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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT44K32M18RB-125: A | - |  | 6444 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 TBGA | MT44K32M18 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 190 | 800 MHz | Volatil | 576mbit | 12 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
 | M29w800dt70n6f tr | - | | 6169 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W800 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 8mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT53D1024M32D4BD-053 WT ES: D | - | | 1883 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D1024 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | - | - | |||||
| Mt29f8t08ewleem5-r: e tr | 171.6300 | | 1176 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | - | - | Flash - Nand (TLC) | - | - | - | 557-MT29F8T08EWLEEM5-R: ETR | 1 500 | Non volatile | 8 tbit | Éclair | 1t x 8 | Parallèle | - | |||||||||
| MT62F1G64D4ZV-023 WT: B | 37.2450 | | 7877 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT62F1G64D4ZV-023WT: B | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT28F800B5SG-8 T | - | | 6507 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur) | MT28F800B5 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Non volatile | 8mbitons | 80 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 80ns | |||
| MT29F8G08ABABAWP-IT: B | - | | 3375 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F8G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 8 Gbit | Éclair | 1g x 8 | Parallèle | - | ||||
| M58WR064KT70D16 | - | | 7835 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | M58WR064 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 66 MHz | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| Mt53d4dgsb-dc tr | - | | 9034 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | MT53D4 | - | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 000 | |||||||||||||||||||
| M50FLW040BNB5G | - | | 7640 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0 488 ", 12,40 mm de grand) | M50FLW040 | Flash - ni | 3V ~ 3,6 V | 32-tsop | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | 33 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 250 ns | Éclair | 512k x 8 | Parallèle | - | ||
 | MT48LC8M16A2B4-75 IT: G | - | | 6867 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| Mtfc64gasaons-aat | 41.4750 | | 1319 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-mtfc64gasaons-aat | 1 | 52 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
 | MTFC128GAPALNS-AAT | 105.4600 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 153-TFBGA | MTFC128 | Flash - Nand | - | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 520 | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | MMC | - | ||||
| MT48H8M16LFB4-6 IT: K TR | - | | 8553 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT53E2G32D4DE-046 AUT: C TR | 64.9800 | | 6952 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046AUT: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | 3,5 ns | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | 18n | |||||||
| MT62F2G32D4DS-023 AAT: C TR | 63.8550 | | 4836 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AAT: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | - | ||||||||
 | JS28F128P33TF70A | - | | 4650 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JS28F128P33 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | Non volatile | 128mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 16 | Parallèle | 70ns | ||
| MT29F64G08CBCGBSX-37B: G TR | - | | 4434 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 267 MHz | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||
| MT29VZZZAD8GUFSL-046 W.219 TR | 24.7950 | | 4843 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29VZZZAD8GUFSL-046W.219TR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
| MTFC32GASAONS-AIT TR | 21.1800 | | 3919 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q104 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-MTFC32GASAONS-AITTR | 2 000 | 52 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
| MT62F1G32D4DS-031 WT: B TR | 23.3100 | | 6157 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031WT: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||||||
| EDBA164B2PF-1D-FD | - | | 6282 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | - | EDBA164 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 260 | 533 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | Parallèle | - | |||
| Mt53b4dapv-dc tr | - | | 8620 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | - | MT53B4 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | Volatil | Drachme | |||||||||||
 | Mt55v512v36ft-10 | 17.3600 | | 620 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT55V512V | Sram - synchrone, zbt | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatil | 18mbitons | 7,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
| MT62F2G64D8CL-023 WT: B | 74.4900 | | 4341 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | Sdram - ddr5 | 1,05 V | - | - | 557-MT62F2G64D8CL-023WT: B | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 128 GBIT | Drachme | 2G x 64 | Parallèle | - | ||||||||
| MT53E1G16D1Z42NWC1 | 18.5900 | | 4472 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT53E1G16D1Z42NWC1 | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F2T08ELLCEG7-R: C | 60 5400 | | 1551 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F2T08ELLCEG7-R: C | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT28F400B5WP-8 B TR | - | | 1798 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F400B5 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4mbbitons | 80 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 80ns | |||
| MT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94M TR | - | | 4136 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | |||||||||||||||||
 | MT53D512M64D4NZ-046 WT ES: E TR | - | | 1238 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 376-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 376-WFBGA (14x14) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - |
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