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Mémoire (5712)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42S32800B-7TL | - |  | 3731 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS42RM32800D-75BLI | - | | 9542 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42RM32800 | Sdram - mobile | 2.3V ~ 3V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS25LQ016B-JMLE-TR | - | | 1884 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | IS25LQ016 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | 104 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | 1 ms | |||
 | IS65LV256AL-45TLA3-TR | 2.7498 | | 9124 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur) | IS65LV256 | Sram - asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 28-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 256kbit | 45 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 45ns | |||
| IS42S32160F-6TLI | 13.0430 | | 3253 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS61NVP25672-200B1-T-T-TR | - | | 5011 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 209-BGA | IS61NVP25672 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 209-LFBGA (14x22) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.1 ns | Sram | 256k x 72 | Parallèle | - | ||
| IS62C5128EL-45QLI | 3.5516 | | 7679 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-SOIC (0 445 ", 11,30 mm de grandeur) | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-SOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS62C5128EL-45QLI | 84 | Volatil | 4mbbitons | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 45ns | ||||||
 | IS61LPS51218A-200TQLI | 15.4275 | | 7502 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LPS51218 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatil | 9mbitons | 3.1 ns | Sram | 512k x 18 | Parallèle | - | ||
| IS61NVP204836B-166TQLI-TR | - | | 4627 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61NVP204836 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 166 MHz | Volatil | 72mbitons | 3,8 ns | Sram | 2m x 36 | Parallèle | - | ||
 | IS62WV12816EALL-55BLI | 2.7843 | | 5817 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS62WV12816 | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatil | 2mbitons | 45 ns | Sram | 128k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
| IS43LQ32640A-062BLI | - | | 5086 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LQ32640A-062BLI | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 64m x 32 | Lvstl | 18n | |||||
| IS61NVP51236-200TQLI | - | | 7240 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61NVP51236 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
 | IS61WV102416FBLL-8TLI-TR | 10.0200 | | 4794 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | IS61WV102416 | Sram - double port, asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 500 | Volatil | 16mbitons | 8 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 8ns | |||
| IS34ML04G084-TLI-TR | 8.4321 | | 8452 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | IS34ML04 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 4 Gbit | 25 ns | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | 25ns | |||
| IS43DR16320E-3DBL-TR | 2.2990 | | 1458 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43DR16320E-3DBL-TR | 2 500 | 333 MHz | Volatil | 512mbitons | 450 PS | Drachme | 32m x 16 | Sstl_18 | 15NS | |||||
 | IS43R16160D-6TLI-TR | 3 5735 | | 2990 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS43R16160 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | IS46TR16128BL-125KBLA2 | - | | 5323 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16128 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | IS45S16400F-6TLA1-TR | - | | 1528 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS45S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 166 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | ||
 | IS43TR82560C-15HBL | 5.8712 | | 6958 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS43TR82560 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 667 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| IS43R16800E-6TLI-TR | 2.3378 | | 3767 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS43R16800 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 700 PS | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | 12ns | ||
| IS42S32800J-6BL-TR | 5.4750 | | 7114 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS46LD32320A-3BPLA2-TR | - | | 4982 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 168-VFBGA | IS46LD32320 | SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 200 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
| IS43TR16640BL-125JBLI-TR | - | | 8705 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16640 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 500 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS45S16320D-7CTLA1-T-T-TR | 19.6500 | | 1567 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS45S16320 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS42S86400F-7TL | 11.5000 | | 1564 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S86400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | - | ||
 | IS45S16800E-7BLA1 | - | | 2010 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS45S16800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS43TR82560D-107MBL-TR | 4.0485 | | 7575 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43TR82560D-107MBL-TR | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | |||||
| IS49RL36320-093EBL | 117.8521 | | 1477 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 LBGA | Rldram 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49RL36320-093EBL | 119 | 1 066 GHz | Volatil | 1 152 gbit | 8 ns | Drachme | 32m x 36 | Parallèle | - | ||||
| IS43TR16256A-125KBL | - | | 3788 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16256 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | IS25LQ016-JNLE | - | | 6488 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | IS25LQ016 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | 2 ms |
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