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Mémoire (5712)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS46TR81280CL-125JBLA2 | - |  | 6776 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS46TR81280 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR81280CL-125JBLA2 | EAR99 | 8542.32.0032 | 136 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | |
 | IS49NLC96400-25B | - | | 1539 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLC96400 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Volatil | 576mbit | 20 ns | Drachme | 64m x 9 | Parallèle | - | ||
 | IS45S16100H-7TLA1-T-T-TR | 2.1024 | | 6186 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS45S16100 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 50-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 143 MHz | Volatil | 16mbitons | 5,5 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | ||
 | IS42S32800D-6BI | - | | 2686 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS62WV102416EBLL-55BLI | 8.4950 | | 2364 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | IS62WV102416 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatil | 16mbitons | 55 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 55ns | |||
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 | IS25WD020-JVLE-TR | - | | 1358 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | IS25WD020 | Flash - ni | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-VVSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 500 | 80 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Pimenter | 3 ms | |||
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| IS43QR81024A-083TBL-TR | 16.0930 | | 2841 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43QR81024A-083TBL-TR | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | 18 ns | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | 15NS | |||||
 | IS62WV102416BLL-25TLI-TR | 18h0000 | | 8007 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | IS62WV102416 | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 500 | Volatil | 16mbitons | 25 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 25ns | |||
 | IS43R16800E-5TL-TR | 2.2369 | | 9306 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS43R16800 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 200 MHz | Volatil | 128mbitons | 700 PS | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS49NLC36800-25BL | - | | 9759 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLC36800 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 8m x 36 | Parallèle | - | ||
 | IS43QR16256A-083RBI-TR | - | | 4541 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43QR16256 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 1,2 GHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
| IS49NLS18160-33WBLI | - | | 5594 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLS18160 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 16m x 18 | Parallèle | - | ||
 | IS49RL36160A-093FBLI | 103.6600 | | 119 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 LBGA | IS49RL36160 | Rldram 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49RL36160A-093FBLI | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 1 066 GHz | Volatil | 576mbit | 7,5 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | |
 | IS46DR16320C-25DBLA1 | 8.2104 | | 4126 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS46DR16320 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| IS42SM32800E-75BI-TR | - | | 7933 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42SM32800 | Sdram - mobile | 2,7 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 6 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS42S16320F-6TL | 11.1649 | | 7691 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16320 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS61NLP51218A-200TQLI | 15.4275 | | 9926 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61NLP51218 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatil | 9mbitons | 3.1 ns | Sram | 512k x 18 | Parallèle | - |
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