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Mémoire (68)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Type de Contrôleur | Sic programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DP8430V-33 | 30.1400 |  | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 68 LCC (J-LEAD) | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PLCC (25.13x25.13) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Ram Dynamique (DRAM) | ||||||||||||
 | PAL16H42AJ / 883 | 8.3400 | | 94 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| JM38510 / 23106BEA | 24.9400 | | 210 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 93425dmqb30 | 24.3400 | | 35 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TC) | Par le trou | 16 CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 16-CDI | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 1kbit | 30 ns | Sram | 1k x 1 | Parallèle | 20ns | |||||
| 4721bdc | 11.8700 | | 2484 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | 4721b | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Par le trou | 22 CDI | Bélier | 4,5 V ~ 5,5 V | 22 CDI | télécharger | Rohs non conforme | 2A (4 Semaines) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | Volatil | 1kbit | Bélier | 256 x 4 | Parallèle | - | ||||||
 | NMC27C256BN150 | 3.9300 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Par le trou | 28 DIP (0,600 ", 15,24 mm) | Eprom - uv | 4,5 V ~ 5,5 V | 28 PDICES | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 256kbit | 150 ns | Eprom | 32k x 8 | Parallèle | - | |||||
 | 10415FC10 | 15h0000 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | 10415 | En gros | Actif | - | Support de surface | Tampon Exposé 16-WFQFN | Sram - asynchrone | - | 16-WQFN (4x4) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 1kbit | 10 ns | Sram | 1k x 1 | Parallèle | - | |||||
| DP8419V-70 | 46.6600 | | 683 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 68 LCC (J-LEAD) | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PLCC (25.13x25.13) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Ram Dynamique (DRAM) | ||||||||||||
 | DP8420AV-2 | - | | 3514 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre Affeté | 2156-dp8420av-2-14 | 1 | ||||||||||||||||||||
| DP8521AV-25 | 20.5400 | | 237 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 68 LCC (J-LEAD) | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PLCC (25.13x25.13) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||
 | DP8431VX-33 | 23.4000 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 68 LCC (J-LEAD) | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PLCC (25.13x25.13) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Ram Dynamique (DRAM) | ||||||||||||
 | DP84T22V-25 | 59.0000 | | 451 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | DP84T22 | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 84 LCC (J-LEAD) | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-PLCC (29.31x29.31) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Ram Dynamique (DRAM) | ||||||||||||
| 93l425dm | - | | 1791 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre Affeté | 2156-93L425DM-14 | 1 | Non Vérifié | |||||||||||||||||||
| 27C512AE200 / 883C | 44.0000 | | 130 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 27C512A | Eprom - OTP | 4,5 V ~ 5,5 V | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | Non volatile | 512kbit | 200 ns | Eprom | 64k x 8 | Parallèle | - | |||||||
| 93415fmqb | 27.8400 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| 54F189DC | 5.9900 | | 238 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | 54F | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Par le trou | 16 CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | Bélier | 4,5 V ~ 5,5 V | 16-CDI | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 0000.00.0000 | 1 | Volatil | 64 bits | 8,5 ns | Bélier | 16 x 4 | Parallèle | 15,5ns | ||||||
| 93L415FMQB | 16.2300 | | 949 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||||
| 93L425DMQB40 | 17h0000 | | 27 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | 93L425 | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TC) | Par le trou | 16 CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 16-CDI | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 1kbit | 70 ns | Sram | 1k x 1 | Parallèle | 55ns | |||||
 | 93Z667DMQB65 | 109.6300 | | 103 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | Fenêtre 24 CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | - | 4,5 V ~ 5,5 V | 24 CDI | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 64kbit | 65 ns | Bal de Promo | 8k x 8 | Parallèle | - | |||||
| MM54C200D / 883 | 30.8000 | | 129 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | 16 CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | Bélier | 3V ~ 15V | 16-CDI | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | Volatil | 256 bits | 520 ns | Bélier | 32 x 8 | Parallèle | - | |||||
 | NM27C040Q170 | 4.5600 | | 824 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Par le trou | Fenêtre 32-CDIP (0,685 ", 17,40 mm) | NM27C040 | Eprom - uv | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-CDIP | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0061 | 1 | Non volatile | 4mbbitons | 170 ns | Eprom | 512k x 8 | Parallèle | - | ||||
| DP8429D-70 | 76.6700 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Par le trou | Fenêtre 52-CDIP (0,600 ", 15,24 mm) | 4,5 V ~ 5,5 V | 52-CDIP | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Ram Dynamique (DRAM) | ||||||||||||
| DP8429D-80 | 76.6700 | | 419 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Par le trou | Fenêtre 52-CDIP (0,600 ", 15,24 mm) | 4,5 V ~ 5,5 V | 52-CDIP | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Ram Dynamique (DRAM) | ||||||||||||
| JM38510 / 23104BFA | 34.6600 | | 351 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| DP8421AV-25 | 21.7900 | | 926 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C | Support de surface | 68 LCC (J-LEAD) | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PLCC (25.13x25.13) | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8542.31.0001 | 18 | Ram Dynamique (DRAM) | ||||||||||||||
| NM27C010N200 | - | | 7769 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Par le trou | 32-DIP (0,600 ", 15,24 mm) | NM27C010 | Eprom - OTP | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-DIP | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 1mbit | 200 ns | Eprom | 128k x 8 | Parallèle | - | ||||
 | 93Z451FMQB | 13.3300 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 24 clatpack | - | 4,75 V ~ 5,25 V | 24 clatpack | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 8kbit | 55 ns | Bal de Promo | 1k x 8 | Parallèle | - | |||||
| DP8429TD-70 | 86.6600 | | 57 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | DP8429 | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Par le trou | Fenêtre 52-CDIP (0,600 ", 15,24 mm) | 4,5 V ~ 5,5 V | 52-CDIP | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Ram Dynamique (DRAM) | ||||||||||||
 | NMC2148HJ-2 | 8.9000 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Par le trou | 18-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 18-CDI | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 4kbit | 45 ns | Sram | 1k x 4 | Parallèle | - | |||||
 | 93l422dm | 12h0000 | | 200 | 0,00000000 | Semi-conducteur national | - | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 |
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