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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS42SM16160E-75BI-TR	-	RFQ	8736	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42SM16160	Sdram - mobile	2,7 V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	133 MHz	Volatil	256mbitons	6 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS25WD040-JBLE-T-T-TR	-	RFQ	7799	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	IS25WD040	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 000	80 MHz	Non volatile	4mbbitons		Éclair	512k x 8	Pimenter	3 ms
IS61LF51236B-7.5B3LI-TR	15.6750	RFQ	7418	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61LF51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	117 MHz	Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS43R16320E-6BI-TR	6.8400	RFQ	3741	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43R16320	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS62C256AL-45TLI-TR	1.0839	RFQ	2770	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur)	IS62C256	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	28-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	2 000		Volatil	256kbit	45 ns	Sram	32k x 8	Parallèle	45ns
IS43R86400D-6TLI	8.3985	RFQ	5946	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS43R86400	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	108	166 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS61NLP102436B-200B3LI	75.4190	RFQ	3328	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NLP102436	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	Volatil	36mbitons	3.1 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS61NLP12832A-200TQLI	8.3815	RFQ	7411	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NLP12832	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	Volatil	4,5 Mbit	3.1 ns	Sram	128k x 36	Parallèle	-
IS25WP128F-JKLE	2.2105	RFQ	4427	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25WP128	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	570	133 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS42RM32400G-75BI-TR	-	RFQ	8043	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42RM32400	Sdram - mobile	2,3V ~ 2,7 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	133 MHz	Volatil	128mbitons	6 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS61NVP409618B-250B3L	120.7500	RFQ	2295	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NVP409618	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	Volatil	72mbitons	2,8 ns	Sram	4m x 18	Parallèle	-
IS43R16160F-5BL-TR	3.7974	RFQ	6892	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43R16160	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	200 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS61NVP102418-200TQLI	-	RFQ	5000	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NVP102418	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	Volatil	18mbitons	3.1 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS43TR16640B-15GBL-TR	-	RFQ	8946	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16640	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 500	667 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS43DR16320D-25DBI	-	RFQ	6184	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16320	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	209	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS43TR16256AL-125KBL	-	RFQ	3824	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16256	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1207	EAR99	8542.32.0036	190	800 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS42S16100F-7TLI	-	RFQ	3410	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	117	143 MHz	Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS62WV51216GBLL-45TLI-TR	4.6718	RFQ	9904	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS62WV51216	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 500		Volatil	8mbitons	45 ns	Sram	512k x 16	Parallèle	45ns
IS43LQ16128A-062TBI-TR	8.6583	RFQ	8912	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-TFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43LQ16128A-062TBI-TR			2 500	1,6 GHz	Volatil	2 gbit	3,5 ns	Drachme	128m x 16	Lvstl	18n
IS49RL18640-093EBL	117.8521	RFQ	5470	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 LBGA		Rldram 3	1,28 V ~ 1,42 V	168-FBGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49RL18640-093EBL			119	1 066 GHz	Volatil	1 152 gbit	8 ns	Drachme	64m x 18	Parallèle	-
IS61LF6436A-8.5TQI	-	RFQ	2740	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LF6436	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	90 MHz	Volatil	2mbitons	8,5 ns	Sram	64k x 36	Parallèle	-
IS61QDB41M36C-250M3	-	RFQ	6002	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDB41	Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS61NVF25672-6.5B1I-TR	-	RFQ	6845	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	209-BGA	IS61NVF25672	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	209-LFBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000	133 MHz	Volatil	18mbitons	6.5 ns	Sram	256k x 72	Parallèle	-
IS42S16160J-6BL-TR	2.7662	RFQ	9633	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS66WVE2M16EBLL-55BI-TR	-	RFQ	4557	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS66WVE2M16	Psram (pseudo sram)	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	32mbitons	55 ns	Psram	2m x 16	Parallèle	55ns
IS61LF12836A-6.5TQLI-TR	7.5837	RFQ	4556	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LF12836	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	133 MHz	Volatil	4,5 Mbit	6.5 ns	Sram	128k x 36	Parallèle	-
IS61WV51216EDBLL-8BLI	10.3523	RFQ	1294	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS61WV51216	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	8mbitons	8 ns	Sram	512k x 16	Parallèle	8ns
IS25WP016D-JMLE	0,8502	RFQ	2982	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	IS25WP016	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	44	133 MHz	Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS43LD32128B-18BPL	-	RFQ	4109	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	168-VFBGA	IS43LD32128	SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4	1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V	168-VFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43LD32128B-18BPL	EAR99	8542.32.0036	1	533 MHz	Volatil	4 Gbit	5,5 ns	Drachme	128m x 32	HSUL_12	15NS
IS46TR16128C-15HBLA2-TR	6.4006	RFQ	5602	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16128	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	667 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS

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