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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS61C1024AL-12TLI	2.6100	RFQ	1	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS61C1024	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	32-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	156		Volatil	1mbit	12 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	12ns
IS45S32200E-7BLA1	-	RFQ	4885	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS45S32200	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240	143 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS61QDB24M18A-300M3L	74.4172	RFQ	7675	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDB24	Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	300 MHz	Volatil	72mbitons	1,48 ns	Sram	4m x 18	Parallèle	-
IS42S32400B-6T-T-T-TR	-	RFQ	8887	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500	166 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS45S16320F-7CTLA2-TR	15.8250	RFQ	4192	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS61NVF51236B-6.5B3LI	17.0617	RFQ	5245	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NVF51236	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	Volatil	18mbitons	6.5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS62WV10248BLL-55BI-TR	6.1800	RFQ	5950	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS62WV10248	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	48-Minibga (7.2x8.7)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	8mbitons	55 ns	Sram	1m x 8	Parallèle	55ns
IS46QR81024A-083TBLA2	21.5457	RFQ	5636	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-TWBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46QR81024A-083TBLA2			136	1,2 GHz	Volatil	8 Gbit	18 ns	Drachme	1g x 8	Parallèle	15NS
IS61WV6416EEBLL-10BLI	1.6819	RFQ	6894	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS61WV6416	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	480		Volatil	1mbit	10 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	10ns
IS49NLC36800-25WBL	-	RFQ	2041	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC36800	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	104	400 MHz	Volatil	288mbitons	15 ns	Drachme	8m x 36	Parallèle	-
IS46TR16256BL-107MBLA1	8.9696	RFQ	8044	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46TR16256BL-107MBLA1			190	933 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS61VPS102418B-250TQL-TR	14.7000	RFQ	7303	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61VPS102418	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	250 MHz	Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS61DDB42M18A-2550M3L	-	RFQ	3421	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61DDB42	Sram - Synchrones, DDR II	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0002	105	250 MHz	Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS42S83200J-6TLI	3.4679	RFQ	6835	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S83200	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	-
IS43LD16128B-18BL-TR	9.8250	RFQ	8087	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-TFBGA	IS43LD16128	SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	533 MHz	Volatil	2 gbit		Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS46LD32128C-18BPLA1-T-T-TR	-	RFQ	1891	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	168-VFBGA	IS46LD32128	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V	168-VFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46LD32128C-18BPLA1-T-T-TR	EAR99	8542.32.0036	1	533 MHz	Volatil	4 Gbit	5,5 ns	Drachme	128m x 32	HSUL_12	15NS
IS65WV12816BLL-55BLA3-TR	4.3388	RFQ	3087	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS65WV12816	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	2mbitons	55 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	55ns
IS61LF6436A-8.5TQI-TR	-	RFQ	4289	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LF6436	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	90 MHz	Volatil	2mbitons	8,5 ns	Sram	64k x 36	Parallèle	-
IS42S86400D-7TLI	14.1882	RFQ	2540	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S86400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	108	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	64m x 8	Parallèle	-
IS61QDB21M36-250M3	-	RFQ	2396	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDB21	Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	Volatil	36mbitons	7,5 ns	Sram	1m x 36	Parallèle	-
IS61VPS51236A-250B3	-	RFQ	4919	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61VPS51236	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-PBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS42S32160B-75ETLI-TR	-	RFQ	3126	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500	133 MHz	Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS61QDPB22M18A-333M3L	71.5551	RFQ	8467	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDPB22	Sram - synchrone, quadp	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	333 MHz	Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS39LV040-70VCE	-	RFQ	7245	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0 488 ", 12,40 mm de grand)	IS39LV040	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	32-VSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	208		Non volatile	4mbbitons	70 ns	Éclair	512k x 8	Parallèle	70ns
IS42S16800E-6BLI	-	RFQ	8323	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16800	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	348	166 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS61NVF25672-6.5B1	-	RFQ	6228	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	209-BGA	IS61NVF25672	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	209-LFBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	84	133 MHz	Volatil	18mbitons	6.5 ns	Sram	256k x 72	Parallèle	-
IS61DDP2B21M18A-400M3L	44.1540	RFQ	4556	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61DDP2	Sram - synchrone, ddr iip	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0002	105	400 MHz	Volatil	18mbitons		Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS64WV25616EDBLL-10BLA3	8.2210	RFQ	6254	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS64WV25616	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	10ns
IS61LF51236A-6.5B2I-TR	-	RFQ	1420	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	119-BBGA	IS61LF51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	119-PBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000	133 MHz	Volatil	18mbitons	6.5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS62C25616EL-45TLI-TR	3.4742	RFQ	3497	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62C25616	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	45ns

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