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Mémoire (364)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
Ndq48pfq-7nit	7.9800	RFQ	3038	INSignnis Technology Corporation	NDQ48P	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (7.5x10.6)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-NDQ48PFQ-7NIT			242	1 333 GHz	Volatil	4 Gbit	18 ns	Drachme	512m x 8	Coffre	15NS
Ndq46pfp-8net	-	RFQ	7506	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-				1982-NDQ46PFP-8NET	OBSOLÈTE		2 500	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit	18 ns	Drachme	256m x 16	Coffre	15NS
NSEC53T032-AT	28.1250	RFQ	3064	INSignnis Technology Corporation	NSEC	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	153-VFBGA		Flash - Nand (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-fbga (11,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-NSEC53T032-AT			152	200 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	EMMC_5.1	-
NDB16PFC-5EIT TR	3.8250	RFQ	5382	INSignnis Technology Corporation	NDB1L	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	NDB16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	-				1982-NDB16PFC-5EITTR			2 500	533 MHz	Volatil	1 gbit	350 PS	Drachme	64m x 16	Sstl_18	15NS
NLQ46PFS-8NAT	12.7287	RFQ	4792	INSignnis Technology Corporation	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-NLQ46PFS-8NAT			136	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit	3,5 ns	Drachme	256m x 16	Lvstl	18n
NSEC00K008-IT	22.3000	RFQ	1	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	100 lbga	NSEC00	Flash - Nand (MLC)	3,3 V	100-BGA (14x18)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	1982-1026	3A991B1A	8542.32.0071	152	200 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	EMMC	-
NDS96PT4-16ET	1.1709	RFQ	9819	INSignnis Technology Corporation	*	Plateau	Actif								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-NDS96PT4-16ET			117
NDS36PT5-16ET	2.4786	RFQ	8989	INSignnis Technology Corporation	NDS36P	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-NDS36PT5-16ET			108	166 MHz	Volatil	256mbitons		Drachme	16m x 16	Lvttl	-
Nlq43pfs-6net tr	14.7500	RFQ	4564	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)					2 000	1,6 GHz	Volatil	4 Gbit	3,5 ns	Drachme	128m x 32	Lvstl	18n
NDS66PBA-20ET	2.4303	RFQ	4573	INSignnis Technology Corporation	*	Plateau	Actif								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-NDS66PBA-20ET			348
Ndl28pfr-8ket tr	6.0638	RFQ	8972	INSignnis Technology Corporation	Ndl28p	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-VFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-FBGA (7,5x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-ndl28pfr-8kettr			2 500	800 MHz	Volatil	2 gbit		Drachme	256m x 8	Parallèle	-
NLQ46PFS-6NIT	12.3750	RFQ	9927	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	-				1982-NLQ46PFS-6NIT			2 000	1,6 GHz	Volatil	4 Gbit	3,5 ns	Drachme	256m x 16	Lvstl	18n
NSEC00K032-ITJ	76.8750	RFQ	2850	INSignnis Technology Corporation	NSEC	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	100 lbga		Flash - Nand (PSLC)	3,3 V	100-BGA (14x18)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-NSEC00K032-ITJ			98	200 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	EMMC_5	-
Ndq46pfp-7xet tr	-	RFQ	3418	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	-	-				1982-NDQ46PFP-7XETTR	OBSOLÈTE		2 500	1 333 GHz	Volatil	4 Gbit	18 ns	Drachme	256m x 16	Coffre	15NS
Ndl86pfg-8kit tr	19.7505	RFQ	2747	INSignnis Technology Corporation	Ndl86p	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-ndl86pfg-8kittr			2 000	800 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
Ndl48pfq-9mit tr	9h0000	RFQ	2726	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (7.5x10.6)	-				1982-NDL48PFQ-9MITTR			2 500	933 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
NSEC53K008-IT	24.1600	RFQ	1	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	153-VFBGA	NSEC53	Flash - Nand (MLC)	3,3 V	153-fbga (11,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	1982-1029	3A991B1A	8542.32.0071	152	200 MHz	Non volatile	8 Gbit		Éclair	1g x 8	EMMC	-
Ndl26pfi-8ket tr	6.5463	RFQ	8177	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-VFBGA	NDL26	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (7,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	1982-ndl26pfi-8kettr	EAR99	8542.32.0036	1 500	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
Ndl86pfe-8kit tr	-	RFQ	2377	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	-	-				1982-ndl86pfe-8kittr	OBSOLÈTE		2 000	800 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	512m x 16	Parallèle	-
NSEC53T008-ITJ	17.3574	RFQ	2268	INSignnis Technology Corporation	NSEC	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	153-VFBGA		Flash - Nand (PSLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-fbga (11,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-NSEC53T008-ITJ			152	200 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	EMMC_5.1	-
NLQ43PFS-6NIT	12.3750	RFQ	1354	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	-				1982-NLQ43PFS-6NIT			2 000	1,6 GHz	Volatil	4 Gbit	3,5 ns	Drachme	128m x 32	Lvstl	18n
Ndl28pfh-8kit tr	-	RFQ	6120	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-VFBGA	NDL28	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	2 500	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
Ndl86pfe-8ket tr	-	RFQ	3860	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	-	-		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	-	-				1982-ndl86pfe-8kettr	OBSOLÈTE		2 000	800 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
NDS73PT9-20IT TR	3.5870	RFQ	4867	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	-				1982-NDS73PT9-20ITTR			1 000	200 MHz	Volatil	128mbitons	5 ns	Drachme	4m x 32	Lvttl	-
NLQ46PFS-8NIT	12.3750	RFQ	8817	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	-				1982-NLQ46PFS-8NIT			2 000	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	Lvstl	-
Ndl88pfo-9mit	19.7505	RFQ	8066	INSignnis Technology Corporation	Ndl88p	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (9x10.6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-ndl88pfo-9mit			180	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	1g x 8	Parallèle	15NS
Ndl16pfj-9mit tr	4.0169	RFQ	4561	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-VFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x13)	-				1982-NDL16PFJ-9MITTR			1 500	933 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
Nlq26pfs-8nit tr	10.7100	RFQ	3426	INSignnis Technology Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)					2 000	1,2 GHz	Volatil	2 gbit	3,5 ns	Drachme	128m x 16	Lvstl	18n
NLQ43PFS-8NAT	13.1670	RFQ	8306	INSignnis Technology Corporation	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-NLQ43PFS-8NAT			136	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit	3,5 ns	Drachme	128m x 32	Lvstl	18n
Ndq48pfq-8nit tr	7.9800	RFQ	8882	INSignnis Technology Corporation	NDQ48P	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (7.5x10.6)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-NDQ48PFQ-8NITTR			2 500	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit	18 ns	Drachme	512m x 8	Coffre	15NS

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Mémoire (364)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²