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Mémoire (847)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Gd25lq40ceigr | - |  | 6319 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | GD25LQ40 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2,1 V | 8-USON (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
 | Gd25lq10ctigr | - | | 1681 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | GD25LQ10 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2,1 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 1mbit | Éclair | 128k x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| Gd25ld05ceigr | 0,2725 | | 3135 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Gd25ld05 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 8-USON (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 50 MHz | Non volatile | 512kbit | Éclair | 64k x 8 | Spi - double e / s | 55 µs, 6 ms | |||
| Gd25wd80ceigr | 0,7100 | | 81 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Gd25wd80 | Flash - ni | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | Non volatile | 8mbitons | Éclair | 1m x 8 | Spi - quad e / o | - | ||||
 | Gd25lq256dyigr | - | | 3379 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | GD25LQ256 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o | 2,4 ms | |||
 | Gd25lq64esagr | 1.4385 | | 9558 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-GD25LQ64ESAGRTR | 2 000 | 133 MHz | Non volatile | 64mbitons | 6 ns | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 100 µs, 4 ms | |||||||
| Gd25le32dligr | - | | 4768 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 21-XFBGA, WLSCP | Gd25le32 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 21-wlcsp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | 2,4 ms | |||
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 | Gd5f2gq4uf9igr | - | | 4326 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VLGA | Gd5f2gq4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-LGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Spi - quad e / o | 700 µs | |||
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| Gd25q64cqigr | - | | 3614 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XDFN | GD25Q64 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USON (4x4) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| Gd25b32etigr | 0.9900 | | 1707 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 32mbitons | 7 ns | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | 70 µs, 2,4 ms | |||||
| GD55LX01GEB2RY | 20.5352 | | 8135 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55lx | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55LX01GEB2RY | 4 800 | 200 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Spi - e / s octal, dtr | - | ||||||||
| Gd25lq128eqigr | 1.3900 | | 5298 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-USON (4x4) | télécharger | 1970-GD25LQ128EQIGRTR | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 128mbitons | 6 ns | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
| Gd25ld40ekigr | 0,3619 | | 4375 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25ld | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-USON (1,5x1,5) | télécharger | 1970-GD25LD40EKIGRTR | 3 000 | 50 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 12 ns | Éclair | 512k x 8 | Spi - double e / s | 100 µs, 6 ms | |||||||
| Gd25wd40ek6igr | 0,4077 | | 9951 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25wd | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-USON (1,5x1,5) | télécharger | 1970-gd25wd40ek6igrtr | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 6 ns | Éclair | 512k x 8 | Spi - double e / s | 100 µs, 6 ms | |||||||
| Gd25lq128dvigr | - | | 9911 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25LQ128 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 8-VSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 120 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o | 2,4 ms | |||
| GD25Q16CSJG | - | | 9569 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25Q16 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 9 500 | 120 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25LQ16CTIG | 0,4057 | | 5669 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | GD25LQ16 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2,1 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 20 000 | 104 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| Gd25lb512meyigr | 4.6509 | | 1068 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25lb | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | télécharger | 1970-gd25lb512meyigrtr | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | - | ||||||||
| Gd5f1gq4ueyigy | - | | 6722 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Gd5f1gq4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 800 | 120 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Spi - quad e / o | 700 µs | |||
| GD25Q32CTJG | - | | 4714 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | GD25Q32 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 20 000 | 120 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| Gd25lq80ctigr | - | | 6786 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | GD25LQ80 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2,1 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 8mbitons | Éclair | 1m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| Gd25q64enigr | 0,8424 | | 2779 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UDFN | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USON (3x4) | télécharger | 1970-gd25q64enigrtr | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 64mbitons | 7 ns | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o | 70 µs, 2,4 ms | |||||||
| Gd55lt512wefirr | 5.9249 | | 5798 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55LT | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 16-SOP | - | 1970-gd55lt512wefirrtr | 1 000 | 166 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 50 µs, 1,2 ms | ||||||||
| Gd25q256ebiry | 2.2897 | | 3527 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | 1970-GD25Q256EBIRY | 4 800 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o | - | ||||||||
| GD25LQ255EYIGY | 2.1699 | | 6520 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | télécharger | 1970-GD25LQ255EYIGY | 4 800 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | - | ||||||||
| Gd5f1gq4rf9igr | - | | 8267 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VLGA | Gd5f1gq4 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 2V | 8-LGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Spi - quad e / o | 700 µs | |||
| Gd25ve16ceigr | - | | 6340 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | GD25VE16 | Flash - ni | 2.1V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | - | |||
| Gd25le16eeigr | 0,5678 | | 4022 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25le | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-USON (3x2) | télécharger | 1970-gd25le16eeigrtr | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 16mbitons | 6 ns | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 60 µs, 2,4 ms |
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