RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS46DR16320C-3DBLA1	7.7999	RFQ	2539	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS46DR16320	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	209	333 MHz	Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS62WV102416AL-35TLI-TR	19.6042	RFQ	3888	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS62WV102416	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 500		Volatil	16mbitons	35 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	35ns
IS61NLF102436A-7.5TQLI	-	RFQ	1927	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NLF102436	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	Volatil	36mbitons	7,5 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS67WVC4M16EALL-7010BLIA1-TR	-	RFQ	7016	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)			IS67WVC4M16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V		télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500	104 MHz	Volatil	64mbitons	70 ns	Psram	4m x 16	Parallèle	70ns
Is61nvp204818b-200tqli	81.3214	RFQ	6017	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NVP204818	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	Volatil	36mbitons	3.1 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS45S16160G-7BLA2-TR	8.9700	RFQ	6657	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS45S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS43R16160F-6TL	3.4500	RFQ	524	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS43R16160	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	166 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS42RM32400H-6BLI	5.0466	RFQ	1951	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42RM32400	Sdram - mobile	2,3V ~ 2,7 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240	166 MHz	Volatil	128mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS43DR81280B-3DBLI	7.1992	RFQ	5283	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43DR81280	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	242	333 MHz	Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS42S16800F-7BL	2.3842	RFQ	1551	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16800	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	348	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS43DR16128B-25EBL-TR	-	RFQ	9046	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16128	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TW-BGA (10.5x13.5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	400 MHz	Volatil	2 gbit	400 PS	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS42S16100C1-7BLI	-	RFQ	2723	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS42S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	60-TFBGA (6.4x10.1)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	286	143 MHz	Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS63LV1024L-12BLI	-	RFQ	8665	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-TFBGA	IS63LV1024	Sram - asynchrone	3,15 V ~ 3 45 V	36-MINIBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	220		Volatil	1mbit	12 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	12ns
IS42S16320F-7BLI	14.8000	RFQ	12	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TW-BGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	240	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS42S32200E-6BI-TR	-	RFQ	1204	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS29LV032T-70TLI	-	RFQ	8420	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS29LV032T	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1352	3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	32mbitons	70 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	70ns
IS25LQ020B-JNLE-TR	-	RFQ	6190	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LQ020	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 000	104 MHz	Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
IS67WVC4M16ALL-7010BLA1	-	RFQ	7483	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	IS67WVC4M16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	54-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480	104 MHz	Volatil	64mbitons	70 ns	Psram	4m x 16	Parallèle	70ns
IS46TR16128B-125KBLA1	-	RFQ	8240	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16128	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	190	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS39LV010-70JCE	-	RFQ	2579	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32 LCC (J-LEAD)	IS39LV010	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	32-PLCC (11.43x13.97)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1348	EAR99	8542.32.0071	32		Non volatile	1mbit	70 ns	Éclair	128k x 8	Parallèle	70ns
IS61WV25632BLL-10BLI	12.1792	RFQ	3828	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS61WV25632	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	240		Volatil	8mbitons	10 ns	Sram	256k x 32	Parallèle	10ns
IS42S32400E-6BL-TR	-	RFQ	4828	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS61DDB21M18A-300M3L	32.3796	RFQ	9996	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61DDB21	Sram - Synchrones, DDR II	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0002	105	300 MHz	Volatil	18mbitons		Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS42S32160F-75EBL	11.8443	RFQ	4901	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	240	133 MHz	Volatil	512mbitons	6 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS25LP128F-JBLE	1.8798	RFQ	4190	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	IS25LP128	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	90	133 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS61NLF51236-6.5B3I	-	RFQ	3931	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NLF51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	Volatil	18mbitons	6.5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS64LPS12832EC-200TQLA3-TR	9.9825	RFQ	9279	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS64LPS12832	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	Volatil	4mbbitons	3.1 ns	Sram	128k x 32	Parallèle	-
IS61WV51216BLL-10TLI	15.4600	RFQ	2	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61WV51216	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	135		Volatil	8mbitons	10 ns	Sram	512k x 16	Parallèle	10ns
IS61WV102416EDBLL-10T2LI	12.4385	RFQ	4609	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS61WV102416	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	96		Volatil	16mbitons	10 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	10ns
IS49NLS96400-33BL	-	RFQ	7435	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLS96400	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-FCBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	104	300 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	64m x 9	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Mémoire (5712)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²