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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
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IS43DR16320E-3DBLI | 6.2200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS43DR16320 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1557 | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 333 MHz | Volatil | 512mbitons | 450 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS62C1024AL-35QLI-TR | 2.6100 | ![]() | 8 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-SOIC (0 445 ", 11,30 mm de grandeur) | IS62C1024 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 1mbit | 35 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 35ns | |||
![]() | IS25LP040E-JNLA3-TR | 0,4861 | ![]() | 6284 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25LP040E-JNLA3-TR | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 8 ns | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 40 µs, 1,2 ms | |||||
![]() | IS42S32200C1-7BL | - | ![]() | 2380 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-LFBGA | IS42S32200 | Sdram | 3,15 V ~ 3 45 V | 90-BGA (13x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5,5 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43TR82560DL-107MBI-TR | 4.5617 | ![]() | 3285 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43TR82560DL-107MBI-TR | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | |||||
![]() | IS42S16400D-7T | - | ![]() | 3257 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS62WV10248HBLL-45BLI | 5.5800 | ![]() | 2110 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS62WV10248HBLL-45BLI | 480 | Volatil | 8mbitons | 45 ns | Sram | 1m x 8 | Parallèle | 45ns | ||||||
![]() | IS61DDB21M36C-300M3 | - | ![]() | 6171 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61DDB21 | Sram - Synchrones, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | Volatil | 36mbitons | 8.4 ns | Sram | 1m x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS29GL064-70BLED-TR | 2.8354 | ![]() | 5641 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS29GL064-70BLED-T-T-TR | 2 500 | |||||||||||||||||||
![]() | IS25LP040E-JBLE-T-T-TR | - | ![]() | 6618 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | IS25LP040 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25LP040E-JBLE-T-T-TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 000 | 104 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 8 ns | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 1,2 ms | |
![]() | IS42S16160G-6BI-TR | - | ![]() | 5093 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS45S32400E-6BLA1 | - | ![]() | 8374 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS45S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
IS43LR16320B-6BL-TR | - | ![]() | 2955 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43LR16320 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 000 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5,5 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 12ns | |||
![]() | IS25LD020-JNLE | - | ![]() | 4825 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | IS25LD020 | Éclair | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 100 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Pimenter | 5 ms | |||
![]() | IS61QDPB42M36A1-550M3L | - | ![]() | 1529 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61QDPB42 | Sram - Port Quad, synchrone | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 550 MHz | Volatil | 72mbitons | Sram | 2m x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | IS49RL36160-093EBL | - | ![]() | 1063 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 168 LBGA | IS49RL36160 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 1 066 GHz | Volatil | 576mbit | 8 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS49RL18640-093EBLI | 129.6426 | ![]() | 9103 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 LBGA | Rldram 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49RL18640-093EBLI | 119 | 1 066 GHz | Volatil | 1 152 gbit | 8 ns | Drachme | 64m x 18 | Parallèle | - | ||||
![]() | IS45S32400F-7TLA1-T-T-TR | 5.2853 | ![]() | 3001 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS45S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S83200G-6TL | 5.6461 | ![]() | 3031 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S83200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | - | ||
![]() | IS49NLC36800A-18WBLI | 33.5439 | ![]() | 4103 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49NLC36800A-18WBLI | 104 | 533 MHz | Volatil | 288mbitons | 15 ns | Drachme | 8m x 36 | Hstl | - | ||||
![]() | IS43QR85120B-075UBL-TR | 8.9376 | ![]() | 2602 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43QR85120B-075UBL-TR | 2 000 | 1 333 GHz | Volatil | 4 Gbit | 19 ns | Drachme | 512m x 8 | Coffre | 15NS | |||||
![]() | IS43LQ32640A-062BI-TR | - | ![]() | 3791 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LQ32640A-062BI-TR | 2 500 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 64m x 32 | Lvstl | 18n | |||||
![]() | IS61QDB22M18C-250M3LI | - | ![]() | 7287 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61QDB22 | Sram - synchrone, quad | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volatil | 36mbitons | 8.4 ns | Sram | 2m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS45S32800D-7TLA1 | - | ![]() | 4527 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS45S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43LR16160H-6BL-TR | 4.2766 | ![]() | 8478 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LR16160H-6BL-TR | 2 000 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | |||||
![]() | IS25WE256E-RHLA3 | 5.0440 | ![]() | 2379 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - Ni (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25WE256E-RHLA3 | 480 | 166 MHz | Non volatile | 256mbitons | 5,5 ns | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | |||||
![]() | IS43QR16256B-075UBL | 9.8635 | ![]() | 4449 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-TWBGA (7.5x13.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43QR16256B-075UBL | 198 | 1 333 GHz | Volatil | 4 Gbit | 19 ns | Drachme | 256m x 16 | Coffre | 15NS | |||||
![]() | IS49NLC36160A-18WBL | 52.0065 | ![]() | 3285 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49NLC36160A-18WBL | 104 | 533 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 16m x 36 | Hstl | - | ||||
![]() | IS25LX064-JHLE-TR | 1.9290 | ![]() | 3481 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | IS25LX064 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25LX064-JHLE-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Spi - e / s octal | - | ||
![]() | IS61WV204816ALL-12TLI | 19.6549 | ![]() | 5064 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV204816ALL-12TLI | 96 | Volatil | 32mbitons | 12 ns | Sram | 2m x 16 | Parallèle | 12ns |
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