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Mémoire (5712)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43DR16160A-3DBL-TR | - |  | 6976 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS43DR16160 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 333 MHz | Volatil | 256mbitons | 450 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | IS41C16105C-50TI | - | | 8876 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur), 44 pistes | IS41C16105 | Dram - FP | 4,5 V ~ 5,5 V | 50-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | Volatil | 16mbitons | 25 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | 84ns | |||
 | IS42S32160B-6TLI-TR | - | | 6049 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 500 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS61NLP51236-250B3I | - | | 3389 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61NLP51236 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Volatil | 18mbitons | 2.6 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
 | IS25LQ025B-JVLE | - | | 5229 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | IS25LQ025 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-VVSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25LQ025B-JVLE | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Non volatile | 256kbit | 8 ns | Éclair | 32k x 8 | Spi - quad e / o | 800 µs | |
 | IS42S86400B-7TL-TR | - | | 5611 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S86400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | - | ||
 | IS66WVH32M8DBL-100B1LI-TR | 4.4904 | | 3214 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR | 2 500 | 100 MHz | Volatil | 256mbitons | 40 ns | Psram | 32m x 8 | Parallèle | 40ns | |||||
 | IS43TR16512A-15HBL | - | | 9229 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-LFBGA | IS43TR16512 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-LFBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 667 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | IS41LV16100B-50TLI-TR | - | | 4442 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS41LV16100 | DRAM - EDO | 3V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | Volatil | 16mbitons | 25 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | |||
| IS25WX256-JHLA3-TR | 4.3800 | | 2345 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | IS25WX256 | Éclair | 1,7 V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25WX256-JHLA3-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 200 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - e / s octal | - | ||
| IS46LQ16128AL-062BLA2 | - | | 4289 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ16128AL-062BLA2 | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 16 | Lvstl | 18n | |||||
 | IS43DR81280C-3DBLI-TR | 5.1914 | | 3636 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43DR81280 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 000 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | IS61DDB42M18-250M3L | - | | 2457 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61DDB42 | Sram - Synchrones, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volatil | 36mbitons | 5,85 ns | Sram | 2m x 18 | Parallèle | - | ||
 | IS25LP016D-JMLE-TY | 0,9124 | | 8046 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25LP016D-JMLE-TY | 176 | 133 MHz | Non volatile | 16mbitons | 7 ns | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | ||||
| IS46TR16512A-15HBLA1 | - | | 3763 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-LFBGA | IS46TR16512 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-LFBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR16512A-15HBLA1 | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 667 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | |
 | IS25LP128-JKLE | 2.4700 | | 17 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | IS25LP128 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-wson (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 1 ms | |||
| IS25WP016D-JMLE-TR | 0,8263 | | 5534 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | IS25WP016 | Flash - ni | 1,65 V ~ 1,95 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | 133 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 800 µs | |||
 | IS42S32800D-75EBI | - | | 5644 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS43R16160F-5BI | - | | 7722 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43R16160 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43R16160F-5BI | OBSOLÈTE | 242 | 200 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS61LV6416-10TLI | - | | 8079 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61LV6416 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | Volatil | 1mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 10ns | |||
| IS42S83200B-6TL-TR | - | | 8749 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S83200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | - | ||
| IS64WV10248BLL-10CTLA3 | 16.3574 | | 8250 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS64WV10248 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatil | 8mbitons | 10 ns | Sram | 1m x 8 | Parallèle | 10ns | |||
| IS42S16160D-6TLI | - | | 2431 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | ||
 | IS49NLS18160-33BL | - | | 3139 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLS18160 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 16m x 18 | Parallèle | - | ||
| IS42S32800D-75EB-TR | - | | 8429 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
| IS45S16160G-7TLA1 | 5.8571 | | 3614 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS45S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS62WV25616DBLL-55TLI-TR | - | | 6064 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS62WV25616 | Sram - asynchrone | 2,3V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 4mbbitons | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
| IS42S16320B-75ETLI-TR | - | | 9989 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16320 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 500 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 5,5 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS25WX128-JHLE-TR | 3.1230 | | 8705 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | IS25WX128 | Éclair | 1,7 V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25WX128-JHLE-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 200 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - e / s octal | - | ||
| IS61LPS102418B-200B3LI | 16.3574 | | 1593 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61LPS102418 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - |
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