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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS43TR16640CL-107MBI-TR	3.4391	RFQ	3194	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16640	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43TR16640CL-107MBI-TR	EAR99	8542.32.0032	1 500	933 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS45S16800B-7TLA1-TR	-	RFQ	7639	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16800	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS25WP064D-JKLE	1.3884	RFQ	1154	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 1,95 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25WP064D-JKLE			570	166 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	40 µs, 800 µs
IS61LF51236A-7.5B3LI-TR	-	RFQ	6602	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61LF51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	117 MHz	Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS61LF51236B-6.5TQLI-TR	15h0000	RFQ	6413	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LF51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	133 MHz	Volatil	18mbitons	6.5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS61LPD51236A-200TQLI	22.7346	RFQ	4609	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LPD51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	Volatil	18mbitons	3.1 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS42S32160F-75ETLI	13.9336	RFQ	4764	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	108	133 MHz	Volatil	512mbitons	6 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS43DR16128A-3DBLI-TR	-	RFQ	6618	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	84-LFBGA	IS43DR16128	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-LFBGA (10,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	333 MHz	Volatil	2 gbit	450 PS	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS62WV1288FALD-55BLI	-	RFQ	3427	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-TFBGA	IS62WV1288	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	36-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	156		Volatil	1mbit	55 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	45ns
IS43TR16128B-093NBI-TR	-	RFQ	5891	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16128	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43TR16128B-093NBI-TR	EAR99	8542.32.0036	1 500	1 066 GHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS25LQ032B-JKLE-TR	-	RFQ	8201	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25LQ032	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 500	104 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o	1 ms
IS43TR16512S2DL-107MBL	20.5636	RFQ	3836	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-LFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-LWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43TR16512S2DL-107MBL			190	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
IS42S32160B-75BLI	-	RFQ	2177	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-LFBGA	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-LFBGA (13x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	144	133 MHz	Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS61LF25636B-7.5TQLI	13.7940	RFQ	9496	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LF25636	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	Volatil	9mbitons	7,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
IS61WV25616FBLL-10TLI-TR	2.7265	RFQ	8170	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS61WV25616FBLL-10TLI-TR			1 000		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	10ns
IS61NVP204836B-2000TTQLI-TR	103.7400	RFQ	6710	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRA - MZBT	2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS61NVP204836B-2000TQLI-TR			800	200 MHz	Volatil	72mbitons	3.1 ns	Sram	2m x 36	Parallèle	-
IS62WV25616ECLL-35BI-TR	3.6351	RFQ	1562	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA		Sram - asynchrone	3.135V ~ 3 465V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS62WV25616ECLL-35BI-TR			2 500		Volatil	4mbbitons	35 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	35ns
IS61NVP51236B-200B3I	-	RFQ	8705	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NVP51236	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	Volatil	18mbitons	3 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS42S16800D-6B-TR	-	RFQ	3335	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	IS42S16800	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-Minibga (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS46TR16128C-125KBLA25	7.0633	RFQ	4324	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 115 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46TR16128C-125KBLA25			190	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS43TR16256AL-107MBL-TR	-	RFQ	2524	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16256	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	933 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS62WV10248DBLL-55MLI	-	RFQ	5961	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS62WV10248	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-Minibga (9x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	210		Volatil	8mbitons	55 ns	Sram	1m x 8	Parallèle	55ns
IS61LV5128AL-10BI-TR	-	RFQ	9719	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-TFBGA	IS61LV5128	Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	36-MINIBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	10ns
IS61C632A-7TQ-TR	-	RFQ	6764	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61C632	Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	800	75 MHz	Volatil	1mbit	7 ns	Sram	32k x 32	Parallèle	-
IS42S32200E-6B	-	RFQ	1467	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240	166 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS45S16400F-6BLA1-T-T-TR	-	RFQ	3125	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS45S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS42VM16320E-6BLI	8.6117	RFQ	6990	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42VM16320	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	348	166 MHz	Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS42S32200C1-7TLI	-	RFQ	6228	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32200	Sdram	3,15 V ~ 3 45 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108	143 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS43TR16256BL-107MBL	10.3400	RFQ	1	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16256	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1729	EAR99	8542.32.0036	190	933 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS65LV256AL-45TLA3	2.9235	RFQ	4747	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur)	IS65LV256	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	28-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	234		Volatil	256kbit	45 ns	Sram	32k x 8	Parallèle	45ns

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