | SOD-64, axial | BYW172 | Avalanche | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1,5 V @ 9 A | 100 ns | 1 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||
![]() | V60dm100chm3 / i | 2.3400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, Variante d²pak (2 leads + onglet) | V60dm100 | Schottky | À 263AC (SMPD) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 30A | 860 MV @ 30 A | 800 µA à 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||
![]() | S8pm-m3 / i | 0,2175 | ![]() | 7403 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | À 18 h | Standard | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 112-S8pm-M3 / ITR | 6 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 8 A | 5 µs | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ4707-HE3_A-08 | 0,0533 | ![]() | 7530 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | 112-MMSZ4707-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 900 mV @ 10 mA | 10 na @ 15,2 V | 20 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZW03C33-Tap | - | ![]() | 8335 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZW03 | Tape & Box (TB) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 500 | 1,2 V @ 1 A | 2 µA @ 24 V | 33 V | 10 ohms | ||||||||||||||||||||
BZX84C75-E3-18 | 0,0306 | ![]() | 3398 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzx84 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C75 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 50 na @ 52,5 V | 75 V | 255 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4384GP-E3 / 73 | - | ![]() | 5064 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 1N4384 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||
![]() | Tzmb18-gs08 | 0,3100 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TZM | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Tzmb18 | 500 MW | SOD-80 MINMEL | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 13 V | 18 V | 50 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C16P-M-18 | - | ![]() | 2393 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzd27-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 12 V | 16 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | AR3PD-M3 / 87A | 0,3185 | ![]() | 5872 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 277, 3-Powerdfn | AR3 | Avalanche | À 277a (SMPC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,6 V @ 3 A | 140 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.8a | 44pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||
![]() | U8BT-E3 / 4W | - | ![]() | 8579 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | U8 | Standard | À 263ab (d²pak) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1.02 V @ 8 A | 20 ns | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||
![]() | Bzx85c2v7-tap | 0,3800 | ![]() | 38 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Bzx85c2v7 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 150 µA @ 1 V | 2,7 V | 20 ohms | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-30CTQ035STRRPBF | - | ![]() | 3819 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | 30CTQ035 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 35 V | 30A | 760 MV @ 30 A | 2 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4732A-T | - | ![]() | 1505 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | 175 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4732 | 1,3 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.7 V | 500 ohms | |||||||||||||||||||||
![]() | BZG03B16-M3-18 | 0 2228 | ![]() | 4788 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzg03b-m | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | BZG03B16 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 12 V | 16 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5393GPHE3 / 73 | - | ![]() | 6181 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5393 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,4 V @ 1,5 A | 2 µs | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4v, 1mhz |
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