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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS42S32160B-75EBLI	-	RFQ	9013	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-WBGA (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	144	133 MHz	Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS43TR82560C-125KBLI	6.7721	RFQ	3047	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR82560	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	242	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
IS64WV102416BLL-10MLA3	26.2419	RFQ	2657	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS64WV102416	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-Minibga (9x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	210		Volatil	16mbitons	10 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	10ns
IS41LV16100C-50KLI	-	RFQ	9865	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	42-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS41LV16100	DRAM - EDO	3V ~ 3,6 V	42-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	16		Volatil	16mbitons	25 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS42RM16200D-6BLI	2.4745	RFQ	9655	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42RM16200	Sdram - mobile	2,3V ~ 2,7 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	348	166 MHz	Volatil	32mbitons	6 ns	Drachme	2m x 16	Parallèle	-
IS42S16160J-6TL-TR	2.7132	RFQ	9773	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS45S32400E-7BLA1	-	RFQ	4868	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS45S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS62WV6416BLL-55BLI	2.0771	RFQ	2174	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS62WV6416	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	480		Volatil	1mbit	55 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	55ns
IS43TR16512A-125KBL-TR	-	RFQ	4858	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-LFBGA	IS43TR16512	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-LFBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	800 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
IS49RL36160A-107EBL	81.5500	RFQ	119	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 LBGA	IS49RL36160	Rldram 3	1,28 V ~ 1,42 V	168-FBGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49RL36160A-107EBL	EAR99	8542.32.0032	119	933 MHz	Volatil	576mbit	7,5 ns	Drachme	16m x 36	Parallèle	-
IS61VPD102418A-200B3I	-	RFQ	9377	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61VPD102418	Sram - Port Quad, synchrone	2 375V ~ 2 625V	165-PBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	Volatil	18mbitons	3.1 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS62WVS5128GBLL-45NLI-TR	3 5832	RFQ	8644	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		Sram - synchrone	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS62WVS5128GBLL-45NLI-TR			3 000	45 MHz	Volatil	4mbbitons	15 ns	Sram	512k x 8	Spi - quad e / o, sdi	-
IS49NLC18160A-25EWBLI	31.9177	RFQ	2710	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC18160	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49NLC18160A-25EWBLI			104	400 MHz	Volatil	288mbitons	15 ns	Drachme	16m x 18	Hstl	-
IS21TF128G-JQLI-TR	66.2340	RFQ	3828	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 lbga		Flash - Nand (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	100-LFBGA (14x18)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS21TF128G-JQLI-TR			1 000	200 MHz	Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	EMMC_5.1	-
IS21ES16G-JQLI	-	RFQ	9866	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 lbga	IS21ES16	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	100-LFBGA (14x18)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS21ES16G-JQLI	3A991B1A	8542.32.0071	98	200 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	EMMC	-
IS43LR32160C-6BLI	8.0950	RFQ	3692	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS43LR32160	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	240	166 MHz	Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	12ns
IS46R16320E-5TLA1-TR	7.1705	RFQ	9412	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS46R16320	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS43TR16640C-125JBLI-TR	3.2532	RFQ	3497	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16640	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43TR16640C-125JBLI-TR	EAR99	8542.32.0032	1 500	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS42S16320B-6TL-TR	-	RFQ	3951	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
IS25LQ080-JNLE	-	RFQ	1604	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LQ080	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	100	104 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o	1 ms
IS46DR16320D-3DBLA1	6.4315	RFQ	4911	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS46DR16320	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	209	333 MHz	Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS46TR81280B-15GBLA2	-	RFQ	9045	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS46TR81280	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-TWBGA (8x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46TR81280B-15GBLA2	EAR99	8542.32.0032	136	667 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS61NLP51236-200B3I-TR	-	RFQ	4624	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NLP51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	200 MHz	Volatil	18mbitons	3.1 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS46TR16256AL-125KBLA1	-	RFQ	9893	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16256	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	190	800 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS62C1024AL-35TI-TR	-	RFQ	5441	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS62C1024	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	32-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	1 500		Volatil	1mbit	35 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	35ns
IS46LQ16256AL-062BLA1-TR	-	RFQ	9472	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-VFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-VFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46LQ16256AL-062BLA1-TR			2 500	1,6 GHz	Volatil	4 Gbit	3,5 ns	Drachme	256m x 16	Lvstl	18n
IS43LD16640A-3BLI	-	RFQ	6668	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	134-TFBGA	IS43LD16640	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	171	333 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS43DR16160B-25DBL	2.6286	RFQ	6581	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16160	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	209	400 MHz	Volatil	256mbitons	400 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS49NLC18160-33BL	-	RFQ	9571	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC18160	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	104	300 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	16m x 18	Parallèle	-
IS61NLP25636A-200B2I	-	RFQ	5947	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	119-BBGA	IS61NLP25636	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	119-PBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	84	200 MHz	Volatil	9mbitons	3.1 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-

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