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Mémoire (5712)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43LQ32640A-062TBI-TR | 9.2036 |  | 2418 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LQ32640A-062TBI-TR | 2 500 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 64m x 32 | Lvstl | 18n | |||
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| IS43LR16128B-6BI-TR | 8.8844 | | 7546 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LR16128B-6BI-TR | 2 000 | 166 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
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| IS43QR16512A-083TBI-TR | 17.2767 | | 6410 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43QR16512A-083TBI-TR | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | 18 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
| IS66WVH32M8DBLL-100B1LI | 4.8440 | | 7449 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS66WVH32M8DBLL-100B1LI | 480 | 100 MHz | Volatil | 256mbitons | 40 ns | Psram | 32m x 8 | Parallèle | 40ns | |||
| IS46TR16K01S2AL-125KBLA2 | 37.0582 | | 4363 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-LFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-LWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46TR16K01S2AL-125KBLA2 | 136 | 800 MHz | Volatil | 16 Gbit | 20 ns | Drachme | 1g x 16 | Parallèle | 15NS | |||
| IS61WV20488FBLL-10T2LI | 10.1211 | | 8469 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV20488FBLL-10T2LI | 108 | Volatil | 16mbitons | 10 ns | Sram | 2m x 8 | Parallèle | 10ns | ||||
| IS61WV5128FBLL-10BI-TR | 2.9427 | | 4168 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 36-TFBGA | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV5128FBLL-10BI-TR | 2 500 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 10ns | ||||
| IS43QR85120B-083RBI-TR | 9.5494 | | 3476 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43QR85120B-083RBI-TR | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 4 Gbit | 19 ns | Drachme | 512m x 8 | Coffre | 15NS | |||
| IS61WV204816ALL-12BLI | 19.4731 | | 5053 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV204816ALL-12BLI | 480 | Volatil | 32mbitons | 12 ns | Sram | 2m x 16 | Parallèle | 12ns | ||||
| IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TR | 11.9035 | | 3640 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TR | 2 500 | Volatil | 8mbitons | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 10ns | ||||
| IS64WV25616EFBLL-10BLA3-TR | 6.6840 | | 4861 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS64WV25616EFBLL-10BLA3-TR | 2 500 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 10ns | ||||
 | IS62WV51216HBLL-45B2LI | 5.5800 | | 460 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS62WV51216HBLL-45B2LI | 480 | Volatil | 8mbitons | 45 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 45ns |
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