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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT46H4M32LFB5-6 IT: K | - |  | 6664 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H4M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | 15NS | |
 | MT46V64M8BN-6 L: F | - | | 7982 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V64M8 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | |
 | MT47H128M8CF-3 IT: H | - | | 8073 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H128M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | |
| MT47H512M8WTR-3: C | - | | 4970 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 63-TFBGA | MT47H512M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 63-fbga (9x11,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 4 Gbit | 450 PS | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | 15NS | |
 | MT29F1G16ABBDAHC: D | - | | 1855 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 64m x 16 | Parallèle | - | ||||
 | MT29F64G08AECABH1-10: A | - | | 6654 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 100 MHz | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT41K256M8DA-15E: M | - | | 1744 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K256M8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (8x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 667 MHz | Volatil | 2 gbit | 13,5 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | - | ||
| MT47H64M8JN-25E: G | - | | 2160 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H64M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | Mt29f4g08abadawp-it: D tr | 6.6000 | | 202 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT41K256M16TW-107 AAT: P | 6.9134 | | 7475 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K256M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 368 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | |
| MT29F16G08CBECBL72A3WC1P | - | | 7681 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F16G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | Mourir | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 2G x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT29F256G08CEECBH6-12: C Tr | - | | 5224 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 152-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 152-VBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||
| EDFP112A3PF-GDTJ-FD | - | | 6104 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | EDFP112 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 800 MHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 192m x 128 | Parallèle | - | |||
| EDFP164A3PB-JD-FD | - | | 7357 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | EDFP164 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-FBGA (15x15) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 190 | 933 MHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 384m x 64 | Parallèle | - | ||
| EDFA232A2PD-GD-FD | - | | 6334 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDFA232 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 680 | 800 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | Parallèle | - | |||
| EMFA232A2PF-DV-FD | - | | 6321 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | EMFA232 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 680 | ||||||||||||||||
| MT29F128G08EBEBBWP: B Tr | - | | 4575 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES: B Tr | - | | 5844 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F1HT08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 267 MHz | Non volatile | 1,5 tbit | Éclair | 192g x 8 | Parallèle | - | ||
| MT29F256G08AMEBBK7-12: B Tr | - | | 1041 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | |||
| MT29F512G08CFCBBWP-10ES: B Tr | - | | 7318 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 100 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | ||
| MT29F512G08ELCDBG7-37ES: D TR | - | | 8873 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F512G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 267 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | ||
| MT29F64G08CBBH1-10X: B TR | - | | 5826 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 100 MHz | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | ||
| Mt29f6t08ethbbm5-3res: b tr | - | | 1662 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F6T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 333 MHz | Non volatile | 6 tbit | Éclair | 768g x 8 | Parallèle | - | ||
| MT29F8G08ABABAWP-AITX: B TR | - | | 7074 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F8G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 8 Gbit | Éclair | 1g x 8 | Parallèle | - | |||
| MT41K256M16TW-093 IT: P TR | - | | 3170 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K256M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1 066 GHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | |
| MT42L128M32D1TK-25 AAT: A TR | - | | 3354 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 134-WFBGA | MT42L128M32 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 134-fbga (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 128m x 32 | Parallèle | - | |||
 | Mt52l512m32d2pf-107 wt: b tr | 24.1050 | | 2225 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 178-VFBGA | MT52L512 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | 178-fbga (11,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | - | - | ||
| MT40A512M16JY-083E AUT: B TR | - | | 9302 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A512M16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | - | ||
| EDF8164A3PK-JD-FR TR | - | | 3705 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | EDF8164 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-FBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 128m x 64 | Parallèle | - | ||
| MT51J256M32HF-60: A TR | - | | 1880 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 170-TFBGA | MT51J256 | Sgram - gddr5 | 1,31V ~ 1,39 V, 1,46 V ~ 1,55 V | 170-FBGA (12x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 000 | 1,5 GHz | Volatil | 8 Gbit | Bélier | 256m x 32 | Parallèle | - |
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