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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
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![]() | IS42S16160D-7TLI-TR | - | ![]() | 3533 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43LR32100C-6BL | - | ![]() | 5993 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS43LR32100 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Volatil | 32mbitons | 5,5 ns | Drachme | 1m x 32 | Parallèle | 12ns | ||
![]() | IS49RL36160-107BLI | - | ![]() | 3155 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168 LBGA | IS49RL36160 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 933 MHz | Volatil | 576mbit | 10 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61VPD51236A-200B3 | - | ![]() | 8309 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61VPD51236 | Sram - Port Quad, synchrone | 2 375V ~ 2 625V | 165-PBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS45S32400B-6BLA1 | - | ![]() | 8550 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS45S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 144 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43LD16640A-25BI-TR | - | ![]() | 1433 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 134-TFBGA | IS43LD16640 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 200 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
IS61WV25616BLL-10KLI | 4.2601 | ![]() | 8150 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61WV25616 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 10ns | ||||
IS25LP040E-JYLE-TR | 0 4500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UFDFN | IS25LP040 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25LP040E-JYLE-TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 5 000 | 104 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 8 ns | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 1,2 ms | ||
![]() | IS61LPD51236A-200B3I-TR | - | ![]() | 4751 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61LPD51236 | Sram - Port Quad, synchrone | 3.135V ~ 3 465V | 165-PBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS25LP128-JLLE-TR | 1.8341 | ![]() | 7521 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | IS25LP128 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 1 ms | |||
![]() | IS62WV2568DBLL-45HLI | - | ![]() | 9018 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand) | IS62WV2568 | Sram - asynchrone | 2,5 V ~ 3,6 V | 32-stsop I | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 234 | Volatil | 2mbitons | 45 ns | Sram | 256k x 8 | Parallèle | 45ns | |||
![]() | IS46TR16128DL-107MBLA1 | 5.6821 | ![]() | 9504 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46TR16128DL-107MBLA1 | 190 | 933 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | |||||
![]() | IS42S16320B-6BL | - | ![]() | 9188 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42S16320 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-WBGA (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 144 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61QDPB41M18A-400M3L | 44.1540 | ![]() | 9872 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61QDPB41 | Sram - synchrone, quadp | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 MHz | Volatil | 18mbitons | 8.4 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS41C16100C-50KLI | - | ![]() | 4182 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 42-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS41C16100 | DRAM - EDO | 4,5 V ~ 5,5 V | 42-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 16 | Volatil | 16mbitons | 25 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | |||
IS62WV51216BLL-55TLI-TR | 5.7395 | ![]() | 8727 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS62WV51216 | Sram - asynchrone | 2,5 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 8mbitons | 55 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 55ns | ||||
![]() | IS43QR81024A-075VBLI | 20.0067 | ![]() | 4622 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43QR81024A-075VBLI | 136 | 1 333 GHz | Volatil | 8 Gbit | 18 ns | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | 15NS | |||||
![]() | IS25WP064D-JBLA3 | 1.7082 | ![]() | 3023 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25WP064D-JBLA3 | 90 | 166 MHz | Non volatile | 64mbitons | 5,5 ns | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||
![]() | IS43TR82560CL-125KBLI | 7.0517 | ![]() | 8132 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS43TR82560 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS61NLP51236-200B3LI-TR | - | ![]() | 8308 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61NLP51236 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS66WVQ2M4DBLL-133BLI | 3.0900 | ![]() | 330 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | IS66WVQ2M4 | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS66WVQ2M4DBLL-133BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 133 MHz | Volatil | 8mbitons | Psram | 2m x 4 | Spi - quad e / o | 37,5ns | ||
![]() | IS43TR16128A-125KBL-TR | - | ![]() | 2042 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16128 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS43TR16256A-15HBI-TR | - | ![]() | 3798 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16256 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 667 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS61DDP2B42M18A-400M3L | 71.5551 | ![]() | 2910 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61DDP2 | Sram - synchrone, ddr iip | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | Volatil | 36mbitons | Sram | 2m x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | IS41LV16100B-60KL | - | ![]() | 2612 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 42-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS41LV16100 | DRAM - EDO | 3V ~ 3,6 V | 42-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 16 | Volatil | 16mbitons | 30 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | IS61C632A-6TQI-TR | - | ![]() | 9849 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61C632 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 800 | 83 MHz | Volatil | 1mbit | 6 ns | Sram | 32k x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS62WV25616DALL-55BI-TR | - | ![]() | 5435 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS62WV25616 | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 4mbbitons | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
![]() | IS42S16400D-7T-T-T-TR | - | ![]() | 2234 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS62WV5128DBLL-45QLI | - | ![]() | 9248 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-SOIC (0 445 ", 11,30 mm de grandeur) | IS62WV5128 | Sram - asynchrone | 2,3V ~ 3,6 V | 32-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 4mbbitons | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 45ns | |||
![]() | IS42VM16800E-75BI-TR | - | ![]() | 9882 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42VM16800 | Sdram - mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - |
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