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Mémoire (847)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Noms Autres	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
Gd25d10ttegr	0 2929	RFQ	6968	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25d	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	télécharger	1970-GD25D10CTEGRTR		3 000	100 MHz	Non volatile	1mbit	6 ns	Éclair	128k x 8	Spi - double e / s	80 µs, 4 ms
Gd25wd40etigr	0,3167	RFQ	8823	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25wd	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 3,6 V	8-SOP	télécharger	1970-gd25wd40etigrtr		3 000	104 MHz	Non volatile	4mbbitons	6 ns	Éclair	512k x 8	Spi - double e / s	100 µs, 6 ms
Gd5f1gq5wigr	2.4851	RFQ	5290	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd5f	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 2V	8-WSON (5x6)	télécharger	1970-gd5f1gq5wigrtr		3 000	104 MHz	Non volatile	1 gbit	9,5 ns	Éclair	256m x 4	Spi - quad e / o, qpi, dtr	600 µs
Gd25q16tegr	0,6552	RFQ	3651	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25Q	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	télécharger	1970-GD25Q16ETEGRTR		3 000	133 MHz	Non volatile	16mbitons	7 ns	Éclair	2m x 8	Spi - quad e / o	140 µs, 4 ms
Gd25lq64enagr	1 5582	RFQ	5729	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25LQ	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UDFN	Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-USON (3x4)	-	1970-GD25LQ64Enagrtr		3 000	133 MHz	Non volatile	64mbitons	6 ns	Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi	100 µs, 4 ms
Gd55le511meyigy	4.3092	RFQ	8110	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Plateau	Actif							-	1970-gd55le511meyigy		4 800
Gd25ld20ekigr	0,3167	RFQ	4484	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25ld	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-XFDFN	Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-USON (1,5x1,5)	télécharger	1970-GD25LD20EKIGRTR		3 000	50 MHz	Non volatile	2mbitons	12 ns	Éclair	256k x 8	Spi - double e / s	100 µs, 6 ms
Gd55b01gebiry	8.4011	RFQ	3284	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD55B	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	1970-GD55B01GEBIRY	8542.32.0071	4 800	133 MHz	Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	-
Gd25b512mebjry	5.2136	RFQ	4467	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25B	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	1970-GD25B512Mebjry		4 800	133 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	-
Gd25q80etegr	0 4525	RFQ	2591	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25Q	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	télécharger	1970-GD25Q80ETEGRTR		3 000	133 MHz	Non volatile	8mbitons	7 ns	Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o	140 µs, 4 ms
Gd55wb512meyigy	4.6816	RFQ	4786	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd55wb	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 3,6 V	8-WSON (6x8)	-	1970-gd55wb512meyigy		4 800	104 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Spi - quad e / o	-
Gd25lq64ewagr	1.6045	RFQ	6739	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25LQ	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-WSON (5x6)	-	1970-GD25LQ64EWAGRTR		3 000	133 MHz	Non volatile	64mbitons	6 ns	Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi	100 µs, 4 ms
Gd25d80ctigr	0,2783	RFQ	2411	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25d	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	télécharger	1970-gd25d80ctigrtr		3 000	100 MHz	Non volatile	8mbitons	6 ns	Éclair	1m x 8	Spi - double e / s	50 µs, 4 ms
Gd5f2gm7ueyigy	3.2825	RFQ	6646	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd5f	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (6x8)	télécharger	1970-gd5f2gm7ueyigy		4 800	133 MHz	Non volatile	2 gbit	7 ns	Éclair	256m x 8	Spi - quad e / o, dtr	600 µs
GD25Q256EWIGY	2.2897	RFQ	7620	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25Q	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (5x6)	télécharger	1970-GD25Q256EWIGY		5 700	133 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o	-
GD25LT512MEFIRY	5.7957	RFQ	6463	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25lt	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	16-SOP	-	1970-GD25LT512MEFIRY		1 760	200 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	-
Gd25q64cw2gr	1.3970	RFQ	9623	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25Q	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (5x6)	-	1970-GD25Q64CW2grtr		3 000	120 MHz	Non volatile	64mbitons	7 ns	Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o	60 µs, 4 ms
Gd5f1gq5ueyigy	2.3296	RFQ	8895	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd5f	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (6x8)	télécharger	1970-gd5f1gq5ueyigy		4 800	133 MHz	Non volatile	1 gbit	7 ns	Éclair	256m x 4	Spi - quad e / o, qpi, dtr	600 µs
Gd25q64esjgr	0,8705	RFQ	3820	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25Q	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	télécharger	1970-GD25Q64ESJGRTR		2 000	133 MHz	Non volatile	64mbitons	7 ns	Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o	140 µs, 4 ms
Gd55b01geyigy	8.8738	RFQ	4263	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD55B	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (6x8)	-	1970-gd55b01geyigy		4 800	133 MHz	Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	-
GD25LB64EWIGR	0,9126	RFQ	8288	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25lb	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-WSON (5x6)	télécharger	1970-GD25LB64EWIGRTR		3 000	133 MHz	Non volatile	64mbitons	6 ns	Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi	60 µs, 2,4 ms
Gd25lq80cn2gr	0,6818	RFQ	5726	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25LQ	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UDFN	Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2,1 V	8-USON (3x4)	-	1970-GD25LQ80CN2grtr		3 000	90 MHz	Non volatile	8mbitons	6 ns	Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o	80 µs, 3ms
Gd25lq16enigr	0,5939	RFQ	6464	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25LQ	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UDFN	Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2,1 V	8-USON (3x4)	télécharger	1970-GD25LQ16ENIGRTR		3 000	133 MHz	Non volatile	16mbitons	6 ns	Éclair	2m x 8	Spi - quad e / o, qpi	60 µs, 2,4 ms
GD25LQ16EWIGR	0,6115	RFQ	2626	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25LQ	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2,1 V	8-WSON (5x6)	télécharger	1970-GD25LQ16EWIGRTR		3 000	133 MHz	Non volatile	16mbitons	6 ns	Éclair	2m x 8	Spi - quad e / o, qpi	60 µs, 2,4 ms
Gd25lt256ey2gy	4.7723	RFQ	2063	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25lt	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-WSON (6x8)	-	1970-GD25LT256EY2GY		4 800	200 MHz	Non volatile	256mbitons	6 ns	Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	140 µs, 2 ms
Gd9fu4g8f3amgi	7.0543	RFQ	4103	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd9f	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	1970-gd9fu4g8f3amgi		960		Non volatile	4 Gbit	18 ns	Éclair	512m x 8	Onfi	20ns
Gd5f2gq5ueyihy	3.9235	RFQ	4314	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd5f	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (6x8)	-	1970-gd5f2gq5ueyihy		4 800	104 MHz	Non volatile	2 gbit	9 ns	Éclair	512m x 4	Spi - quad e / o, qpi, dtr	600 µs
GD55LT01GEB2RY	16.0875	RFQ	1948	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD55LT	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	24-TFBGA (6x8)	-	1970-GD55LT01GEB2RY		4 800		Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	-
Gd25b32cs2gr	0,9688	RFQ	7690	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25B	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	-	1970-GD25B32CS2GRTR		2 000	80 MHz	Non volatile	32mbitons	7 ns	Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o	60 µs, 4 ms
GD25LQ255EWIGY	2.1965	RFQ	8546	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25LQ	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-WSON (5x6)	télécharger	1970-GD25LQ255EWIGY		5 700	133 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Mémoire (847)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²