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Mémoire (5712)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS64LV25616AL-12TA3 | - |  | 9400 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS64LV25616 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatil | 4mbbitons | 12 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 12ns | |||
 | IS25LP064A-JLLE | 1 8000 | | 14 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | IS25LP064 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 800 µs | |||
 | IS61WV25616EDBLL-8BI-TR | 4.7956 | | 2718 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS61WV25616 | Sram - asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 4mbbitons | 8 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 8ns | |||
 | IS46TR16K01S2AL-125KBLA1 | 34.3157 | | 9285 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-LFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-LWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46TR16K01S2AL-125KBLA1 | 136 | 800 MHz | Volatil | 16 Gbit | 20 ns | Drachme | 1g x 16 | Parallèle | 15NS | |||||
 | IS43LD32128A-25BPL-TR | - | | 3065 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43LD32128A-25BPL-TR | OBSOLÈTE | 1 | 400 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5,5 ns | Drachme | 128m x 32 | HSUL_12 | 15NS | ||
 | IS43R32800D-6BL | - | | 8976 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 144-LFBGA | IS43R32800 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 144-LFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 189 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
| IS61LV2568L-10TL-TR | - | | 1910 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61LV2568 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 2mbitons | 10 ns | Sram | 256k x 8 | Parallèle | 10ns | |||
 | IS62WV1288BLL-55TLI-TR | 1.6971 | | 9012 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | IS62WV1288 | Sram - asynchrone | 2,5 V ~ 3,6 V | 32-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 500 | Volatil | 1mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 55ns | |||
 | IS25LQ080B-JNLE-TR | - | | 5949 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | IS25LQ080 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 8mbitons | Éclair | 1m x 8 | Spi - quad e / o | 1 ms | |||
 | IS43DR82560B-3DBLI | - | | 5894 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43DR82560 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (10,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | Q8667869 | EAR99 | 8542.32.0036 | 100 | 333 MHz | Volatil | 2 gbit | 450 PS | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | |
 | IS25LQ020B-JDE | - | | 4420 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | IS25LQ020 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Spi - quad e / o | 800 µs | |||
 | IS46TR16640B-15GBLA2 | - | | 3279 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16640 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 667 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | IS34MW04G084-TLI-TR | 8.4321 | | 4704 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | IS34MW04 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 4 Gbit | 45 ns | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | 45ns | |||
 | IS45S32800D-6BLA1-T-T-TR | - | | 5064 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS45S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | - | ||
 | IS49NLS96400-25BLI | - | | 4044 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLS96400 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Volatil | 576mbit | 20 ns | Drachme | 64m x 9 | Parallèle | - | ||
| IS42S32200L-6BI | - | | 2608 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS42S32800B-7TI | - | | 6833 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS61LPD51236A-200B3-TR | - | | 4019 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61LPD51236 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 165-PBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
 | IS61LPS12836EC-200B3LI-TR | 7.3500 | | 3928 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61LPS12836 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | 200 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 3.1 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | ||
| IS25WP256E-RHLE-TR | 3.7919 | | 4043 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - Ni (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25WP256E-RHLE-TR | 2 500 | 166 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | ||||||
| IS49NLC36160-33BLI | - | | 9009 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLC36160 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | Volatil | 576mbit | 20 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | ||
 | IS42S16100C1-7BL | - | | 5301 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS42S16100 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 60-TFBGA (6.4x10.1) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 MHz | Volatil | 16mbitons | 5,5 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS61LV6416-10TLI-TR | - | | 1276 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61LV6416 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 1mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 10ns | |||
 | IS42S16160B-7BL-TR | - | | 6247 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54-LFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-LFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS61LV2568L-8TL-TR | - | | 9160 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61LV2568 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 2mbitons | 8 ns | Sram | 256k x 8 | Parallèle | 8ns | |||
 | IS42S81600F-6TLI-TR | 2.6967 | | 8511 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S81600 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 8 | Parallèle | - | ||
 | IS45S16800F-6BLA1-T-T-TR | 4.8260 | | 3191 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS45S16800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
| IS42VM32800K-6BLI | 6.0380 | | 1523 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42VM32800 | Sdram - mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
 | IS62WV102416EBLL-45BI-TR | 7.6151 | | 3860 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | IS62WV102416 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 16mbitons | 45 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 45ns | |||
| IS61WV25616BLL-10BLI | 4.2900 | | 275 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS61WV25616 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 10ns |
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