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Produits semi-conduurs discrètes (2437)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DB157 | 0,3900 |  | 2 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-Edip (0,321 ", 8,15 mm) | DB157 | Standard | Db-m | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA à 1000 V | 1,5 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||
 | Kbp310g | 0 4500 | | 7 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP | Kbp310 | Standard | Kbp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 V @ 3 A | 5 µA à 1000 V | 3 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||
 | UG4KB100 | 0,5600 | | 1 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP | UG4KB100 | Standard | D3k | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA à 1000 V | 4 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||
 | GBU1010 | 0,9600 | | 1 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP | GBU1010 | Standard | GBU | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 10 A | 5 µA à 1000 V | 10 a | Monophasé | 1 kv | |||||||||
| GBU406G | 0,7400 | | 40 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP | GBU406 | Standard | GBU | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 600 V | 4 A | Monophasé | 600 V | |||||||||
| GBU410 | 0,6900 | | 971 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP | GBU410 | Standard | GBU | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA à 1000 V | 4 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||
 | GBJ1506 | 1.2000 | | 61 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP | GBJ1506 | Standard | GBJ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 7,5 A | 10 µA @ 600 V | 15 A | Monophasé | 600 V | |||||||||
| GBJ2006 | 1.2600 | | 1 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP | GBJ2006 | Standard | GBJ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 5 µA @ 600 V | 20 a | Monophasé | 600 V | |||||||||
| GBJ3506 | 1.6200 | | 19 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP | GBJ3506 | Standard | GBJ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 5 µA @ 600 V | 35 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||
| GBJ610 | 0,8800 | | 84 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP | GBJ610 | Standard | GBJ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA à 1000 V | 6 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||
 | GBPC2506 | 3.8100 | | 68 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Carrés, GBPC | Standard | GBPC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 12,5 A | 5 µA @ 600 V | 25 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||
 | GBPC2506W | 3.6000 | | 231 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, GBPC-W | GBPC2506 | Standard | GBPC-W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 12,5 A | 5 µA @ 600 V | 25 A | Monophasé | 600 V | |||||||||
| GBPC3510 | 4.0300 | | 71 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Carrés, GBPC | GBPC3510 | Standard | GBPC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 17,5 A | 5 µA à 1000 V | 35 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||
 | SDURF20Q60CT | 1 0000 | | 1 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | Sdurf20 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 600 V | 20A | 2,3 V @ 10 A | 25 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
 | S3D06065I | 2.6700 | | 901 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | Par le trou | Onglet isolé à 220-2 | S3D06065 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220 isolement | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1655-S3D06065I | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 6 A | 0 ns | 8 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 382pf @ 0v, 1mhz | ||||||
 | S4D05120A | 3.0400 | | 890 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | S4D0512 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC (à 220-2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1655-S4D05120A | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 5 A | 0 ns | 20 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | 302pf @ 0v, 1mhz | ||||||
| S3D10065A | 3,5000 | | 1 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | S3D10065 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC (à 220-2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1655-S3D10065A | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 20 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 621pf @ 0v, 1mhz | ||||||
| S3D06065A | 2.2300 | | 960 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | S3D06065 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC (à 220-2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1655-S3D06065A | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 6 A | 0 ns | 8 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 382pf @ 0v, 1mhz | ||||||
| S4D04120A | 2.9500 | | 764 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | S4D0412 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC (à 220-2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1655-S4D04120A | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 4 A | 0 ns | 20 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 302pf @ 0v, 1mhz | ||||||
 | S4D15120H | 7.4600 | | 5 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-2 | S4D1512 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1655-S4D15120H | EAR99 | 8541.10.0080 | 300 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 15 A | 0 ns | 35 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | 1200pf @ 0v, 1mhz | ||||||
 | S4D04120E | 2.8300 | | 2 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | S4D0412 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 4 A | 0 ns | 20 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 302pf @ 0v, 1mhz | |||||||
 | S3D10065G | 3 5300 | | 496 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | S3D10065 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 20 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 621pf @ 0v, 1mhz | |||||||
 | S3D40065D | 11.5200 | | 300 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | S3D40065 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 300 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 650 V | 48a | 1,7 V @ 20 A | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||
 | Kmb120 | - | | 7671 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | Schottky | MBS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1655 KMB120 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 900 mV @ 1 a | 50 µA @ 200 V | 1 a | Monophasé | 200 V | |||||||||
| MURB860 | - | | 3232 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Obsolète | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | D2pak | - | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1655-MURB860 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2.2 V @ 8 A | 50 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||
 | Sdurf10h60ct | - | | 5926 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Sdurf10h60 | Standard | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1655-Surf10h60ct | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 600 V | 5A | 1,8 V @ 5 A | 40 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||
 | 403dmq100 | 40.3100 | | 5 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Boîte | Actif | Soutenir de châssis | PRM4 ISLÉ | 403dmq | Schottky | PRM4 (isolé) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1655-403DMQ100 | EAR99 | 8541.10.0080 | 9 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 100 V | 200A | 830 MV @ 200 A | 6 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||
 | SS110 | 0,2100 | | 69 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Schottky | SMA (DO-214AC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 mV @ 1 a | 500 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 35pf @ 4v, 1mhz | |||||||||
 | S3D10065L | 3.1600 | | 500 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Pad Exposé 4-VSFN | S3D10065 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | 5-DFN (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 40 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 31A | 787pf @ 0v, 1mhz | |||||||
 | S3D30065A | 6.1800 | | 1 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | S3D30065 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | -1765-S3D30065A | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 30 A | 0 ns | 140 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 84a | 2307pf @ 0v, 100mhz |
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