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Mémoire (5712)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS49NLS18320A-18WBLI | 57.2059 |  | 2070 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49NLS18320A-18WBLI | 104 | 533 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 32m x 18 | Hstl | - | ||||
 | IS62WV102416DBLL-55TLI | 9.0290 | | 7208 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | IS62WV102416 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | Volatil | 16mbitons | 55 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 55ns | |||
| IS25LP080D-JNLA3-TR | 0,7291 | | 8937 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25LP080D-JNLA3-TR | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 8mbitons | 7 ns | Éclair | 1m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||
| IS25LP064D-JLLE-TR | 1.2855 | | 8073 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 2,3V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25LP064D-JLLE-TR | 4 000 | 166 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | ||||||
| IS61WV102416DALL-12BLI | 10.9618 | | 9943 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV102416DALL-12BLI | 480 | Volatil | 16mbitons | 12 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 12ns | ||||||
 | IS43LD16256C-18BPI-TR | - | | 1979 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 168-VFBGA | IS43LD16256 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43LD16256C-18BPI-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5,5 ns | Drachme | 256m x 16 | HSUL_12 | 15NS | |
 | IS61LF102418A-7.5TQ-TR | - | | 7469 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LF102418 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Volatil | 18mbitons | 7,5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | ||
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| IS46LQ32128AL-062TBLA1 | - | | 7420 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ32128AL-062TBLA1 | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 32 | Lvstl | 18n | |||||
 | IS46TR16512A-125KBLA2-TR | - | | 3683 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-LFBGA | IS46TR16512 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-LFBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR16512A-125KBLA-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | |
 | IS61VPD51236A-200B3I | - | | 6974 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61VPD51236 | Sram - Port Quad, synchrone | 2 375V ~ 2 625V | 165-PBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
 | IS42VM16800E-75BLI | - | | 9734 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42VM16800 | Sdram - mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
 | IS25CD512-JNLE-TR | - | | 9672 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | IS25CD512 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 100 MHz | Non volatile | 512kbit | Éclair | 64k x 8 | Pimenter | 5 ms | |||
| IS62WVS2568GBLL-45NLI | 2.5369 | | 4194 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Sram - synchrone | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS62WVS2568GBLL-45NLI | 100 | 45 MHz | Volatil | 2mbitons | 15 ns | Sram | 256k x 8 | Spi - quad e / o, sdi | - | ||||
 | IS62WV25616DALL-55TLI | - | | 9279 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS62WV25616 | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 4mbbitons | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
 | IS25LQ025B-JULE | - | | 5346 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UFDFN | IS25LQ025 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25LQ025B-JULETR | EAR99 | 8542.32.0071 | 5 000 | 104 MHz | Non volatile | 256kbit | 8 ns | Éclair | 32k x 8 | Spi - quad e / o | 800 µs | |
| IS46LQ32640AL-062TBLA2 | - | | 7726 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ32640AL-062TBLA2 | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 64m x 32 | Lvstl | 18n | |||||
 | IS61QDP2B21M18A-333M3L | 44.1540 | | 6117 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61QDP2 | Sram - synchrone, quadp | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 333 MHz | Volatil | 18mbitons | 8.4 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | ||
| IS46LQ32256AL-062BLA1-TR | 21.2800 | | 5942 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ32256AL-062BLA1-TR | 2 500 | 1,6 GHz | Volatil | 8 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 256m x 32 | Lvstl | 18n | |||||
| IS25LP032D-JNLE-TR | 1.2100 | | 6 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | IS25LP032 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | |||
 | IS61LF12836A-7.5B2I | - | | 3615 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 119-BBGA | IS61LF12836 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 119-PBGA (14x22) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 117 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 7,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | ||
 | IS62C256AL-25uLi-TR | 1.1969 | | 7139 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-SOIC (0,330 ", 8,38 mm de grandeur) | IS62C256 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 256kbit | 25 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 25ns | |||
 | IS42RM32400H-75BI-TR | 4.2627 | | 4630 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42RM32400 | Sdram - mobile | 2.3V ~ 3V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 6 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
| IS25LP256H-JLLE | 3.6663 | | 2675 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25LP256H-JLLE | 480 | 166 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | ||||||
| IS62WV25616EBLL-55TLI-TR | - | | 7921 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS62WV25616 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 4mbbitons | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
| IS25WP032A-JKLE | - | | 2824 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | IS25WP032 | Flash - ni | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-wson (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | |||
 | IS61NVF102418-7.5B3i-TR | - | | 3812 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61NVF102418 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | 117 MHz | Volatil | 18mbitons | 7,5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | ||
| IS42RM16800H-75BLI | 4.4684 | | 2870 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42RM16800 | Sdram - mobile | 2,3V ~ 2,7 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 6 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
 | IS42S16100H-7TL-TR | 1.0540 | | 2168 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16100 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 50-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 1 000 | 143 MHz | Volatil | 16mbitons | 5,5 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS61WV20488FBLL-8TLI | 10.1210 | | 5210 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV20488FBLL-8TLI | 135 | Volatil | 16mbitons | 8 ns | Sram | 2m x 8 | Parallèle | 8ns |
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