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Mémoire (364)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ndq86pfi-7nit | 11.9700 |  | 3366 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | NDQ86P | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NDQ86PFI-7NIT | 198 | 1 333 GHz | Volatil | 8 Gbit | 18 ns | Drachme | 512m x 16 | Coffre | 15NS | |||||
 | NDS73PBE-20AT TR | 4.2766 | | 9742 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NDS73PBE-20ATTR | 2 000 | |||||||||||||||||||
| Nds36pt5-20it | 2.7899 | | 5546 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | - | 1982-NDS36PT5-20IT | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 256mbitons | 4,5 ns | Drachme | 16m x 16 | Lvttl | 10ns | |||||||
| Ndq86pfi-7nit tr | 11.9700 | | 3291 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | NDQ86P | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-ndq86pfi-7nittr | 1 500 | 1 333 GHz | Volatil | 8 Gbit | 18 ns | Drachme | 512m x 16 | Coffre | 15NS | |||||
| Ndl28pfr-8kit | - | | 6555 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-VFBGA | NDL28 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-FBGA (7,5x10,5) | - | Atteindre non affecté | 1982-NDL28PFR-8KIT | EAR99 | 8542.32.0036 | 210 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | |||
| Ndl56pfj-8ket tr | 2.7602 | | 6729 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-VFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x13) | - | 1982-ndl56pfj-8kettr | 2 500 | 800 MHz | Volatil | 512mbitons | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||||||||
| NSEC53K008-AT | 18.8618 | | 4589 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | NSEC | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 153-VFBGA | Flash - Nand (MLC) | 3,3 V | 153-fbga (11,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NSEC53K008-AT | 152 | 200 MHz | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | EMMC_5 | - | ||||||
| Ndd56pt6-2aet | 2.5508 | | 1576 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | - | 1982-ndd56pt6-2aet | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | Drachme | 32m x 16 | Sstl_2 | - | ||||||||
| NSEC53T064-AT | 73.1250 | | 6346 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | NSEC | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 153-VFBGA | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-fbga (11,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NSEC53T064-AT | 152 | 200 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
 | Ndl88pfo-8ket | 18.6200 | | 7138 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | Ndl88p | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (9x10.6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-ndl88pfo-8ket | 180 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | - | ||||||
 | Nds76pt5-16it | 2.2048 | | 2923 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | NDS76P | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NDS76PT5-16IT | 108 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5 ns | Drachme | 8m x 16 | Lvttl | 12ns | |||||
| NLQ26PFS-8NAT | 8.8663 | | 7230 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NLQ26PFS-8NAT | 136 | 1,2 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 16 | Lvstl | 18n | |||||
| NLQ83PFS-8NET | 17.8885 | | 5861 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NLQ83PFS-8NET | 136 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 256m x 32 | Lvstl | 18n | |||||
| NDS66PBA-20IT | 2.5776 | | 1621 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | * | Plateau | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NDS66PBA-20IT | 348 | |||||||||||||||||||
| Ndl16pfj-8ket | 3.6017 | | 9268 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-VFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-ndl16pfj-8ket | 209 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | - | ||||||
 | NDL28PFH-9MET TR | - | | 8460 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-VFBGA | NDL28 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 500 | 933 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | |||
| NLQ26PFS-6NET | 7.1215 | | 8184 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NLQ26PFS-6NET | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 16 | Lvstl | 18n | |||||
 | Ndq86pfi-7net | 10.6400 | | 3602 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | NDQ86P | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NDQ86PFI-7NET | 198 | 1 333 GHz | Volatil | 8 Gbit | 18 ns | Drachme | 512m x 16 | Coffre | 15NS | |||||
| Nlq43pfs-8nit tr | 15.7000 | | 1354 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 32 | Lvstl | 18n | ||||||
| Nlq83pfs-6net tr | 24.5100 | | 6862 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 2 000 | 1,6 GHz | Volatil | 8 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 256m x 32 | Lvstl | 18n | ||||||
| NDS73PBE-16ET | 3.6404 | | 4806 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | * | Plateau | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NDS73PBE-16ET | 190 | |||||||||||||||||||
| NLQ83PFS-8NIT | 21.6750 | | 3894 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | - | 1982-NLQ83PFS-8NIT | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | Lvstl | - | ||||||||
| NLQ83PFS-6NIT | 18.1702 | | 7007 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NLQ83PFS-6NIT | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 8 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 256m x 32 | Lvstl | 18n | |||||
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 | NSEC00K032-AT | 79.3000 | | 7349 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | NSEC | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 100 lbga | NSEC00 | Flash - Nand (MLC) | 3,3 V | 100-BGA (14x18) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NSEC00K032-AT | 98 | 200 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | EMMC | - | |||||
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| NDS76PBA-16IT TR | 2.1688 | | 4532 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NDS76PBA-16ITTR | 2 500 | |||||||||||||||||||
 | Nds36pt5-16it | 2.7110 | | 4083 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | NDS36P | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-nds36pt5-16it | 108 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5 ns | Drachme | 16m x 16 | Lvttl | 12ns | |||||
| Ndq46pfi-6nit tr | 9h0000 | | 4572 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13) | - | 1982-NDQ46PFI-6NITTR | 1 500 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | 18 ns | Drachme | 256m x 16 | Coffre | 15NS | |||||||
| NDB26PFC-5EIT | 7.5747 | | 9341 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | NDB2 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NDB26PFC-5EIT | 209 | 533 MHz | Volatil | 2 gbit | 400 PS | Drachme | 128m x 16 | Sstl_18 | 15NS |
2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
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