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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMBZ5936B-E3 / 52 | 0 4600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | DO-214AA, SMB | SMBZ5936 | 3 W | DO-214AA (SMBJ) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 1,5 V @ 200 mA | 1 µA @ 22,8 V | 30 V | 28 ohms | |||||||||||||
![]() | Zmm5222b-13 | - | ![]() | 8276 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 0,5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | Do-213aa | Zmm52 | 500 MW | Do-213aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2,5 V | 30 ohms | ||||||||||||||
![]() | V7n103hm3 / i | 0,6400 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Soutien de la surface, flanc Mouillable | 2-VDFN | V7N103 | Schottky | DFN3820A | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 14 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 660 MV @ 6 A | 330 µA à 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 2.2a | 860pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | Bzt03d43-tap | - | ![]() | 8243 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Tape & Box (TB) | Obsolète | ± 6,98% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | Bzt03 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 25 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 33 V | 43 V | 45 ohms | |||||||||||||
UG4A-M3 / 54 | 0.2307 | ![]() | 2154 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Ug4 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1400 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 MV @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||
BU20105S-E3 / 45 | - | ![]() | 5987 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, bu-5s | BU20105 | Standard | isocink + ™ bu-5s | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 V @ 10 A | 5 µA à 1000 V | 3,5 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||||
![]() | BZX55F12-TAP | - | ![]() | 6814 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 1% | 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 9.1 V | 12 V | 20 ohms | |||||||||||||
BU2510-E3 / 51 | 1.7540 | ![]() | 5199 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, bu | BU2510 | Standard | isocink + ™ bu | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1,05 V @ 12,5 A | 5 µA à 1000 V | 3,5 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||||
![]() | TLZ11-GS08 | 0,0335 | ![]() | 8101 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Tlz | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TLZ11 | 500 MW | SOD-80 MINMEL | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 500 | 1,5 V @ 200 mA | 11 V | 10 ohms | ||||||||||||||
![]() | VS-E5PH3006L-N3 | 2.8200 | ![]() | 401 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Fred PT® | Tube | Actif | Par le trou | À 247-2 | E5PH3006 | Standard | À 247ad | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 112-VS-E5PH3006L-N3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,6 V @ 30 A | 46 ns | 20 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||
![]() | GBU8J-E3 / 51 | 2.0600 | ![]() | 58 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, GBU | GBU8 | Standard | GBU | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 600 V | 3.9 A | Monophasé | 600 V | |||||||||||||
BU1010-E3 / 45 | 1.4649 | ![]() | 3707 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, bu | BU1010 | Standard | isocink + ™ bu | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 V @ 5 A | 5 µA à 1000 V | 3.2 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||||
GBPC110-E4 / 51 | - | ![]() | 9061 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, GBPC-1 | GBPC110 | Standard | GBPC1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 V @ 1,5 A | 5 µA à 1000 V | 2 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||||
![]() | Vssaf3l63hm3 / h | 0.4900 | ![]() | 7008 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Support de surface | DO-221AC, SMA PLATS À PLAT | VSSAF3L63 | Schottky | DO-221AC (SLIMSMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 540 MV @ 3 A | 70 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 2.5a | 680pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||
MMBZ4706-G3-18 | - | ![]() | 7866 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4706 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 50 na @ 14,4 V | 19 V | ||||||||||||||||
![]() | MMSZ5247C-HE3_A-18 | 0,0566 | ![]() | 2175 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | 112-MMSZ5247C-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 13 V | 17 V | 19 ohms | ||||||||||||||||
Bzx84b6v8-he3-18 | 0,0341 | ![]() | 5322 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84b6v8 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 2 µA @ 4 V | 6,8 V | 15 ohms | |||||||||||||||
![]() | TLZ36C-GS08 | 0,0335 | ![]() | 9929 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Tlz | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | TLZ36 | 500 MW | SOD-80 MINMEL | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 500 | 1,5 V @ 200 mA | 40 na @ 31,7 V | 36 V | 75 ohms | |||||||||||||
![]() | UGF5JT-E3 / 45 | - | ![]() | 2767 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Par le trou | To-220-2 EXCEPLAGE, ONGLET ISOLÉ | UGF5 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,75 V @ 5 A | 50 ns | 30 µA à 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||
![]() | EGF1C-E3 / 67A | 0,2805 | ![]() | 2615 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214BA | EGF1 | Standard | DO-214BA (GF1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
![]() | VS-25CTQ045-N3 | - | ![]() | 2140 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-3 | 25CTQ045 | Schottky | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VS25CTQ045N3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 30A | 710 MV @ 30 A | 1,75 Ma @ 45 V | 150 ° C (max) | |||||||||||
BU20065S-E3 / 45 | - | ![]() | 1271 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, bu-5s | BU20065 | Standard | isocink + ™ bu-5s | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 10 A | 5 µA @ 600 V | 3,5 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||||||
BU25105S-E3 / 45 | - | ![]() | 5776 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, bu-5s | BU25105 | Standard | isocink + ™ bu-5s | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1,05 V @ 12,5 A | 5 µA à 1000 V | 3,5 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||||
GBLA02-E3 / 51 | 0,6630 | ![]() | 8630 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, gbl | Gbla02 | Standard | Gbl | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 200 V | 3 A | Monophasé | 200 V | ||||||||||||||
![]() | UF8BT-E3 / 4W | - | ![]() | 3733 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Par le trou | To-220-2 EXCEPLAGE, ONGLET ISOLÉ | Uf8 | Standard | ITO-220AC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1.02 V @ 8 A | 20 ns | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | |||||||||||
BU10065S-E3 / 45 | - | ![]() | 7371 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ISOCINK + ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, bu-5s | BU10065 | Standard | isocink + ™ bu-5s | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 V @ 5 A | 10 µA @ 600 V | 3.2 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||||||
BZX84C15-HE3-08 | 0 2400 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C15 | 300 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 50 na @ 10,5 V | 15 V | 30 ohms | |||||||||||||||
![]() | 2KBP04M-E4 / 51 | - | ![]() | 5626 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Plateau | Obsolète | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbpm | 2KBP04 | Standard | Kbpm | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,1 V @ 3,14 A | 5 µA @ 400 V | 2 A | Monophasé | 400 V | |||||||||||||
![]() | Mur160-e3 / 73 | - | ![]() | 1130 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | MUR160 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,25 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||
MMBZ5229B-HE3-08 | - | ![]() | 6648 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5229 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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