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Mémoire (5712)

Image	Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	ECAD	Quantité disponible	Poids (kg)	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
	IS62WV1288BLL-55TI-TR	-	RFQ		8508	0,00000000	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS62WV1288	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	32-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	1 500		Volatil	1mbit	55 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	55ns
	IS43DR16160A-3DBI	-	RFQ		1226	0,00000000	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16160	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	209	333 MHz	Volatil	256mbitons	450 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
	IS42S32160B-6BI-TR	-	RFQ		6454	0,00000000	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-WBGA (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 000	166 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
	IS41LV16100B-50TLI-TR	-	RFQ		4442	0,00000000	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS41LV16100	DRAM - EDO	3V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000		Volatil	16mbitons	25 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
	IS43TR16256AL-15HBL	-	RFQ		9963	0,00000000	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16256	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	190	667 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
	IS43TR82560D-107MBL	4.6106	RFQ		6114	0,00000000	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif				IS43TR82560				télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	Q12358570	EAR99	8542.32.0036	242
	IS43QR85120B-083RBLI	10.6342	RFQ		8798	0,00000000	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-TWBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43QR85120B-083RBLI			136	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit	19 ns	Drachme	512m x 8	Coffre	15NS
	IS61WV25616EDBLL-10BLI	4.2400	RFQ		480	0,00000000	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS61WV25616	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	10ns
	IS61LPS51218A-200TQI	-	RFQ		5332	0,00000000	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LPS51218	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	Volatil	9mbitons	3.1 ns	Sram	512k x 18	Parallèle	-
	IS42S32200C1-7BLI	-	RFQ		2181	0,00000000	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-LFBGA	IS42S32200	Sdram	3,15 V ~ 3 45 V	90-BGA (13x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240	143 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
	IS45S16320D-7TLA1-T-T-TR	18.1050	RFQ		1079	0,00000000	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 500	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
	IS25LP256D-JLLE	5.1400	RFQ		11	0,00000000	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25LP256	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-WSON (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs

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