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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS43LD16640A-3BL-TR	-	RFQ	2174	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	0 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	134-TFBGA	IS43LD16640	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 200	333 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS61LV2568L-10KLI	-	RFQ	6913	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS61LV2568	Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	36-SOJ	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	19		Volatil	2mbitons	10 ns	Sram	256k x 8	Parallèle	10ns
IS34MW04G084-TLI	11.7000	RFQ	69	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS34MW04	Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	4 Gbit	45 ns	Éclair	512m x 8	Parallèle	45ns
IS61LF204818A-7.5TQLI-TR	-	RFQ	6795	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61LF204818	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	Volatil	36mbitons	7,5 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS25LQ032B-JLLE-TR	-	RFQ	5930	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25LQ032	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-WSON (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 000	104 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o	1 ms
IS64VF12832A-7.5TQLA3	13.3403	RFQ	7022	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS64VF12832	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	Volatil	4mbbitons	7,5 ns	Sram	128k x 32	Parallèle	-
IS43R86400D-6TLI	8.3985	RFQ	5946	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS43R86400	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	108	166 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS61LPD51236A-200B3	-	RFQ	8531	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61LPD51236	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-PBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	Volatil	18mbitons	3.1 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS46TR16640A-15GBLA1-TR	-	RFQ	7380	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16640	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 500	667 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS64WV10248EDBLL-10CTLA3	14.6336	RFQ	2081	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS64WV10248	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	135		Volatil	8mbitons	10 ns	Sram	1m x 8	Parallèle	10ns
IS42VM32800E-6BI-TR	-	RFQ	5081	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42VM32800	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS43R16320F-6BI-TR	5.4450	RFQ	7685	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43R16320	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS42S16100F-5TL	-	RFQ	8264	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	117	200 MHz	Volatil	16mbitons	5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS46LD32128B-25BPLA2	-	RFQ	7327	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	168-VFBGA	IS46LD32128	SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4	1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V	168-VFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46LD32128B-25BPLA2	EAR99	8542.32.0036	1	400 MHz	Volatil	4 Gbit	5,5 ns	Drachme	128m x 32	HSUL_12	15NS
IS61NVP25672-250B1I	-	RFQ	5257	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	209-BGA	IS61NVP25672	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	209-LFBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	84	250 MHz	Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	256k x 72	Parallèle	-
IS46DR16320C-3DBLA1-T-T-TR	6.9300	RFQ	8724	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS46DR16320	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	333 MHz	Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS25WP040E-JYLE-T-T-TR	0,3263	RFQ	2449	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UFDFN	IS25WP040	Flash - ni	1,7 V ~ 1,95 V	8-USON (2x3)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS25WP040E-JYLE-TR	EAR99	8542.32.0071	5 000	104 MHz	Non volatile	4mbbitons	8 ns	Éclair	512k x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	1,2 ms
IS62WVS1288GBLL-45NLI-TR	2.1150	RFQ	2598	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS62WVS1288	Sram - synchrone	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS62WVS1288GBLL-45NLI-TR			3 000	45 MHz	Volatil	1mbit	15 ns	Sram	128k x 8	Spi - quad e / o, sdi	-
IS62WV1288BLL-55TLI	2.2900	RFQ	2	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS62WV1288	Sram - asynchrone	2,5 V ~ 3,6 V	32-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	156		Volatil	1mbit	55 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	55ns
IS25LQ020B-JKLE-TR	-	RFQ	3958	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25LQ020	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	4 500	104 MHz	Non volatile	2mbitons		Éclair	256k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
IS43TR16K01S2AL-125KBL-TR	27.4113	RFQ	2847	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-LFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-LWBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43TR16K01S2AL-125KBL-TR			2 000	800 MHz	Volatil	16 Gbit	20 ns	Drachme	1g x 16	Parallèle	15NS
IS42S32400F-7BL	4.7838	RFQ	6287	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS42S32800D-75ETLI	-	RFQ	1019	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32800	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	133 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS46QR16256B-083RBLA1	9.7877	RFQ	9250	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-TWBGA (7.5x13.5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46QR16256B-083RBLA1			198	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit	19 ns	Drachme	256m x 16	Coffre	15NS
IS43TR16512S2DL-125KBL-TR	18.1944	RFQ	8713	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-LFBGA	IS43TR16512	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-LWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS43TR16512S2DL-125KBL-TR	EAR99	8542.32.0036	1 500	800 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
IS34MW01G084-BLI-TR	3.4331	RFQ	4710	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA		Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (9x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS34MW01G084-BLI-TR			2 500		Non volatile	1 gbit	30 ns	Éclair	128m x 8	Parallèle	45ns
IS46TR81024B-107MBLA1-T-T-TR	25.2700	RFQ	9849	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-TWBGA (10x14)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46TR81024B-107MBLA1-T-T-TR			2 000	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	1g x 8	Parallèle	15NS
IS62WV2568FBLL-45BLI	1.8604	RFQ	8242	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	36-TFBGA		Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	36-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS62WV2568FBLL-45BLI			480		Volatil	2mbitons	45 ns	Sram	256k x 8	Parallèle	45ns
IS43DR86400D-3DBI	-	RFQ	3989	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43DR86400	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	242	333 MHz	Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS43DR82560B-25EBL	-	RFQ	2559	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA	IS43DR82560	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (10,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	136	400 MHz	Volatil	2 gbit	400 PS	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS

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