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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS61QDPB42M36A1-550M3LI | - | ![]() | 6948 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61QDPB42 | Sram - Port Quad, synchrone | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 550 MHz | Volatil | 72mbitons | Sram | 2m x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | IS43DR86400C-25DBI | - | ![]() | 4738 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43DR86400 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43DR86400C-25DBI | OBSOLÈTE | 209 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS46LR32160C-6BLA2-T-T-TR | 12.3150 | ![]() | 7363 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS46LR32160 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5,5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | 12ns | ||
![]() | IS25WQ020-JNLE | - | ![]() | 4837 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | IS25WQ020 | Flash - ni | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Pimenter | 1 ms | |||
![]() | IS46LQ32640A-062TBLA2-TR | - | ![]() | 4171 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ32640A-062TBLA2-TR | 2 500 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 64m x 32 | Lvstl | 18n | |||||
![]() | IS42S32160C-75BL-TR | - | ![]() | 4678 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-LFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-WBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 6 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S86400D-7TL | 12.8997 | ![]() | 6470 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S86400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | - | ||
![]() | IS45S16400J-7CTLA2 | 4.7138 | ![]() | 6854 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS45S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS62WV10248HBLL-45BI-TR | 3.8489 | ![]() | 9764 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS62WV10248HBLL-45BI-TR | 2 500 | Volatil | 8mbitons | 45 ns | Sram | 1m x 8 | Parallèle | 45ns | ||||||
![]() | IS61NLP102418-250B3 | - | ![]() | 5964 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61NLP102418 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Volatil | 18mbitons | 2.6 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS45VM16800E-75BLA2-TR | - | ![]() | 3388 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS45VM16800 | Sdram - mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS62WV102416BLL-25MI | - | ![]() | 5852 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS62WV102416 | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 3,6 V | 48-Minibga (9x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 220 | Volatil | 16mbitons | 25 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 25ns | |||
![]() | IS49RL18320A-107EBLI | 70 9500 | ![]() | 7415 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 LBGA | Rldram 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49RL18320A-107EBLI | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 933 MHz | Volatil | 576mbit | 7,5 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS34ML04G084-TLI | 11.7000 | ![]() | 79 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | IS34ML04 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 4 Gbit | 25 ns | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | 25ns | |||
![]() | IS42RM32160E-75BL-TR | 9.6450 | ![]() | 2032 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42RM32160 | Sdram - mobile | 2.3V ~ 3V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 6 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS45S16100E-7TLA1-T-T-TR | - | ![]() | 9813 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS45S16100 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 50-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 143 MHz | Volatil | 16mbitons | 5,5 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS25WP016-JMLE | - | ![]() | 2096 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | IS25WP016 | Flash - ni | 1,65 V ~ 1,95 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | Non volatile | 16mbitons | 7 ns | Éclair | 2m x 8 | En série | 800 µs | ||
![]() | IS42S83200D-75ETLI-TR | - | ![]() | 2041 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S83200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | - | ||
IS61LV5128AL-10BI | - | ![]() | 4545 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 36-TFBGA | IS61LV5128 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 36-MINIBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 10ns | ||||
![]() | IS63LV1024L-10JLI-TR | - | ![]() | 4063 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm de grandeur) | IS63LV1024 | Sram - asynchrone | 3,15 V ~ 3 45 V | 32-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 1mbit | 10 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 10ns | |||
![]() | IS61LV12824-10BL-TR | - | ![]() | 3162 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 119-BGA | IS61LV12824 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 119-PBGA (14x22) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 3mbitons | 10 ns | Sram | 128k x 24 | Parallèle | 10ns | |||
![]() | IS42S32400B-7BL | - | ![]() | 2332 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S16400D-6TL-TR | - | ![]() | 1291 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 166 MHz | Volatil | 64mbitons | 5 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS46TR81280BL-125JBLA2-TR | - | ![]() | 7068 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS46TR81280 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR81280BL-125JBLA2-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | |
![]() | IS37SML01G1-MLI | - | ![]() | 8774 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | IS37SML01 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | Non volatile | 1 gbit | 8 ns | Éclair | 128m x 8 | Pimenter | - | ||
![]() | IS43R16800E-6TLI | 2.5198 | ![]() | 6768 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS43R16800 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 700 PS | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | 12ns | ||
![]() | IS61LV12824-10TQ-TR | - | ![]() | 2031 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LV12824 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | Volatil | 3mbitons | 10 ns | Sram | 128k x 24 | Parallèle | 10ns | |||
![]() | IS61LV256-12TLI-TR | - | ![]() | 5845 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur) | IS61LV256 | Sram - asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 28-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 256kbit | 12 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 12ns | |||
![]() | IS43R16320D-5BL | 8.4157 | ![]() | 5348 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43R16320 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 190 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS42RM32400H-75BLI | 4.8188 | ![]() | 4933 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42RM32400 | Sdram - mobile | 2.3V ~ 3V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 6 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - |
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