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Produits semi-conduurs discrètes (2437)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Courant - Hold (IH) (Max) | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SST08C-800B | - |  | 5247 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | SST08 | - | 1655-SST08C-800B | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST16C-800BW | - | | 6100 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | SST16 | - | 1655-SST16C-800BW | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST16C-600BW | - | | 4730 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | SST16 | - | 1655-SST16C-600BW | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST08B-800CW | - | | 8722 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | SST08 | À 220b | - | 1655-sst08b-800cw | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | Célibataire | 40 mA | Standard | 800 V | 8 A | 1,5 V | 80a @ 50hz | 35 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| S2M0080120K | 15.3500 | | 260 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-4 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 1200 V | 41A (TC) | 20V | 100MOHM @ 20A, 20V | 4V @ 10mA | 54 NC @ 20 V | + 25V, -10V | 1324 pf @ 1000 V | - | 231W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| Df04 | 0,4300 | | 1 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-Edip (0,321 ", 8,15 mm) | Standard | Db-m | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 400 V | 1 a | Monophasé | 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Df07 | 0,4300 | | 2 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C | Par le trou | 4-Edip (0,321 ", 8,15 mm) | Standard | Db-m | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | -1765-df07 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | 1.1 V @ 1 A | 5 µA à 1000 V | 1 a | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Df06 | 0,4300 | | 2 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-Edip (0,321 ", 8,15 mm) | Standard | Db-m | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | -1765-df06 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 800 V | 1 a | Monophasé | 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Df01 | 0,4300 | | 4 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-Edip (0,321 ", 8,15 mm) | Standard | Db-m | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | -1765-df01 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 50 V | 1 a | Monophasé | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Df03 | 0,4300 | | 2 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-Edip (0,321 ", 8,15 mm) | Standard | Db-m | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | -1765-df03 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | 1 a | Monophasé | 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HBS810 | 0,6900 | | 3 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 sous-marins | Standard | Hbs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | 1 V @ 8 A | 5 µA à 1000 V | 8 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 406cmq200r | 38.4400 | | 7 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Boîte | Actif | Soutenir de châssis | PRM4 ISLÉ | 406cmq | Schottky | PRM4 (isolé) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1655-406CMQ200R | EAR99 | 8541.10.0080 | 9 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 200 V | 200A | 990 MV @ 200 A | 10 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 18TQ045S | 1.3100 | | 688 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | 18TQ | Schottky | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 35 V | 600 mV @ 18 A | 2,5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 18a | 1400pf @ 5v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 31DQ06 | 0,3700 | | 163 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | 31dq | Schottky | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 620 MV @ 3 A | 2 ma @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3.3a | 160pf @ 5v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 10CTQ150 | 0,7400 | | 284 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | 10CTQ | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | 1655-10CTQ150 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 5A | 930 MV @ 5 A | 50 µA à 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 150cmq045 | 49.3500 | | 24 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Boîte | Actif | Soutenir de châssis | À 249aa (Modifié), D-60 | 150cmq | Schottky | À 249 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 75a | 670 MV @ 75 A | 5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | GBU2510 | 1.2200 | | 712 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP | GBU2510 | Standard | GBU | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 1 V @ 12,5 A | 5 µA à 1000 V | 25 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU2010 | 1.1200 | | 990 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP | GBU2010 | Standard | GBU | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 1.1 V @ 10 A | 5 µA à 1000 V | 20 a | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMSZ5263B | 0.1300 | | 179 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | MMSZ5263 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 43 V | 56 V | 150 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| S3D08065L | 3.0300 | | 1 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Pad Exposé 4-VSFN | S3D08065 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | 5-DFN (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 20 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24a | 650pf @ 0v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Std860 | - | | 5052 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Schottky | Dpak | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 8 a | 1,12 ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB6str | 0,0300 | | 3 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 269aa, 4-besop | Standard | MBS | - | 5009-MB6STR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 500 mA | 5 µA @ 600 V | 500 mA | Monophasé | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1C5711AG.T1 | 0,3175 | | 3559 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Plateau | Actif | Support de surface | Mourir | 1C5711 | Schottky | Mourir | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0040 | 400 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 50 V | 410 MV @ 1 mA | 200 na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1 mA | 2pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SD125SA45B.T2 | 0,5334 | | 2880 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Plateau | Actif | Support de surface | Mourir | SD125 | Schottky | Mourir | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 560 MV @ 15 A | 1,5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 800pf @ 5v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SD125SC150A.T1 | 1.2164 | | 3687 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Plateau | Actif | Support de surface | Mourir | SD125 | Schottky | Mourir | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0040 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 890 MV @ 15 A | 500 µA à 150 V | -55 ° C ~ 200 ° C | 15A | 500pf @ 5v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SD125SCU100A.T1 | 1.2164 | | 3741 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Plateau | Actif | Support de surface | Mourir | SD125 | Schottky | Mourir | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0040 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 840 MV @ 15 A | 350 µA à 100 V | -55 ° C ~ 200 ° C | 15A | 600pf @ 5v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SD200SA30B.T1 | 3.1845 | | 3810 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Plateau | Actif | Support de surface | Mourir | SD200 | Schottky | Mourir | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0040 | 49 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 530 mV @ 60 A | 6 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 60A | 3300pf @ 5v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SZ3714.T1 | 0,3226 | | 4049 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Plateau | Actif | ± 5% | -40 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Support de surface | Mourir | SZ3714 | 3 W | Mourir | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0050 | 400 | 1,1 V @ 200 mA | 1 µA @ 10,5 V | 14 V | 8 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Sz3720.t1 | 0,3226 | | 6955 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Plateau | Actif | ± 5% | -40 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Support de surface | Mourir | SZ3720 | 3 W | Mourir | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0050 | 400 | 1,1 V @ 200 mA | 1 µA @ 15,2 V | 20 V | 14 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SZ3724.T2 | 0.1287 | | 8297 | 0,00000000 | Solutions de diode smc | - | Plateau | Actif | ± 5% | -40 ° C ~ 165 ° C (TJ) | Support de surface | Mourir | SZ3724 | 3 W | Mourir | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0050 | 4 000 | 1,1 V @ 200 mA | 1 µA @ 18,2 V | 24 V | 19 ohms |
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