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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS25LX512M-JHLA3 | 8.4300 | ![]() | 1178 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | IS25LX512M | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25LX512M-JHLA3TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - e / s octal | - | ||
![]() | IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR | 2.2094 | ![]() | 3603 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Sram - synchrone | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR | 3 000 | 45 MHz | Volatil | 2mbitons | 15 ns | Sram | 256k x 8 | Spi - quad e / o, sdi | - | ||||
![]() | IS25LE512M-RMLE-TR | 7.2904 | ![]() | 9868 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 2,3V ~ 3,6 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25LE512M-RMLE-TR | 1 000 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | ||||||
![]() | IS46LD32128B-18BPLA1 | - | ![]() | 1401 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46LD32128B-18BPLA1 | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5,5 ns | Drachme | 128m x 32 | HSUL_12 | 15NS | |
![]() | IS43DR86400E-25DBL-TR | 2.4369 | ![]() | 5920 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43DR86400E-25DBL-TR | 2 000 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 64m x 8 | Sstl_18 | 15NS | |||||
![]() | IS42RM16160K-6BI-TR | 5.2523 | ![]() | 8517 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42RM16160 | Sdram - mobile | 2.3V ~ 3V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS25WP512M-JLLE-TR | 6.2776 | ![]() | 6882 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-WSON (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25WP512M-JLLE-TR | 4 000 | 112 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | ||||||
![]() | IS46LQ32128AL-06T2BLA2-TR | - | ![]() | 2462 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ32128AL-06T2BLA2-TR | 2 500 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 32 | Lvstl | 18n | |||||
![]() | IS22TF16G-JCLA2-TR | 26.3340 | ![]() | 5757 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS22TF16G-JCLA2-TR | 2 000 | 200 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
![]() | IS62C256AL-45ULI | 1.4200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-SOIC (0,330 ", 8,38 mm de grandeur) | IS62C256 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 120 | Volatil | 256kbit | 45 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 45ns | |||
![]() | IS43LD32128A-18BPL-TR | - | ![]() | 6505 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS43LD32128A-18BPL-TR | OBSOLÈTE | 1 | 533 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5,5 ns | Drachme | 128m x 32 | HSUL_12 | 15NS | ||
![]() | IS46TR85120BL-107MBLA2-T-T-TR | - | ![]() | 5162 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS46TR85120 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR85120BL-107MBLA2-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | 15NS | |
![]() | IS22TF32G-JCLA2-TR | 37.6390 | ![]() | 4133 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS22TF32G-JCLA2-TR | 2 000 | 200 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
![]() | IS43TR81024B-107MBI-TR | 21.5460 | ![]() | 1242 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43TR81024B-107MBI-TR | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | 15NS | |||||
![]() | IS46LD32128A-18BPLA2-TR | - | ![]() | 2929 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46LD32128A-18BPLA-TR | OBSOLÈTE | 1 | 533 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5,5 ns | Drachme | 128m x 32 | HSUL_12 | 15NS | ||
![]() | IS21TF16G-JCI-TR | 24.7500 | ![]() | 4190 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | IS21TF16G | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS21TF16G-JCI-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 200 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | MMC | - | ||
![]() | IS43TR81280B-125KBLI | - | ![]() | 7668 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS43TR81280 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS61WV20488FBLL-10BLI | 9.1946 | ![]() | 5667 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS61WV20488FBLL-10BLI | 480 | Volatil | 16mbitons | 10 ns | Sram | 2m x 8 | Parallèle | 10ns | ||||||
![]() | IS42SM16800G-6BLI | - | ![]() | 4219 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42SM16800 | Sdram - mobile | 2,7 V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5,5 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43QR81024A-075VBLI-TR | 18.2210 | ![]() | 4013 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43QR81024A-075VBI-TR | 2 000 | 1 333 GHz | Volatil | 8 Gbit | 18 ns | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | 15NS | |||||
![]() | IS45S16800F-6BLA1 | 5.3796 | ![]() | 1169 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS45S16800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS46TR16640ED-125KBLA3 | - | ![]() | 8837 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46TR16640ED-125KBLA3 | 190 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Sstl_15 | 15NS | |||||
![]() | IS43LQ32128A-062BI-TR | - | ![]() | 5609 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LQ32128A-062BI-TR | 2 500 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 128m x 32 | Lvstl | - | ||||||
IS43LR16200C-6BLI | - | ![]() | 1097 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43LR16200 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Volatil | 32mbitons | 5,5 ns | Drachme | 2m x 16 | Parallèle | 12ns | |||
![]() | IS61VPS102418A-250B3 | - | ![]() | 2970 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61VPS102418 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Volatil | 18mbitons | 2.6 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS46TR85120BL-107MBLA2 | - | ![]() | 4235 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | IS46TR85120 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46TR85120BL-107MBLA2 | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | 15NS | |
IS61LV6416-10TI | - | ![]() | 5516 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61LV6416 | Sram - asynchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | Volatil | 1mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 10ns | ||||
![]() | IS43LR32800H-6BLI | 5.5951 | ![]() | 2436 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LR32800H-6BLI | 240 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 8m x 32 | LVCMOS | 15NS | |||||
![]() | IS34ML02G081-TLI-TR | 4.3745 | ![]() | 3170 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS34ML02G081-TLI-TR | 1 500 | Non volatile | 2 gbit | 20 ns | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | 25ns | ||||||
![]() | IS62C5128EL-45QLI-TR | 3.2532 | ![]() | 7568 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-SOIC (0 445 ", 11,30 mm de grandeur) | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-SOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS62C5128EL-45QLI-TR | 1 000 | Volatil | 4mbbitons | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 45ns |
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