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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS43R32800D-5BL-TR	-	RFQ	4686	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	144-LFBGA	IS43R32800	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	144-LFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500	200 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	8m x 32	Parallèle	15NS
IS43LR32640A-5BL	11.7986	RFQ	3049	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-LFBGA	IS43LR32640	Sdram - ddr	1,7 V ~ 1,95 V	90-WBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	240	200 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	64m x 32	Parallèle	15NS
IS43DR81280C-25DBLI	7.5200	RFQ	6	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43DR81280	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1576	EAR99	8542.32.0032	242	400 MHz	Volatil	1 gbit	400 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS42S32160A-75B-TR	-	RFQ	4180	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-LFBGA	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-LFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	133 MHz	Volatil	512mbitons	6 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS42SM16160E-75BLI	-	RFQ	6185	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42SM16160	Sdram - mobile	2,7 V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	348	133 MHz	Volatil	256mbitons	6 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42S16160G-6BI-TR	-	RFQ	5480	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42VM32800K-75BLI	6.0630	RFQ	6372	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42VM32800	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240	133 MHz	Volatil	256mbitons	6 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS46TR16256BL-125KBLA2	9.8181	RFQ	5847	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16256	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46TR16256BL-125KBLA2	EAR99	8542.32.0036	190	800 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS42S16800D-7B-TR	-	RFQ	4033	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	IS42S16800	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-Minibga (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS42S16100H-7BI-TR	1.4279	RFQ	3694	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS42S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	60-TFBGA (6.4x10.1)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0002	2 500	143 MHz	Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS62WV6416BLL-55TLI-TR	1.6971	RFQ	3327	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV6416	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	1 000		Volatil	1mbit	55 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	55ns
IS61NLP25636A-200B2I-TR	-	RFQ	6041	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	119-BBGA	IS61NLP25636	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	119-PBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000	200 MHz	Volatil	9mbitons	3.1 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
IS62WV25616EALL-55TI	-	RFQ	5644	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV25616	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	55ns
IS42S16320D-6BI	-	RFQ	6717	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TW-BGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS42S16320D-6BI	OBSOLÈTE		240	167 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS45S32800D-6TLA1-T-T-TR	-	RFQ	1983	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS45S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	-
IS43TR16640BL-125KBL	-	RFQ	3130	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16640	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43TR16640BL-125KBL	EAR99	8542.32.0032	190	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS61C256AL-12TLI	1.5200	RFQ	860	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur)	IS61C256	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	28-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	234		Volatil	256kbit	12 ns	Sram	32k x 8	Parallèle	12ns
IS43TR82560B-125KBLI	-	RFQ	7656	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR82560	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	242	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
IS62WV12816FBLL-45BLI	1.5749	RFQ	2813	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA		Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS62WV12816FBLL-45BLI			480		Volatil	2mbitons	45 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	45ns
IS61QDP2B24M18A-333M3L	100.1770	RFQ	4830	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDP2	Sram - synchrone, quadp	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	333 MHz	Volatil	72mbitons	8.4 ns	Sram	4m x 18	Parallèle	-
IS42RM16800G-75BI-TR	-	RFQ	1896	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42RM16800	Sdram - mobile	2.3V ~ 3V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	133 MHz	Volatil	128mbitons	6 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS46LD32320A-25BLA2	-	RFQ	4628	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	134-TFBGA	IS46LD32320	SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	171	400 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	32m x 32	Parallèle	15NS
IS42VM32800K-75BI-TR	5.2800	RFQ	9925	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42VM32800	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	133 MHz	Volatil	256mbitons	6 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS61NLP25636A-200TQLI	16.0200	RFQ	447	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NLP25636	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	Volatil	9mbitons	3.1 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
IS43LR16640A-6BI-TR	9.9150	RFQ	9223	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43LR16640	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-TWBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	2 000	166 MHz	Volatil	1 gbit	5 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS61VPD51236A-200B3-TR	-	RFQ	4506	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61VPD51236	Sram - Port Quad, synchrone	2 375V ~ 2 625V	165-PBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	200 MHz	Volatil	18mbitons	3.1 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS61QDB42M18A-333M3I	-	RFQ	7214	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDB42	Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	333 MHz	Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS43TR16128D-093NBL-TR	-	RFQ	5494	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16128	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43TR16128D-093NBL-TR	EAR99	8542.32.0036	1 500	1 066 GHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS61LV5128AL-10TLI-TR	3.3915	RFQ	9529	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61LV5128	Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	10ns
IS61LPS25618A-200B2LI-TR	-	RFQ	6832	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	119-BBGA	IS61LPS25618	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	119-PBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000	200 MHz	Volatil	4,5 Mbit	3.1 ns	Sram	256k x 18	Parallèle	-

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Mémoire (5712)

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