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Mémoire (847)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Gd25vq20ceigr | - |  | 3916 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Gd25vq20 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 3 ms | |||
 | Gd25lq255efjrr | 2.8683 | | 7649 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 16-SOP | télécharger | 1970-GD25LQ255EFJRRTR | 1 000 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | - | ||||||||
| Gd9au8g8e3amgi | 14.6400 | | 3554 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd9a | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | 1970-GD9AU8G8E3AMGI | 960 | Non volatile | 8 Gbit | 18 ns | Éclair | 1g x 8 | Parallèle | 20ns | ||||||||
| Gd25lq16agr | 0,9688 | | 2887 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2,1 V | 8-USON (3x2) | - | 1970-GD25LQ16AGRTR | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 16mbitons | 6 ns | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 100 µs, 4 ms | |||||||
| Gd25lx512mefirr | 6.7411 | | 5150 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lx | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 16-SOP | - | 1970-gd25lx512mefirrtr | 1 000 | 200 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - e / s octal, dtr | - | ||||||||
| Gd25q128eqegr | 1.7194 | | 9428 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XDFN | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USON (4x4) | télécharger | 1970-GD25Q128EQEGRTR | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | 7 ns | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o | 140 µs, 4 ms | |||||||
| GD25LF128EWIGR | 1.9780 | | 4678 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LF | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-WSON (5x6) | télécharger | 1970-GD25LF128EWIGRTR | 3 000 | 166 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | - | ||||||||
| Gd5f4gm8ueyigy | 5.5550 | | 3581 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd5f | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | télécharger | 1970-gd5f4gm8ueyigy | 4 800 | 133 MHz | Non volatile | 4 Gbit | 7 ns | Éclair | 1g x 4 | Spi - quad e / o, dtr | 600 µs | |||||||
 | Gd5f4gq4rbyigr | - | | 8884 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Gd5f4gq4 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Spi - quad e / o | ||||
 | Gd25q16enigr | 0,8700 | | 1 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UDFN | GD25Q16 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USON (4x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 16mbitons | 7 ns | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | 70 µs, 2 ms | ||
| Gd25lb512mefirr | 4.5486 | | 3154 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25lb | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 16-SOP | télécharger | 1970-gd25lb512mefirrtr | 1 000 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | - | ||||||||
 | Gd25q16esigr | 0,7100 | | 7 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25Q16 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 000 | 133 MHz | Non volatile | 16mbitons | 7 ns | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | 70 µs, 2 ms | ||
| Gd25ve16ctigr | - | | 8137 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | GD25VE16 | Flash - ni | 2.1V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | - | |||
| Gd25wq64esigr | 1.3900 | | 3498 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 2 000 | 104 MHz | Non volatile | 64mbitons | 12 ns | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o | 120 µs, 4 ms | |||||
| Gd25ve20ceigr | - | | 1534 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | GD25VE20 | Flash - ni | 2.1V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Spi - quad e / o | - | |||
| GD9FS2G8F2ALGI | 4.7455 | | 9013 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd9f | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-fbga (9x11) | télécharger | 1970-GD9FS2G8F2ALGI | 2 100 | Non volatile | 2 gbit | 20 ns | Éclair | 256m x 8 | Onfi | 25ns | ||||||||
| Gd25q32ctjgr | - | | 4890 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | GD25Q32 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| Gd55lx01gefirr | 18.7900 | | 5406 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 16-SOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 1 000 | 200 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Spi - e / s octal, dtr | - | ||||||
| Gd25vq20ctig | 0,2885 | | 6283 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Gd25vq20 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 20 000 | 104 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 3 ms | |||
| GD25Q128EYIGR | 2.1300 | | 8352 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | 7 ns | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o | 70 µs, 2,4 ms | |||||
| Gd25q32esigr | 0,9400 | | 4 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25Q32 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 133 MHz | Non volatile | 32mbitons | 7 ns | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | 70 µs, 2,4 ms | ||
| Gd5f1gm7uewigy | 2.0685 | | 9754 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd5f | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (5x6) | télécharger | 1970-gd5f1gm7uewigy | 5 700 | 133 MHz | Non volatile | 1 gbit | 7 ns | Éclair | 256m x 4 | Spi - quad e / o, dtr | 600 µs | |||||||
| GD25Q32EWIGR | 1.1100 | | 5940 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 32mbitons | 7 ns | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | 70 µs, 2,4 ms | |||||
| GD25R128EWIGR | 1.7152 | | 8921 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25R | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (5x6) | - | 1970-GD25R128EWIGRTR | 3 000 | 200 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o | - | ||||||||
| Gd25lb32esigr | 0,6363 | | 2319 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25lb | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-SOP | télécharger | 1970-gd25lb32esigrtr | 2 000 | 133 MHz | Non volatile | 32mbitons | 6 ns | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
| Gd25lq16c8igr | - | | 5487 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-xflga | GD25LQ16 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2,1 V | 8-LGA | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
 | Gd25lq32dnigr | 1.2300 | | 7 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UDFN | GD25LQ32 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 8-USON (4x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | 2,4 ms | |||
| GD25LR256FIRR | 2.8974 | | 4907 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LR | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 16-SOP | - | 1970-GD25LR256Firrtr | 1 000 | 104 MHz | Non volatile | 256mbitons | 9 ns | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 70 µs, 1,2 ms | |||||||
| Gd55t01gef2rr | 16.4782 | | 6100 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55t | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP | - | 1970-GD55T01GEF2RRTR | 1 000 | 200 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Spi - quad e / o, dtr | - | ||||||||
| Gd25q40etjgr | 0,3640 | | 9044 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | 1970-GD25Q40ETJGRTR | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 7 ns | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o | 140 µs, 4 ms |
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