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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS42SM32160E-6BI-TR	-	RFQ	8839	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42SM32160	Sdram - mobile	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS41C16105C-50TLI-TR	-	RFQ	2992	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS41C16105	Dram - FP	4,5 V ~ 5,5 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000		Volatil	16mbitons	25 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS42S16160D-6BL-TR	-	RFQ	4076	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TW-BGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42S16400D-7BI-TR	-	RFQ	4045	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS42S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	60 minibga (6,4x10.1)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	143 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS61LV632A-6TQI	-	RFQ	2857	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LV632	Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	72		Volatil	1mbit	6 ns	Sram	32k x 32	Parallèle	-
IS66WVE2M16TCLL-70BLI	3.6544	RFQ	3782	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS66WVE2M16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	32mbitons	70 ns	Psram	2m x 16	Parallèle	70ns
IS25LQ010A-JNLE	-	RFQ	5509	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LQ010	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	100	80 MHz	Non volatile	1mbit		Éclair	128k x 8	Spi - quad e / o	400 µs
IS42S86400B-7TLI-TR	-	RFQ	8811	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S86400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	64m x 8	Parallèle	-
IS42S16800F-6B-TR	-	RFQ	6455	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16800	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS42S32400B-6T	-	RFQ	2542	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108	166 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS43TR16128CL-15HBLI	6.0703	RFQ	3046	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16128	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	190	667 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS25WP064D-JBLE	1.3626	RFQ	2143	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 1,95 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25WP064D-JBLE			90	166 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	40 µs, 800 µs
IS43LR16160F-6BL	-	RFQ	9034	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43LR16160	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-TFBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	300	166 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS43R86400F-6BL-TR	5.2066	RFQ	3139	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43R86400	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS43DR81280C-3DBL	3.2589	RFQ	1965	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA	IS43DR81280	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1575	EAR99	8542.32.0032	242	333 MHz	Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS25LP064D-JKLE-TR	1.2698	RFQ	5079	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Ni (SLC)	2,3V ~ 3,6 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25LP064D-JKLE-TR			4 500	166 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	40 µs, 800 µs
IS62WV1288DBLL-45HLI	-	RFQ	2916	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand)	IS62WV1288	Sram - asynchrone	2,3V ~ 3,6 V	32-stsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	234		Volatil	1mbit	45 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	45ns
IS61LPS102418B-200B3LI-TR	15.6750	RFQ	2102	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61LPS102418	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	200 MHz	Volatil	18mbitons	3 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS61LF51236A-7.5B3LI-TR	-	RFQ	6602	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61LF51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	117 MHz	Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS43LD32320A-25BI-TR	-	RFQ	4114	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	134-TFBGA	IS43LD32320	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 200	400 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	32m x 32	Parallèle	15NS
IS42S16400J-7TL	1.8300	RFQ	7	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108	143 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS42VM16160D-8BL	-	RFQ	5027	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42VM16160	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	54-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240	125 MHz	Volatil	256mbitons	6 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS63LV1024L-10TLI	-	RFQ	5513	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS63LV1024	Sram - asynchrone	3,15 V ~ 3 45 V	32-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	117		Volatil	1mbit	10 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	10ns
IS43QR16256B-075UBLI	10.6788	RFQ	3663	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-TWBGA (7.5x13.5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43QR16256B-075ubli			198	1 333 GHz	Volatil	4 Gbit	19 ns	Drachme	256m x 16	Coffre	15NS
IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR	2.4388	RFQ	2861	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61WV12816	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	2mbitons	10 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	10ns
IS45S32400F-6BLA2-TR	9.4050	RFQ	4088	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS45S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS49NLS18320-25BI	-	RFQ	1406	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLS18320	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-FCBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	104	400 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	32m x 18	Parallèle	-
IS42RM16200D-75BI-TR	2.2500	RFQ	2497	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42RM16200	Sdram - mobile	2,3V ~ 2,7 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	133 MHz	Volatil	32mbitons	6 ns	Drachme	2m x 16	Parallèle	-
IS66Wvo32M8DALL-200BI-TR	4.4904	RFQ	2996	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA		Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS66Wvo32M8DALL-200BI-TR			2 500	200 MHz	Volatil	256mbitons		Psram	32m x 8	Spi - e / s octal	40ns
IS61NVP25636A-200TQLI-TR	12.7500	RFQ	4341	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NVP25636	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	Volatil	9mbitons	3.1 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-

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