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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS61LF51236A-6.5B2I | - | ![]() | 1764 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 119-BBGA | IS61LF51236 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 119-PBGA (14x22) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 133 MHz | Volatil | 18mbitons | 6.5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61WV204816ALL-12BLI | 19.4731 | ![]() | 5053 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV204816ALL-12BLI | 480 | Volatil | 32mbitons | 12 ns | Sram | 2m x 16 | Parallèle | 12ns | ||||||
![]() | IS61NVP204818B-2000TTQLI-TR | 69.6500 | ![]() | 7574 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61NVP204818 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volatil | 36mbitons | 3.1 ns | Sram | 2m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S16320B-6BL-TR | - | ![]() | 1223 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42S16320 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-WBGA (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 000 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S32800D-7BL-TR | - | ![]() | 9638 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS49NLC18160A-25EWBL | 29.0237 | ![]() | 5461 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49NLC18160A-25EWBL | 104 | 400 MHz | Volatil | 288mbitons | 15 ns | Drachme | 16m x 18 | Hstl | - | |||
![]() | IS42S32160B-75BL | - | ![]() | 9759 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-LFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-LFBGA (13x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 144 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 5,5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43TR16512A-125KBL | - | ![]() | 2787 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-LFBGA | IS43TR16512 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-LFBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1459 | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | |
![]() | IS34ML01G081-TLI | 5.1000 | ![]() | 549 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | IS34ML01 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1630 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 1 gbit | 25 ns | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | 25ns | ||
![]() | IS42S81600D-7TL-TR | - | ![]() | 3991 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S81600 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 8 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43R16320F-5BLI | 6.2946 | ![]() | 8318 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43R16320 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 190 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS43TR16128A-15HBI-TR | - | ![]() | 3027 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16128 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 667 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS49NLS18160A-25WBL | 27.7833 | ![]() | 1384 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49NLS18160A-25WBL | 104 | 400 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 16m x 18 | Hstl | - | ||||
![]() | IS45S32400E-6BLA1-T-T-TR | - | ![]() | 6968 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS45S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S16400F-7TLI-TR | - | ![]() | 6617 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS62C256AL-45TLI | 1.5200 | ![]() | 919 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur) | IS62C256 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 234 | Volatil | 256kbit | 45 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 45ns | |||
![]() | IS61LPS25618EC-2000TQLI | 7.5262 | ![]() | 4450 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LPS25618 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 3.1 ns | Sram | 256k x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S32800B-6TLI-TR | - | ![]() | 2175 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS62WV2568FBLL-45HLI | 1.6913 | ![]() | 8772 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand) | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 32-stsop I | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS62WV2568FBLL-45HLI | 234 | Volatil | 2mbitons | 45 ns | Sram | 256k x 8 | Parallèle | 45ns | ||||||
![]() | IS46TR16128A-15HBLA1-T-T-TR | - | ![]() | 8182 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16128 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 667 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS25WP128F-RHLE | 2.3339 | ![]() | 5919 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25WP128F-RHLE | 480 | 166 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | ||||||
![]() | IS45S32400E-7BLA1 | - | ![]() | 4868 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS45S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS64WV25616EFBLL-10CTLA3 | 6.4867 | ![]() | 3002 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS64WV25616EFBLL-10CTLA3 | 135 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 10ns | ||||||
![]() | IS43LR16160H-6BL | 4.8239 | ![]() | 2579 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LR16160H-6BL | 300 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | |||||
![]() | IS42S16100H-6BLI | 1.5808 | ![]() | 9027 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS42S16100 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 60-TFBGA (6.4x10.1) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 286 | 166 MHz | Volatil | 16mbitons | 5,5 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43R16160D-5TL | 4.7138 | ![]() | 3797 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS43R16160 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS42S81600F-7TL | 2.3748 | ![]() | 5227 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S81600 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 8 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43TR85120A-093NBLI | - | ![]() | 7700 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS43TR85120 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-TWBGA (9x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43TR85120A-093NBLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 220 | 1 066 GHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | 15NS | |
![]() | IS45S16400F-7TLA1-T-T-TR | - | ![]() | 8118 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS45S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR | 3 5832 | ![]() | 9892 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Sram - synchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR | 3 000 | 20 MHz | Volatil | 4mbbitons | 25 ns | Sram | 512k x 8 | Spi - quad e / o, sdi | - |
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