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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS45S16320F-6BLA1-T-T-TR | 13.0500 | ![]() | 9168 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS45S16320 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | IS45S16320F-7BLA2 | 15.8813 | ![]() | 1049 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS45S16320 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 143 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | IS42S32160F-75EBI-TR | 12.9150 | ![]() | 2785 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 6 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | IS42S32160F-7TL-TR | 10.9500 | ![]() | 7971 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | IS42S32800J-7TL-TR | 5.2224 | ![]() | 2670 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | IS61LF51218B-7.5TQLI | 13.7940 | ![]() | 5489 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LF51218 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1537 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Volatil | 9mbitons | 7,5 ns | Sram | 512k x 18 | Parallèle | - | ||
IS25LQ512B-JDLE-TR | - | ![]() | 8195 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | IS25LQ512 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 500 | 104 MHz | Non volatile | 512kbit | Éclair | 64k x 8 | Spi - quad e / o | 800 µs | |||||
![]() | IS41LV16100C-50TI | - | ![]() | 6908 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur), 44 pistes | IS41LV16100 | DRAM - EDO | 2 97V ~ 3,63 V | 50-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | Volatil | 16mbitons | 25 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | 85ns | ||||
![]() | IS42S16160G-7BI | - | ![]() | 7376 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 348 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | IS61LF102418A-7.5B3I | - | ![]() | 8032 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61LF102418 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | Volatil | 18mbitons | 7,5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | Non Vérifié | ||
![]() | IS61VF102418A-7.5B3I | - | ![]() | 1423 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61VF102418 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | Volatil | 18mbitons | 7,5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | IS25LP512M-RGLE | - | ![]() | 5105 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | IS25LP512 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 1,6 ms | ||||
![]() | IS25LP032D-JLLE | 1.4400 | ![]() | 1041 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | IS25LP032 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | ||||
![]() | IS61WV102416EDBLL-10T2LI-TR | 11.7300 | ![]() | 6369 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | IS61WV102416 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 500 | Volatil | 16mbitons | 10 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 10ns | ||||
![]() | IS43LD32160A-25BLI | 8.3985 | ![]() | 3227 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 134-TFBGA | IS43LD32160 | SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 171 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | IS43R16320F-5BI-TR | 5.5950 | ![]() | 2467 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43R16320 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | Non Vérifié | ||
![]() | IS43TR82560CL-15HBL-TR | 5.4712 | ![]() | 1795 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS43TR82560 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 667 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | IS42S16160B-7TL | - | ![]() | 5263 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | IS42S32200C1-7TL | - | ![]() | 6490 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32200 | Sdram | 3,15 V ~ 3 45 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5,5 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | IS62C1024AL-35TLI | 2.4500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | IS62C1024 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 156 | Volatil | 1mbit | 35 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 35ns | ||||
![]() | IS93C66A-2GRLI | - | ![]() | 2049 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | 93C66A | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1051-5 | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | Non volatile | 4kbit | Eeprom | 512 x 8, 256 x 16 | Microwire | 5 ms | |||
![]() | IS61LPS25672A-250B1 | - | ![]() | 6525 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 209-BGA | IS61LPS25672 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 209-LFBGA (14x22) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 250 MHz | Volatil | 18mbitons | 2.6 ns | Sram | 256k x 72 | Parallèle | - | |||
![]() | IS42S32200C1-7TI-TR | - | ![]() | 3868 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32200 | Sdram | 3,15 V ~ 3 45 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5,5 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | IS43R86400E-5BI | - | ![]() | 1475 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43R86400 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43R86400E-5BI | OBSOLÈTE | 190 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | |||
IS46DR16320C-3DBA2 | - | ![]() | 9897 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS46DR16320 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46DR16320C-3DBA2 | OBSOLÈTE | 209 | 333 MHz | Volatil | 512mbitons | 450 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | IS46LD32128C-18BPLA1-T-T-TR | - | ![]() | 1891 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 168-VFBGA | IS46LD32128 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46LD32128C-18BPLA1-T-T-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5,5 ns | Drachme | 128m x 32 | HSUL_12 | 15NS | ||
![]() | IS43LD32128C-25BPL-TR | - | ![]() | 1600 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43LD32128C-25BPL-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | IS43LD32128A-25BPL-TR | - | ![]() | 3065 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43LD32128A-25BPL-TR | OBSOLÈTE | 1 | 400 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5,5 ns | Drachme | 128m x 32 | HSUL_12 | 15NS | |||
![]() | IS43LD32128C-18BPL-TR | - | ![]() | 3021 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43LD32128C-18BPL-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | IS46LD32128C-25BPLA2-T-T-TR | - | ![]() | 3161 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 168-VFBGA | IS46LD32128 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46LD32128C-25BPLA-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5,5 ns | Drachme | 128m x 32 | HSUL_12 | 15NS |
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