SIC
close
Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fréquence d'Horloge Type de Mémoire Taille de la Mémoire Heure d'accès Format de Mémoire Organisation de Mémoire Interface de Mémoire Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS25LQ020B-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JKLE -
RFQ
ECAD 4005 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface Pad Exposé 8-WDFN IS25LQ020 Flash - ni 2,3V ~ 3,6 V 8-wson (6x5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-1318 EAR99 8542.32.0071 570 104 MHz Non volatile 2mbitons Éclair 256k x 8 Spi - quad e / o 800 µs
IS25WP016D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016D-JBLE 1.0900
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) IS25WP016 Flash - ni 1,65 V ~ 1,95 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 90 133 MHz Non volatile 16mbitons Éclair 2m x 8 Spi - quad e / o, qpi, dtr 800 µs
IS46TR16128BL-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128BL-15HBLA1-T-T-TR -
RFQ
ECAD 3363 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS46TR16128 Sdram - ddr3l 1 283V ~ 1 45 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0036 1 500 667 MHz Volatil 2 gbit 20 ns Drachme 128m x 16 Parallèle 15NS
IS25WD020-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD020-JKLE -
RFQ
ECAD 2234 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - En gros Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface Pad Exposé 8-WDFN IS25WD020 Flash - ni 1,65 V ~ 1,95 V 8-wson (6x5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 100 80 MHz Non volatile 2mbitons Éclair 256k x 8 Pimenter 3 ms
IS46LQ16256A-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062TBLA1-T-T-TR 12.8611
RFQ
ECAD 9186 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 200-TFBGA SDRAM - MOBILE LPDDR4 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V 200-TFBGA (10x14,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 706-IS46LQ16256A-062TBLA1-TR 2 500 1,6 GHz Volatil 4 Gbit Drachme 256m x 16 Lvstl -
IS45S16800E-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-6BLA1 -
RFQ
ECAD 3346 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 54-TFBGA IS45S16800 Sdram 3V ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 348 166 MHz Volatil 128mbitons 5.4 ns Drachme 8m x 16 Parallèle -
IS46LQ16128AL-062TBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062TBLA2 11.6916
RFQ
ECAD 6895 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 En gros Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Support de surface 200-TFBGA Sdram - mobile lpddr4x 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V 200-TFBGA (10x14,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 706-IS46LQ16128AL-062TBLA2 136 1,6 GHz Volatil 2 gbit 3,5 ns Drachme 128m x 16 Lvstl 18n
IS61QDB21M18A-250B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB21M18A-250B4LI 32.3796
RFQ
ECAD 1025 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 165 LBGA IS61QDB21 Sram - synchrone, quad 1,71 V ~ 1,89 V 165-LFBGA (13x15) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz Volatil 18mbitons Sram 1m x 18 Parallèle -
IS43TR16512A-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512A-125KBLI -
RFQ
ECAD 7593 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-LFBGA IS43TR16512 Sdram - ddr3 1 425V ~ 1 575 V 96-LFBGA (10x14) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-1460 EAR99 8542.32.0036 136 800 MHz Volatil 8 Gbit 20 ns Drachme 512m x 16 Parallèle 15NS
IS65WV25616DBLL-45CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV25616DBLL-45CTLA1-TR -
RFQ
ECAD 3316 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS65WV25616 Sram - asynchrone 2,3V ~ 3,6 V 44-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 1 Volatil 4mbbitons 45 ns Sram 256k x 16 Parallèle 45ns
IS43TR81280BL-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280BL-125JBLI -
RFQ
ECAD 6041 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 78-TFBGA IS43TR81280 Sdram - ddr3l 1 283V ~ 1 45 V 78-TWBGA (8x10,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0032 242 800 MHz Volatil 1 gbit 20 ns Drachme 128m x 8 Parallèle 15NS
IS43TR82560C-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560C-15HBL-TR 5.2507
RFQ
ECAD 6806 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 78-TFBGA IS43TR82560 Sdram - ddr3 1 425V ~ 1 575 V 78-TWBGA (8x10,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0036 2 000 667 MHz Volatil 2 gbit 20 ns Drachme 256m x 8 Parallèle 15NS
IS42S32200E-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-6TL -
RFQ
ECAD 1565 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS42S32200 Sdram 3V ~ 3,6 V 86-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 108 166 MHz Volatil 64mbitons 5,5 ns Drachme 2m x 32 Parallèle -
IS43TR16256AL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-107MBLI -
RFQ
ECAD 9552 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS43TR16256 Sdram - ddr3l 1 283V ~ 1 45 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0036 190 933 MHz Volatil 4 Gbit 20 ns Drachme 256m x 16 Parallèle 15NS
IS45S32400E-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400E-7TLA1-T-T-TR -
RFQ
ECAD 6883 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS45S32400 Sdram 3V ~ 3,6 V 86-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 1 500 143 MHz Volatil 128mbitons 5.4 ns Drachme 4m x 32 Parallèle -
IS61LPS25636A-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200B3LI 15.5879
RFQ
ECAD 6279 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 165-TBGA IS61LPS25636 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 165-TFBGA (13x15) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz Volatil 9mbitons 3.1 ns Sram 256k x 36 Parallèle -
IS49NLC36160-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160-25BLI -
RFQ
ECAD 7267 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 144-TFBGA IS49NLC36160 Rldram 2 1,7 V ~ 1,9 V 144-FCBGA (11x18,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0032 104 400 MHz Volatil 576mbit 20 ns Drachme 16m x 36 Parallèle -
IS49NLS18160-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-33BL -
RFQ
ECAD 3139 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 144-TFBGA IS49NLS18160 Rldram 2 1,7 V ~ 1,9 V 144-FCBGA (11x18,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 104 300 MHz Volatil 288mbitons 20 ns Drachme 16m x 18 Parallèle -
IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16BLL-55BI-TR -
RFQ
ECAD 1365 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-TFBGA IS66WVE1M16 Psram (pseudo sram) 2,7 V ~ 3,6 V 48-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0041 2 500 Volatil 16mbitons 55 ns Psram 1m x 16 Parallèle 55ns
IS42S16800E-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-7TL-TR -
RFQ
ECAD 8152 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) IS42S16800 Sdram 3V ~ 3,6 V 54-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 1 500 143 MHz Volatil 128mbitons 5.4 ns Drachme 8m x 16 Parallèle -
IS61NLP102418-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200B3I-TR -
RFQ
ECAD 4504 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 165-TBGA IS61NLP102418 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 165-TFBGA (13x15) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 2 000 200 MHz Volatil 18mbitons 3.1 ns Sram 1m x 18 Parallèle -
IS61WV25616BLL-10TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLL-10TL-TR 2.8125
RFQ
ECAD 9329 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS61WV25616 Sram - asynchrone 2,4 V ~ 3,6 V 44-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 1 000 Volatil 4mbbitons 10 ns Sram 256k x 16 Parallèle 10ns
IS61LPS409618B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is61lps409618b-200tqli 119.2125
RFQ
ECAD 9986 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP IS61LPS409618 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 100 LQFP (14x20) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz Volatil 72mbitons 3.1 ns Sram 4m x 18 Parallèle -
IS61QDPB42M36A1-550B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A1-550B4L -
RFQ
ECAD 6182 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 165 LBGA IS61QDPB42 Sram - Port Quad, synchrone 1,71 V ~ 1,89 V 165-LFBGA (13x15) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 105 550 MHz Volatil 72mbitons Sram 2m x 36 Parallèle -
IS46TR16512BL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512BL-125KBLA1 22.9715
RFQ
ECAD 1989 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 En gros Actif -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA Sdram - ddr3l 1 283V ~ 1 45 V 96-TWBGA (10x14) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 706-IS46TR16512BL-125KBLA1 136 800 MHz Volatil 8 Gbit 20 ns Drachme 512m x 16 Parallèle 15NS
IS25LP032D-JBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JBLA3-TR 1.1438
RFQ
ECAD 7180 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) Flash - Ni (SLC) 2,3V ~ 3,6 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 706-IS25LP032D-JBLA3-TR 2 000 133 MHz Non volatile 32mbitons 7 ns Éclair 4m x 8 Spi - quad e / o, qpi, dtr 40 µs, 800 µs
IS61QDPB42M36A1-500M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A1-500M3LI 117.1779
RFQ
ECAD 6457 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 165 LBGA IS61QDPB42 Sram - synchrone, quadp 1,71 V ~ 1,89 V 165-LFBGA (15x17) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 105 500 MHz Volatil 72mbitons 8.4 ns Sram 2m x 36 Parallèle -
IS43TR16640B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-125KBLI -
RFQ
ECAD 5613 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS43TR16640 Sdram - ddr3 1 425V ~ 1 575 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0032 190 800 MHz Volatil 1 gbit 20 ns Drachme 64m x 16 Parallèle 15NS
IS61WV102416EDBLL-10B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDBLL-10B2LI-TR 12.3750
RFQ
ECAD 7675 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-TFBGA IS61WV102416 Sram - asynchrone 2,4 V ~ 3,6 V 48-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 2 500 Volatil 16mbitons 10 ns Sram 1m x 16 Parallèle 10ns
IS61VPS51236B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236B-200TQLI 17.2425
RFQ
ECAD 5263 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP IS61VPS51236 Sram - synchrone, d. 2 375V ~ 2 625V 100 LQFP (14x20) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz Volatil 18mbitons 3 ns Sram 512k x 36 Parallèle -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock