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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS25WP064D-RHLA3-TR	1 7350	RFQ	4764	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 1,95 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25WP064D-RHLA3-TR			2 500	166 MHz	Non volatile	64mbitons	5,5 ns	Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	40 µs, 800 µs
IS61NLP25672-200B1I-TR	-	RFQ	6836	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	209-BGA	IS61NLP25672	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	209-LFBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000	200 MHz	Volatil	18mbitons	3.1 ns	Sram	256k x 72	Parallèle	-
IS42S16100C1-7TL	-	RFQ	1216	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	117	143 MHz	Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS61WV10248EOLLL-10B2LI-TR	6.4497	RFQ	9540	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA		Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR			2 500		Volatil	8mbitons	10 ns	Sram	1m x 8	Parallèle	10ns
IS46TR16640ED-15HBLA2-TR	8.0208	RFQ	8397	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46TR16640ED-15HBLA2-TR			1 500	667 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Sstl_15	15NS
IS22TF64G-JQLA1	50.8542	RFQ	4252	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 lbga		Flash - Nand (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	100-LFBGA (14x18)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS22TF64G-JQLA1			98	200 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	EMMC_5.1	-
IS43LR16128B-5BLI	9.8204	RFQ	5191	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA		SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-TFBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43LR16128B-5BLI			300	208 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS25LP064D-RMLE	-	RFQ	1746	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)		Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS25LP064D-RMLE	OBSOLÈTE		1	166 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	40 µs, 800 µs
IS46TR16640BL-125JBLA25-TR	-	RFQ	8310	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 115 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16640	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46TR16640BL-125JBLA25-TR	EAR99	8542.32.0032	1 500	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS43QR8K02S2A-083TBL-TR	39.1020	RFQ	5572	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	*	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43QR8K02S2A-083TBL-TR			2 000
IS29GL256-70FLEB-TR	5.0853	RFQ	6208	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA		Flash - Ni (SLC)	3V ~ 3,6 V	64-LFBGA (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS29GL256-70FLEB-TR			2 000		Non volatile	256mbitons	70 ns	Éclair	32m x 8	CFI	70ns, 200µs
IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR	15.2600	RFQ	8281	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NVF51236	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	133 MHz	Volatil	18mbitons	6.5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS61WV102416EDALL-12TLI-TR	10.9725	RFQ	2802	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)		Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS61WV102416EDALL-12TLI-TR			1 500		Volatil	16mbitons	12 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	12ns
IS49NLC93200A-18WBLI	33.5439	RFQ	8665	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA		Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49NLC93200A-18WBLI			104	533 MHz	Volatil	288mbitons	15 ns	Drachme	32m x 9	Hstl	-
IS49NLC18320A-25WBLI	51.8860	RFQ	5967	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA		Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49NLC18320A-25WBLI			104	400 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	32m x 18	Hstl	-
IS25WX256-JHLE-TR	3.8400	RFQ	7782	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	IS25WX256	Éclair	1,7 V ~ 2V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS25WX256-JHLE-TR	3A991B1A	8542.32.0071	2 500	200 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Spi - e / s octal	-
IS61NLP102418-250B3I	-	RFQ	1440	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NLP102418	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS42SM32800E-6BLI	-	RFQ	6548	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42SM32800	Sdram - mobile	2,7 V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240	166 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS42S16400J-7TL-TR	1.4470	RFQ	5133	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500	143 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
IS62WV102416AL-35MI	-	RFQ	9440	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS62WV102416	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	48-Minibga (9x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS62WV102416ALL-35MI	OBSOLÈTE		210		Volatil	16mbitons	35 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	35ns
IS49NLC18320-33BL	-	RFQ	7631	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC18320	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-FCBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	104	300 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	32m x 18	Parallèle	-
IS46LQ16128A-062TBLA1	10.6342	RFQ	4344	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-TFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46LQ16128A-062TBLA1			136	1,6 GHz	Volatil	2 gbit	3,5 ns	Drachme	128m x 16	Lvstl	18n
IS21TF64G-JCI-TR	53.6250	RFQ	8583	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-VFBGA	IS21TF64G	Flash - Nand (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-VFBGA (11,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS21TF64G-JCI-TR	3A991B1A	8542.32.0071	2 000	200 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	MMC	-
IS42RM32160E-75BI-TR	10.6200	RFQ	6991	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42RM32160	Sdram - mobile	2.3V ~ 3V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	133 MHz	Volatil	512mbitons	6 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS43LR16640C-5BI-TR	7.4081	RFQ	6793	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA		SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-TFBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43LR16640C-5BI-TR			2 000	208 MHz	Volatil	1 gbit	5 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	14.4NS
IS42S83200G-7BL-TR	5.5500	RFQ	2034	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S83200	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	-
IS61DDPB22M18A-400M3L	71.5551	RFQ	7344	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61DDPB22	Sram - synchrone, ddr iip	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0002	105	400 MHz	Volatil	36mbitons		Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS43LD32128B-18BI-TR	10.9725	RFQ	8636	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-TFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4	1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43LD32128B-18BI-TR			2 000	533 MHz	Volatil	4 Gbit	5,5 ns	Drachme	128m x 32	HSUL_12	15NS
IS49RL18320A-093EBL	69.6600	RFQ	2779	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 LBGA		Rldram 3	1,28 V ~ 1,42 V	168-FBGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49RL18320A-093EBL	EAR99	8542.32.0032	119	1 066 GHz	Volatil	576mbit	7,5 ns	Drachme	32m x 18	Parallèle	-
IS46LQ16128A-062TBLA1-TR	9.5760	RFQ	9412	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-TFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46LQ16128A-062TBLA1-TR			2 500	1,6 GHz	Volatil	2 gbit	3,5 ns	Drachme	128m x 16	Lvstl	18n

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Mémoire (5712)

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