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Mémoire (5712)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61LF51236A-6.5B2LI-TR | - |  | 2674 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 119-BBGA | IS61LF51236 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 119-PBGA (14x22) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 18mbitons | 6.5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
 | IS42S32200L-7BL | 4.0459 | | 6373 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS45S16320F-7CTLA1-T-T-TR | 12.6600 | | 8231 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS45S16320 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||
 | IS25LX128-JHLA3 | 3.7731 | | 4997 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | IS25LX128 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25LX128-JHLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - e / s octal | - | ||
| IS62WV5128EALL-55T2LI | - | | 1680 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS62WV5128 | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 32-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 4mbbitons | 55 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 55ns | |||
| IS43TR81024B-107MBL | 21.5163 | | 4465 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43TR81024B-107MBL | 136 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | 15NS | |||||
| IS61WV25616FBLL-10TLI-TR | 2.7265 | | 8170 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV25616FBLL-10TLI-TR | 1 000 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 10ns | ||||||
 | IS42S16800D-75EBL-TR | - | | 9882 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | IS42S16800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-Minibga (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 6.5 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
 | IS64LV51216-12TLA3-TR | - | | 2138 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS64LV51216 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 8mbitons | 12 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 12ns | |||
| IS42S16160D-6TLI | - | | 2431 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS42RM32400G-75BI | - | | 9126 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42RM32400 | Sdram - mobile | 2,3V ~ 2,7 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 6 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
| IS45S16400J-7CTLA2-TR | 4.2943 | | 1028 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS45S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS43LR32400G-6BL | 4.5560 | | 5853 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS43LR32400 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5,5 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
 | IS46R16160D-6BLA1 | 6.8591 | | 5634 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS46R16160 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 190 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | IS61WV5128BLL-10BI-TR | - | | 7894 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 36-TFBGA | IS61WV5128 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 10ns | |||
 | IS62WV5128DBLL-45TLI | - | | 7184 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand) | IS62WV5128 | Sram - asynchrone | 2,3V ~ 3,6 V | 32-tsop I | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 156 | Volatil | 4mbbitons | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 45ns | |||
| IS42VM32160D-6BLI | - | | 7358 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42VM32160 | Sdram - mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS61VF102418A-7.5B3I-TR | - | | 4854 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61VF102418 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | 117 MHz | Volatil | 18mbitons | 7,5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | ||
 | IS43R86400F-6BL-TR | 5.2066 | | 3139 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43R86400 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | IS49NLC36800-33WBLI | - | | 9373 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLC36800 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 8m x 36 | Parallèle | - | ||
 | IS62WV25616BLL-55BI-TR | - | | 7966 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS62WV25616 | Sram - asynchrone | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 4mbbitons | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
| IS64WV6416BLL-15BLA3-TR | 4.0648 | | 8144 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS64WV6416 | Sram - asynchrone | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 1mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 15NS | |||
| IS43LR32100C-6BL | - | | 5993 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS43LR32100 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Volatil | 32mbitons | 5,5 ns | Drachme | 1m x 32 | Parallèle | 12ns | ||
 | IS46TR16640A-15GBLA2-TR | - | | 8407 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16640 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 500 | 667 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS42S16320B-7TLI-TR | - | | 7604 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16320 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||
 | IS42S32400B-7TI-TR | - | | 8116 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
| IS42VM32160E-75BLI | 9.1192 | | 1440 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42VM32160 | Sdram - mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 6 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS43TR16512AL-15HBL | 20.9281 | | 6613 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-LFBGA | IS43TR16512 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-LFBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 667 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS61WV51216EDALL-20TLI-TR | 11.5500 | | 5307 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61WV51216 | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 8mbitons | 20 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 20ns | |||
| IS42S32800G-7BI | - | | 5951 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - |
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