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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS46TR16128DL-125KBLA25	-	RFQ	9891	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 115 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16128	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46TR16128DL-125KBLA25	EAR99	8542.32.0036	190	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS42S16160B-6TLI	-	RFQ	4047	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS93C66A-2GRLI	-	RFQ	2049	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	93C66A	Eeprom	1,8 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1051-5	EAR99	8542.32.0051	100	3 MHz	Non volatile	4kbit		Eeprom	512 x 8, 256 x 16	Microwire	5 ms
IS61VPS204836B-250B3LI-TR	123.9000	RFQ	7727	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61VPS204836	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	250 MHz	Volatil	72mbitons	2,8 ns	Sram	2m x 36	Parallèle	-
IS61LPS51236A-200B3LI-TR	-	RFQ	6311	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61LPS51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	200 MHz	Volatil	18mbitons	3.1 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS43R86400E-6BI-TR	-	RFQ	2656	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43R86400	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS42SM16800H-75BI	-	RFQ	9813	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42SM16800	Sdram - mobile	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	348	133 MHz	Volatil	128mbitons	6 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
Is61nlp102418b-200tqli	19.1200	RFQ	8368	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NLP102418	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	Volatil	18mbitons	3 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS42S16100H-7TLI	1.4600	RFQ	6973	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0002	117	143 MHz	Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS61QDP2B22M18A-333M3L	71.5551	RFQ	4659	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDP2	Sram - synchrone, quadp	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	333 MHz	Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS25WP080D-JULE-T-T-TR	0,6114	RFQ	6186	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UFDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 1,95 V	8-USON (2x3)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25WP080D-JULE-T-T-TR			5 000	133 MHz	Non volatile	8mbitons	7 ns	Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	40 µs, 800 µs
IS43TR16256A-107MBL	-	RFQ	4085	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43TR16256	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	190	933 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS61QDB42M18C-333M3I	-	RFQ	9825	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDB42	Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	333 MHz	Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS34ML01G081-BLI-TR	3.4331	RFQ	2629	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA		Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS34ML01G081-BLI-TR			2 500		Non volatile	1 gbit	20 ns	Éclair	128m x 8	Parallèle	25ns
IS62WV25616EALL-55BI-TR	4.1409	RFQ	1999	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	IS62WV25616	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	55ns
IS62C1024AL-35TLI-TR	2.6100	RFQ	1	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS62C1024	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	32-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	1 500		Volatil	1mbit	35 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	35ns
IS45S16100H-7TLA2	2.4926	RFQ	4646	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	117	143 MHz	Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS25LQ016B-JNLE-TR	-	RFQ	8919	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LQ016	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 000	104 MHz	Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Spi - quad e / o	1 ms
IS42S81600F-7TLI	2.6467	RFQ	5052	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S81600	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 8	Parallèle	-
IS63WV1024BLL-12JLI-TR	1.7660	RFQ	4779	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm de grandeur)	IS63WV1024	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	32-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	1 000		Volatil	1mbit	12 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	12ns
IS62WV102416FBLL-45BI-TR	8.1000	RFQ	8879	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	IS62WV102416	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	16mbitons	45 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	45ns
IS61LV5128AL-10KLI	4.1694	RFQ	4295	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS61LV5128	Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	36-SOJ	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	19		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	10ns
IS49NLC96400A-33WBL	-	RFQ	3498	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC96400	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	104	300 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	64m x 9	Parallèle	-
IS45S32400F-7TLA2	6.3973	RFQ	9663	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS45S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	108	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS61LPD51236A-250B3I-TR	-	RFQ	9092	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61LPD51236	Sram - Port Quad, synchrone	3.135V ~ 3 465V	165-PBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	250 MHz	Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS25WP032D-JBLE-TR	0,8952	RFQ	2635	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	IS25WP032	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000	133 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS62C1024AL-35TLI	2.4500	RFQ	2	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS62C1024	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	32-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	156		Volatil	1mbit	35 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	35ns
IS61QDB22M18C-250M3L	-	RFQ	9855	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61QDB22	Sram - synchrone, quad	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS41C16105C-50TLI	-	RFQ	9208	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS41C16105	Dram - FP	4,5 V ~ 5,5 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	117		Volatil	16mbitons	25 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS43TR81280C-125JBLI-TR	3.4178	RFQ	1087	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43TR81280C-125JBLI-TR			2 000	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS

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