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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS61DDB21M18A-300M3L | 32.3796 | ![]() | 9996 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61DDB21 | Sram - Synchrones, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 300 MHz | Volatil | 18mbitons | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | IS42S32160F-75EBL | 11.8443 | ![]() | 4901 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 6 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | ||
IS63LV1024L-12BLI | - | ![]() | 8665 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 36-TFBGA | IS63LV1024 | Sram - asynchrone | 3,15 V ~ 3 45 V | 36-MINIBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 220 | Volatil | 1mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 12ns | ||||
![]() | IS61NLF51236-6.5B3I | - | ![]() | 3931 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61NLF51236 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | Volatil | 18mbitons | 6.5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS29LV032T-70TLI | - | ![]() | 8420 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | IS29LV032T | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1352 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | 70ns | ||
![]() | IS43R16160F-6TL | 3.4500 | ![]() | 524 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS43R16160 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS62WV102416AL-35TLI-TR | 19.6042 | ![]() | 3888 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | IS62WV102416 | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 500 | Volatil | 16mbitons | 35 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 35ns | |||
![]() | IS43R16320E-5BLI | 8.1078 | ![]() | 4581 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43R16320 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 190 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS61QDB22M18-250M3L | - | ![]() | 7118 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61QDB22 | Sram - synchrone, quad | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volatil | 36mbitons | 7,5 ns | Sram | 2m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S16320F-7BLI | 14.8000 | ![]() | 12 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42S16320 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 143 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||
IS46DR16320C-3DBLA1 | 7.7999 | ![]() | 2539 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS46DR16320 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 333 MHz | Volatil | 512mbitons | 450 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | IS42S32400E-6BL-TR | - | ![]() | 4828 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS45S16160G-7BLA2-TR | 8.9700 | ![]() | 6657 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS45S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S16800F-7BL | 2.3842 | ![]() | 1551 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42S16800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42RM32400H-6BLI | 5.0466 | ![]() | 1951 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42RM32400 | Sdram - mobile | 2,3V ~ 2,7 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5,5 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS45S16400J-7TLA2-TR | 4.0698 | ![]() | 8719 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS45S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS25LP032D-JTE-T-T-TR | 0,8410 | ![]() | 6107 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UDFN | Flash - Ni (SLC) | 2,3V ~ 3,6 V | 8-USON (4x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25LP032D-JTE-T-T-TR | 5 000 | 133 MHz | Non volatile | 32mbitons | 7 ns | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||
![]() | IS64LPS102436B-166B2LA3 | - | ![]() | 4777 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 119-BBGA | IS64LPS102436 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 119-PBGA (14x22) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 166 MHz | Volatil | 36mbitons | 3,8 ns | Sram | 1m x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43QR16256A-083RBLI | - | ![]() | 2319 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43QR16256 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1474 | EAR99 | 8542.32.0036 | 50 | 1,2 GHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61DDP2B41M18A-400M3L | 44.1540 | ![]() | 6511 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61DDP2 | Sram - synchrone, ddr iip | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | Volatil | 18mbitons | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | IS45S16100E-7BLA1-T-T-TR | - | ![]() | 9310 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS45S16100 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 60-TFBGA (6.4x10.1) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 143 MHz | Volatil | 16mbitons | 5,5 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43R16320F-5BL-TR | 5.1762 | ![]() | 5376 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43R16320 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS61NLP102436B-200B3LI-TR | 79.0500 | ![]() | 3208 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61NLP102436 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | 200 MHz | Volatil | 36mbitons | 3.1 ns | Sram | 1m x 36 | Parallèle | - | ||
IS61C256AL-2JLI-TR | 1.5200 | ![]() | 13 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm de grandeur) | IS61C256 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 256kbit | 12 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 12ns | ||||
![]() | IS42VM16320D-6BLI | - | ![]() | 1434 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42VM16320 | Sdram - mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5,5 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS49NLC18320-25EBL | - | ![]() | 9973 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLC18320 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S83200D-6TL | - | ![]() | 5030 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S83200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S32200C1-7TI | - | ![]() | 1715 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32200 | Sdram | 3,15 V ~ 3 45 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5,5 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43R16320E-6BL-TR | 6.2100 | ![]() | 2954 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43R16320 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS43TR16512BL-107MBLI | 27.6200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16512 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43TR16512BL-107MBLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS |
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