SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fréquence d'Horloge Type de Mémoire Taille de la Mémoire Heure d'accès Format de Mémoire Organisation de Mémoire Interface de Mémoire Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR -
RFQ
ECAD 4730 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 54-VFBGA IS66WVC2M16 Psram (pseudo sram) 1,7 V ~ 1,95 V 54-VFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0041 2 500 Volatil 32mbitons 70 ns Psram 2m x 16 Parallèle 70ns
IS49NLS18160-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-33BI -
RFQ
ECAD 4395 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 144-TFBGA IS49NLS18160 Rldram 2 1,7 V ~ 1,9 V 144-FCBGA (11x18,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 104 300 MHz Volatil 288mbitons 20 ns Drachme 16m x 18 Parallèle -
IS43LD32640B-25BPL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-25BPL-TR -
RFQ
ECAD 7471 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Acheter la Dernière -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Support de surface 168-VFBGA IS43LD32640 SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 1,14 V ~ 1,95 V 168-VFBGA (12x12) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0036 1 500 400 MHz Volatil 2 gbit Drachme 64m x 32 Parallèle 15NS
IS43TR16256A-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-15HBL -
RFQ
ECAD 4742 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS43TR16256 Sdram - ddr3 1 425V ~ 1 575 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0036 190 667 MHz Volatil 4 Gbit 20 ns Drachme 256m x 16 Parallèle 15NS
IS61LV12816L-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10BLI -
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ECAD 8205 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-TFBGA IS61LV12816 Sram - asynchrone 3.135V ~ 3,6 V 48-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 480 Volatil 2mbitons 10 ns Sram 128k x 16 Parallèle 10ns
IS61LF25636A-7.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF25636A-7.5TQI -
RFQ
ECAD 6861 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP IS61LF25636 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3,6 V 100 LQFP (14x20) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz Volatil 9mbitons 7,5 ns Sram 256k x 36 Parallèle -
IS43R16800C-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800C-5TL -
RFQ
ECAD 4593 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS43R16800 Sdram - ddr 2,3V ~ 2,7 V 66-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 108 200 MHz Volatil 128mbitons 700 PS Drachme 8m x 16 Parallèle 15NS
IS43TR82560B-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-15HBL-TR -
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ECAD 7054 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 78-TFBGA IS43TR82560 Sdram - ddr3 1 425V ~ 1 575 V 78-TWBGA (8x10,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0036 2 000 667 MHz Volatil 2 gbit 20 ns Drachme 256m x 8 Parallèle 15NS
IS61LPS25636A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200TQI-TR -
RFQ
ECAD 8430 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP IS61LPS25636 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 100 LQFP (14x20) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz Volatil 9mbitons 3.1 ns Sram 256k x 36 Parallèle -
IS61LPS25636A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200TQLI 16.0200
RFQ
ECAD 22 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP IS61LPS25636 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 100 LQFP (14x20) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz Volatil 9mbitons 3.1 ns Sram 256k x 36 Parallèle -
IS43LD16640C-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640C-18BLI 8.9643
RFQ
ECAD 9185 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 134-TFBGA IS43LD16640 SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 1,14 V ~ 1,95 V 134-TFBGA (10x11,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0032 171 533 MHz Volatil 1 gbit Drachme 64m x 16 Parallèle 15NS
IS43TR85120AL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120AL-125KBL -
RFQ
ECAD 9218 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 78-TFBGA IS43TR85120 Sdram - ddr3l 1 283V ~ 1 45 V 78-TWBGA (9x10,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0036 220 800 MHz Volatil 4 Gbit 20 ns Drachme 512m x 8 Parallèle 15NS
IS25WQ080-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ080-JBLE -
RFQ
ECAD 9031 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - En gros Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) IS25WQ080 Flash - ni 1,65 V ~ 1,95 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 90 104 MHz Non volatile 8mbitons Éclair 1m x 8 Pimenter 700 µs
IS25LP256D-RGLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-RGLE -
RFQ
ECAD 4994 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 24 TBGA IS25LP256 Flash - ni 2,3V ~ 3,6 V 24-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz Non volatile 256mbitons 7 ns Éclair 32m x 8 En série 800 µs
IS43LD16256A-25BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16256A-25BPLI -
RFQ
ECAD 6083 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Support de surface 168-VFBGA IS43LD16256 SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS43LD16256A-25BPLI OBSOLÈTE 1 400 MHz Volatil 4 Gbit 5,5 ns Drachme 256m x 16 HSUL_12 15NS
IS63LV1024-10J-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-10J-TR -
RFQ
ECAD 4712 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm de grandeur) IS63LV1024 Sram - asynchrone 3V ~ 3,6 V 32-soj télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2B 8542.32.0041 1 000 Volatil 1mbit 10 ns Sram 128k x 8 Parallèle 10ns
IS45S16400J-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-7BLA1 3.9737
RFQ
ECAD 9479 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 54-TFBGA IS45S16400 Sdram 3V ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 348 143 MHz Volatil 64mbitons 5.4 ns Drachme 4m x 16 Parallèle -
IS66WVE2M16ECLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16ECLL-70BLI 4.8100
RFQ
ECAD 410 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-TFBGA IS66WVE2M16 Psram (pseudo sram) 1,7 V ~ 1,95 V 48-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 480 Volatil 32mbitons 70 ns Psram 2m x 16 Parallèle 70ns
IS25CD010-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD010-JNLE -
RFQ
ECAD 2931 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Tube Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) IS25CD010 Éclair 2,7 V ~ 3,6 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 100 100 MHz Non volatile 1mbit Éclair 128k x 8 Pimenter 5 ms
IS61WV3216DBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is61wv3216dbll-10tli-tr 2.3210
RFQ
ECAD 2206 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS61WV3216 Sram - asynchrone 2,4 V ~ 3,6 V 44-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0041 1 000 Volatil 512kbit 10 ns Sram 32k x 16 Parallèle 10ns
IS66WV51216EBLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EBLL-55TLI 3.2200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS66WV51216 Psram (pseudo sram) 2,5 V ~ 3,6 V 44-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 135 Volatil 8mbitons 55 ns Psram 512k x 16 Parallèle 55ns
IS61LF51236A-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B3I -
RFQ
ECAD 3329 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 165-TBGA IS61LF51236 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 165-TFBGA (13x15) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz Volatil 18mbitons 6.5 ns Sram 512k x 36 Parallèle -
IS61LPS51236A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-200TQLI -
RFQ
ECAD 5288 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP IS61LPS51236 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3 465V 100 LQFP (14x20) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz Volatil 18mbitons 3.1 ns Sram 512k x 36 Parallèle -
IS43TR16640B-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-107MBL-TR -
RFQ
ECAD 2094 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA IS43TR16640 Sdram - ddr3 1 425V ~ 1 575 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0032 1 500 933 MHz Volatil 1 gbit 20 ns Drachme 64m x 16 Parallèle 15NS
IS62WVS1288GBLL-45NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS1288GBLL-45NLI 2.3425
RFQ
ECAD 4054 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) IS62WVS1288 Sram - synchrone 2,7 V ~ 3,6 V 8-SOIC - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS62WVS1288GBLL-45NLI 100 45 MHz Volatil 1mbit 15 ns Sram 128k x 8 Spi - quad e / o, sdi -
IS41LV16105B-60TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-60TL-TR -
RFQ
ECAD 3526 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS41LV16105 Dram - FP 3V ~ 3,6 V 44-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 1 000 Volatil 16mbitons 30 ns Drachme 1m x 16 Parallèle -
IS42S32800B-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6BL-TR -
RFQ
ECAD 5670 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3V ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 2 500 166 MHz Volatil 256mbitons 5,5 ns Drachme 8m x 32 Parallèle -
IS62WV2568FBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568FBLL-45TLI 1.6913
RFQ
ECAD 9471 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) Sram - asynchrone 2.2V ~ 3,6 V 32-tsop i télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 706-IS62WV2568FBLL-45TLI 156 Volatil 2mbitons 45 ns Sram 256k x 8 Parallèle 45ns
IS45S16800E-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-7BLA1-T-T-TR -
RFQ
ECAD 6256 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 54-TFBGA IS45S16800 Sdram 3V ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 2 500 143 MHz Volatil 128mbitons 5.4 ns Drachme 8m x 16 Parallèle -
IS61WV51216EEBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEBLL-10TLI 7.7827
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ECAD 4720 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS61WV51216 Sram - asynchrone 2,4 V ~ 3,6 V 44-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 135 Volatil 8mbitons 10 ns Sram 512k x 16 Parallèle 10ns
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