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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS62C5128EL-45TLI | 3.5517 | ![]() | 1952 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand) | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-stsop I | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS62C5128EL-45TLI | 117 | Volatil | 4mbbitons | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 45ns | ||||||
![]() | IS25LP016D-JKLE | 1.0700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | IS25LP016 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-wson (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | |||
![]() | IS42S16100C1-5T-T-T-TR | - | ![]() | 9785 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16100 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 50-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 16mbitons | 5 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61NLF12836A-7.5TQLI-TR | 7.5837 | ![]() | 5288 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61NLF12836 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 7,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61VPS102418A-200B3I | - | ![]() | 3273 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61VPS102418 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.1 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS45S32200E-6TLA1-TR | - | ![]() | 5746 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS45S32200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 166 MHz | Volatil | 64mbitons | 5,5 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61DDPB21M36A-400M3L | 71.5551 | ![]() | 6296 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61DDPB21 | Sram - synchrone, ddr iip | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | Volatil | 36mbitons | Sram | 1m x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | IS25LP256H-JLLE-TR | 3.2074 | ![]() | 9228 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25LP256H-JLLE-TR | 4 000 | 166 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | ||||||
![]() | IS61C1024AL-12HLI | 1.9868 | ![]() | 4225 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand) | IS61C1024 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-stsop I | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 234 | Volatil | 1mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 12ns | |||
![]() | IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR | 3.2797 | ![]() | 2905 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 36-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS61WV5128 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 36-SOJ | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 10ns | |||
![]() | IS46R16160D-5TLA1 | 6.4828 | ![]() | 8963 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS46R16160 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
IS41LV16105B-50TLI | - | ![]() | 2905 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS41LV16105 | Dram - FP | 3V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | Volatil | 16mbitons | 25 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | ||||
![]() | IS61WV2568EDBLL-10BI-TR | 4.2627 | ![]() | 2290 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 36-TFBGA | IS61WV2568 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 2mbitons | 10 ns | Sram | 256k x 8 | Parallèle | 10ns | |||
IS43DR16320C-25DBI-TR | 5.7750 | ![]() | 8198 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS43DR16320 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
IS61WV3216BLL-12TLI-TR | 1.7660 | ![]() | 7503 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61WV3216 | Sram - asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 512kbit | 12 ns | Sram | 32k x 16 | Parallèle | 12ns | ||||
![]() | IS42S16160B-7TI-TR | - | ![]() | 4483 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | ||
IS62WV5128DBLL-45BI-TR | - | ![]() | 3407 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 36-TFBGA | IS62WV5128 | Sram - asynchrone | 2,3V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 4mbbitons | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 45ns | ||||
![]() | IS45S16160J-7CTLA1-T-T-TR | 4.6246 | ![]() | 1037 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS45S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS49RL36160-093BL | - | ![]() | 6637 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 168 LBGA | IS49RL36160 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 1 066 GHz | Volatil | 576mbit | 10 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S16160J-7TLI-TR | 2.8125 | ![]() | 2320 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS25LP064A-JBLE | 1.6500 | ![]() | 477 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | IS25LP064 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 800 µs | |||
![]() | IS61WV10248EDBLL-10BI-TR | 10.1242 | ![]() | 4925 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS61WV10248 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 8mbitons | 10 ns | Sram | 1m x 8 | Parallèle | 10ns | |||
![]() | IS46R16320D-5TLA1 | 9.7086 | ![]() | 1635 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS46R16320 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS25LP01GG-RHLE-TR | 9.1105 | ![]() | 6037 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25LP01GG-RHLE-TR | 2 500 | |||||||||||||||||||
![]() | IS46TR16256BL-125KBLA2-TR | 8.9855 | ![]() | 3973 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16256 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR16256BL-125KBLA-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | |
![]() | IS43R16320E-5BL | 7.3552 | ![]() | 2924 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43R16320 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 190 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS43R16320D-5BL | 8.4157 | ![]() | 5348 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43R16320 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 190 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS42VM16800G-75BLI | - | ![]() | 6929 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42VM16800 | Sdram - mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 6 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42SM32160C-75BL-TR | - | ![]() | 3137 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-LFBGA | IS42SM32160 | Sdram - mobile | 2,7 V ~ 3,6 V | 90-WBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS62WV20488EBLL-45BLI | - | ![]() | 9238 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS62WV20488 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatil | 16mbitons | 45 ns | Sram | 2m x 8 | Parallèle | 45ns |
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