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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS43DR16128B-25EBI-TR | - | ![]() | 6845 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS43DR16128 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TW-BGA (10.5x13.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 400 MHz | Volatil | 2 gbit | 400 PS | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS42S16400D-6TL-TR | - | ![]() | 1291 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 166 MHz | Volatil | 64mbitons | 5 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42VM16200D-75BI-TR | 2.3989 | ![]() | 7967 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42VM16200 | Sdram - mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 32mbitons | 6 ns | Drachme | 2m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS49NLC18160A-25WBL | 27.7833 | ![]() | 4109 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49NLC18160A-25WBL | 104 | 400 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 16m x 18 | Hstl | - | |||
![]() | IS61NLP102418-200TQLI | - | ![]() | 7574 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61NLP102418 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.1 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S83200B-7TI | - | ![]() | 3087 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S83200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | - | ||
IS61C6416AL-12KLI | 2.1754 | ![]() | 7825 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61C6416 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 16 | Volatil | 1mbit | 12 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 12ns | ||||
![]() | IS61NLP25636A-200TQI-TR | - | ![]() | 1153 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61NLP25636 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volatil | 9mbitons | 3.1 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S16800E-7TL | - | ![]() | 5426 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S32400B-7BI | - | ![]() | 1035 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S32800B-7TL-TR | - | ![]() | 4782 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61DDB41M36C-250M3 | - | ![]() | 5549 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61DDB41 | Sram - Synchrones, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volatil | 36mbitons | 8.4 ns | Sram | 1m x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61LPD102418A-200TQI | - | ![]() | 6446 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LPD102418 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3.1 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42VM32200M-75BLI | 3.2542 | ![]() | 9171 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42VM32200 | Sdram - mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Volatil | 64mbitons | 6 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43QR16512A-075VBLI | 19.5230 | ![]() | 9859 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43QR16512A-075VBLI | 136 | 1 333 GHz | Volatil | 8 Gbit | 18 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | |||||
![]() | IS61WV102416DBLL-10BI-TR | 11.3550 | ![]() | 7129 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS61WV102416 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 16mbitons | 10 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 10ns | |||
![]() | IS25LP016D-JNLA3-TR | 0,8877 | ![]() | 9958 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25LP016D-JNLA3-TR | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 16mbitons | 7 ns | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||
![]() | IS49RL18320-107BLI | - | ![]() | 6900 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168 LBGA | IS49RL18320 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 933 MHz | Volatil | 576mbit | 10 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS25LX512M-JHLE-TR | 7.2900 | ![]() | 1392 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | IS25LX512M | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS25LX512M-JHLE-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - e / s octal | - | ||
![]() | IS61VPS51236B-200B3LI | 16.3574 | ![]() | 4114 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61VPS51236 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 3 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42SM32400G-75BI-TR | - | ![]() | 2326 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42SM32400 | Sdram - mobile | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 6 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS43LQ32128AL-062TBLI | 13.0470 | ![]() | 3660 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LQ32128AL-062TBLI | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 128m x 32 | Lvstl | - | ||||||
![]() | IS42S32200E-7BLI | - | ![]() | 5669 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5,5 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61LV256-12TLI-TR | - | ![]() | 5845 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur) | IS61LV256 | Sram - asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 28-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 256kbit | 12 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 12ns | |||
IS63LV1024L-12BI | - | ![]() | 7037 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 36-TFBGA | IS63LV1024 | Sram - asynchrone | 3,15 V ~ 3 45 V | 36-MINIBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 220 | Volatil | 1mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 12ns | ||||
![]() | IS61DDB42M18C-250M3L | - | ![]() | 4152 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | IS61DDB42 | Sram - Synchrones, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volatil | 36mbitons | 8.4 ns | Sram | 2m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS46TR16640ED-15HBLA1-TR | 6.7570 | ![]() | 4212 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46TR16640ED-15HBLA1-TR | 1 500 | 667 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Sstl_15 | 15NS | |||||
![]() | IS42S32800G-6BI-TR | 8.2050 | ![]() | 9294 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS46TR16640B-15GBLA2-TR | - | ![]() | 1919 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS46TR16640 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 500 | 667 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS25LQ016B-JMLE | - | ![]() | 4987 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | IS25LQ016 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | 1 ms |
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