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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS45S16160J-7CTLA2	5.6109	RFQ	2256	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	108	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS25WQ040-JULE-T-T-TR	0,2500	RFQ	6	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UFDFN	IS25WQ040	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-USON (2x3)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	EAR99	8542.32.0071	1	104 MHz	Non volatile	4mbbitons		Éclair	512k x 8	Spi - quad e / o	1 ms
IS49NLS96400A-33WBL	-	RFQ	6788	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLS96400	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0032	104	300 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	64m x 9	Parallèle	-
IS43DR16320D-25DBL-TR	2.6025	RFQ	6908	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16320	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	2 500	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS25LP512MG-RMLE-TR	6.9200	RFQ	360	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	IS25LP512	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B1A	8542.32.0071	1 000	166 MHz	Non volatile	512mbitons	5,5 ns	Éclair	64m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	50 µs, 1 ms
IS43LR16640A-5BL	9.4267	RFQ	9562	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43LR16640	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-TWBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0032	300	200 MHz	Volatil	1 gbit	5 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS62WV1288FBLL-45TLI	1.7723	RFQ	3352	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS62WV1288	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	32-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2B	8542.32.0041	156		Volatil	1mbit	45 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	45ns
IS61LF12836A-7.5TQI-TR	-	RFQ	9553	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LF12836	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	Volatil	4,5 Mbit	7,5 ns	Sram	128k x 36	Parallèle	-
IS61WV25616BLL-10BLI	4.2900	RFQ	275	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS61WV25616	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	10ns
IS43LD32640B-25BPI-TR	-	RFQ	4369	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	168-VFBGA	IS43LD32640	SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4	1,14 V ~ 1,95 V	168-VFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0036	1 500	400 MHz	Volatil	2 gbit		Drachme	64m x 32	Parallèle	15NS
IS41LV16100B-50KL	-	RFQ	1051	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	42-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS41LV16100	DRAM - EDO	3V ~ 3,6 V	42-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	16		Volatil	16mbitons	25 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS42S32160F-6BL	11.6311	RFQ	3969	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	240	167 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS62WV5128DALL-55BI	-	RFQ	1047	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-TFBGA	IS62WV5128	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	36-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	55ns
IS64LF25636A-7.5B3LA3	23.2447	RFQ	8562	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS64LF25636	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	144	117 MHz	Volatil	9mbitons	7,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
IS42S16400D-6BL	-	RFQ	3341	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS42S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	60 minibga (6,4x10.1)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	286	166 MHz	Volatil	64mbitons	5 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS61WV51216EDBLL-8TLI	10.5985	RFQ	5223	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61WV51216	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	135		Volatil	8mbitons	8 ns	Sram	512k x 16	Parallèle	8ns
IS61C5128AL-10TLI	3.6124	RFQ	4290	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61C5128	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	135		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	10ns
IS45S16320F-7CTLA2-TR	15.8250	RFQ	4192	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	1 500	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS42S16400D-6BI-TR	-	RFQ	7347	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS42S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	60 minibga (6,4x10.1)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	64mbitons	5 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS43R32400E-5BI-TR	4.6718	RFQ	4767	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-LFBGA	IS43R32400	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	144-LFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	1 500	200 MHz	Volatil	128mbitons	700 PS	Drachme	4m x 32	Parallèle	15NS
IS42S32160F-7TLI	15h0000	RFQ	1	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	108	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS42S32200C1-7TI-TR	-	RFQ	3868	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32200	Sdram	3,15 V ~ 3 45 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0002	1 500	143 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS64WV12816EDBLL-10BLA3-TR	5.2500	RFQ	2703	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS64WV12816	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	2mbitons	10 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	10ns
IS61LPS51236A-250B3-TR	-	RFQ	8270	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61LPS51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	2 000	250 MHz	Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS42S16160B-7T	-	RFQ	6643	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0024	108	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS62WV102416EALL-55BLI	9.3932	RFQ	9908	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	IS62WV102416	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 1,98 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	16mbitons	55 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	55ns
IS25WQ040-JNLE-TR	-	RFQ	2272	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	IS25WQ040	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0071	3 000	104 MHz	Non volatile	4mbbitons		Éclair	512k x 8	Pimenter	1 ms
Is61nlp102418b-200tqli	19.1200	RFQ	8368	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NLP102418	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	Volatil	18mbitons	3 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS43R16320F-5TLI	5.8923	RFQ	2955	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS43R16320	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8542.32.0028	108	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS64LPS12832A-200TQLA3-TR	11.0250	RFQ	4176	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS64LPS12832	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	Volatil	4mbbitons	3.1 ns	Sram	128k x 32	Parallèle	-

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