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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS46DR16640B-25EBLA1	-	RFQ	3493	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS46DR16640	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	209	400 MHz	Volatil	1 gbit	400 PS	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS43R86400E-6BLI	-	RFQ	8535	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43R86400	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	190	166 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS41C16105C-50TLI	-	RFQ	9208	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS41C16105	Dram - FP	4,5 V ~ 5,5 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	117		Volatil	16mbitons	25 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS46QR81024A-075VBLA2-TR	20.2027	RFQ	8814	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-TWBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46QR81024A-075VBLA2-TR			2 000	1 333 GHz	Volatil	8 Gbit	18 ns	Drachme	1g x 8	Parallèle	15NS
IS61NVP102418-200B3I	-	RFQ	9530	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NVP102418	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	Volatil	18mbitons	3.1 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS49RL36160A-093EBL	88.0700	RFQ	119	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 LBGA	IS49RL36160	Rldram 3	1,28 V ~ 1,42 V	168-FBGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49RL36160A-093EBL	EAR99	8542.32.0032	119	1 066 GHz	Volatil	576mbit	7,5 ns	Drachme	16m x 36	Parallèle	-
IS42S16400D-7TL	-	RFQ	8509	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108	143 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS62WV5128BLL-55T2LI-TR	3.3915	RFQ	8226	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV5128	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	32-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	55ns
IS43LR32160C-6BL-TR	6.7050	RFQ	2677	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS43LR32160	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	12ns
IS61WV102416BLL-10TLI-TR	18h0000	RFQ	1484	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS61WV102416	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 500		Volatil	16mbitons	10 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	10ns
IS43LR16160G-6BLI	5.9717	RFQ	8649	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43LR16160	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-TFBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	300	166 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS62WV51216BLL-55BI-TR	5.8800	RFQ	5777	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS62WV51216	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	48-Minibga (7.2x8.7)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	8mbitons	55 ns	Sram	512k x 16	Parallèle	55ns
IS61LV6416-8KL-TR	-	RFQ	6926	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	44-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61LV6416	Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	44-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	2 500		Volatil	1mbit	8 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	8ns
IS49NLS96400-33B	-	RFQ	5483	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLS96400	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-FCBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	104	300 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	64m x 9	Parallèle	-
IS43R83200D-6TLI	6.1236	RFQ	4063	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS43R83200	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	166 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
IS64LV25616AL-12TA3	-	RFQ	9400	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS64LV25616	Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	135		Volatil	4mbbitons	12 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	12ns
IS46TR16K01S2AL-125KBLA1	34.3157	RFQ	9285	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-LFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-LWBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46TR16K01S2AL-125KBLA1			136	800 MHz	Volatil	16 Gbit	20 ns	Drachme	1g x 16	Parallèle	15NS
IS43LD32128A-25BPL-TR	-	RFQ	3065	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	168-VFBGA	IS43LD32128	SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4	1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V	168-VFBGA (12x12)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43LD32128A-25BPL-TR	OBSOLÈTE		1	400 MHz	Volatil	4 Gbit	5,5 ns	Drachme	128m x 32	HSUL_12	15NS
IS43R32800D-6BL	-	RFQ	8976	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	144-LFBGA	IS43R32800	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	144-LFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	189	166 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	8m x 32	Parallèle	15NS
IS62WV1288BLL-55TLI-TR	1.6971	RFQ	9012	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS62WV1288	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	32-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	1 500		Volatil	1mbit	55 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	55ns
IS25LQ080B-JNLE-TR	-	RFQ	5949	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LQ080	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 000	104 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o	1 ms
IS45S32800D-6BLA1-T-T-TR	-	RFQ	5064	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS45S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	-
IS42S32200L-6BI	-	RFQ	2608	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240	166 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS42S32800B-7TI	-	RFQ	6833	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32800	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	143 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS25WP256E-RHLE-TR	3.7919	RFQ	4043	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA		Flash - Ni (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25WP256E-RHLE-TR			2 500	166 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	50 µs, 1 ms
IS49NLC36160-33BLI	-	RFQ	9009	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC36160	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-FCBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	104	300 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	16m x 36	Parallèle	-
IS42S81600F-6TLI-TR	2.6967	RFQ	8511	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S81600	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500	166 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 8	Parallèle	-
IS62WV102416EBLL-45BI-TR	7.6151	RFQ	3860	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	IS62WV102416	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	16mbitons	45 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	45ns
IS61DDB22M18-250M3	-	RFQ	6872	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61DDB22	Sram - Synchrones, DDR II	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	Volatil	36mbitons		Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS29GL256-70DLET-TR	4.8235	RFQ	4919	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA		Flash - Ni (SLC)	3V ~ 3,6 V	64-LFBGA (9x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS29GL256-70DLET-TR			2 500		Non volatile	256mbitons	70 ns	Éclair	32m x 8	CFI	70ns, 200µs

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