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Mémoire (847)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Gd25ld80csig | - |  | 1543 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | Gd25ld80 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 9 500 | 50 MHz | Non volatile | 8mbitons | Éclair | 1m x 8 | Spi - double e / s | 60 µs, 6 ms | |||
 | Gd25lb128eyigr | 1.4524 | | 4069 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25lb | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | télécharger | 1970-GD25LB128EYIGRTR | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | - | ||||||||
| Gd5f1gq5uewigr | 1.4109 | | 8056 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd5f | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (5x6) | télécharger | 1970-gd5f1gq5uewigrtr | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 1 gbit | 7 ns | Éclair | 256m x 4 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 600 µs | |||||||
| GD25LQ128DSIG | 1.4585 | | 1215 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25LQ128 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9 500 | 120 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o | 2,4 ms | |||
 | Gd25q64cfigr | 1.0164 | | 7769 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | GD25Q64 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 120 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| Gd9fs1g8f3amgi | 2.7082 | | 5884 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Plateau | Actif | - | 1970-gd9fs1g8f3amgi | 960 | |||||||||||||||||||||
| Gd25lq32dsigr | 1.0800 | | 46 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25LQ32 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 120 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | 2,4 ms | |||
| GD25LQ16CSIG | 0,4195 | | 7089 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25LQ16 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2,1 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 9 500 | 104 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| Gd5f1gq5ueyjgr | 2.9324 | | 5226 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd5f | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | télécharger | 1970-gd5f1gq5ueyjgrtr | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 1 gbit | 7 ns | Éclair | 256m x 4 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 600 µs | |||||||
| GD25F128FSIGR | 1.3198 | | 2850 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25f | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | - | 1970-GD25F128FSIGRTR | 2 000 | 200 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o | - | ||||||||
 | GD25D05CKIGR | 0,2725 | | 6700 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Gd25d05 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USON (1,5x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 100 MHz | Non volatile | 512kbit | Éclair | 64k x 8 | Spi - double e / s | 50 µs, 4 ms | |||
| Gd5f1gq5reyigr | 2.4898 | | 9975 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd5f | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | télécharger | 1970-gd5f1gq5reyigrtr | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 1 gbit | 9,5 ns | Éclair | 256m x 4 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 600 µs | |||||||
 | GD25Q20COIGR | - | | 7018 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | GD25Q20 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| Gd25f64fsagr | 1.4939 | | 7244 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25f | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | - | 1970-GD25F64fsagrtr | 2 000 | 200 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o, dtr | - | ||||||||
| Gd9fs8g8e2amgi | 14.9396 | | 3046 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd9f | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-tsop i | télécharger | 1970-gd9fs8g8e2amgi | 960 | Non volatile | 8 Gbit | 22 ns | Éclair | 1g x 8 | Onfi | 25ns | ||||||||
| GD25LB256FIRR | 2.4606 | | 7001 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25lb | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 16-SOP | télécharger | 1970-GD25LB256Firrtr | 1 000 | 166 MHz | Non volatile | 256mbitons | 6 ns | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 70 µs, 1,2 ms | |||||||
| Gd25lb512mey2gy | 7.1953 | | 5315 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25lb | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD25LB512MEY2GY | 4 800 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | - | ||||||||
 | Gd5f4gq4ucyigr | - | | 4519 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Gd5f4gq4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Spi - quad e / o | ||||
 | Gd25q80ceigr | 0,6800 | | 44 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | GD25Q80 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 8mbitons | Éclair | 1m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| Gd25q80ctigr | 0,6100 | | 30 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | GD25Q80 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 8mbitons | Éclair | 1m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| Gd25lr128eyigr | 1.8135 | | 5749 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LR | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD25LR128EYIGRTR | 3 000 | 200 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o | - | ||||||||
| Gd9fu2g8f2amgi | 4.5630 | | 3459 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd9f | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | 1970-gd9fu2g8f2amgi | 960 | Non volatile | 2 gbit | 18 ns | Éclair | 256m x 8 | Onfi | 20ns | ||||||||
| GD25VE32CSIGR | - | | 3345 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25VE32 | Flash - ni | 2.1V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 104 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | - | |||
| GD25B512MEF2RR | 6.7701 | | 1028 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP | - | 1970-GD25B512MEF2RRTR | 1 000 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | - | ||||||||
| Gd9fu8g8e2amgi | 14.3117 | | 9780 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd9f | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | 1970-gd9fu8g8e2amgi | 960 | Non volatile | 8 Gbit | 18 ns | Éclair | 1g x 8 | Onfi | 20ns | ||||||||
| Gd25lf16eeeg | 0,7582 | | 5042 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LF | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-USON (3x2) | télécharger | 1970-GD25LF16EEGRTR | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 16mbitons | 5,5 ns | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 100 µs, 4 ms | |||||||
| Gd25q64cyigr | 1.2300 | | 9 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | GD25Q64 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25LQ128EWIGR | 2.3000 | | 3 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | GD25LQ128 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 8-WSON (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 128mbitons | 7 ns | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o | 60 µs, 2,4 ms | ||
| Gd25ld10ceigr | 0,2885 | | 3687 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Gd25ld10 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 8-USON (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 50 MHz | Non volatile | 1mbit | Éclair | 128k x 8 | Spi - double e / s | 55 µs, 6 ms | |||
| GD25Q16CTJGR | - | | 1159 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | GD25Q16 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 120 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 2,4 ms |
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