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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT62F1G32D2DS-023 WT: C TR | 22.8450 | ![]() | 4763 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WT: CTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||||||
![]() | GS8642Z36GB-250IV | 211.8300 | ![]() | 19 | 0,00000000 | GSI Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 119-BGA | GS8642Z | Sram - synchrone, zbt | 1,7 V ~ 2V, 2,3 V ~ 2,7 V | 119-FPBGA (22x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 2364-GS8642Z36GB-250IV | EAR99 | 8542.32.0041 | 14 | 250 MHz | Volatil | 72mbitons | Sram | 2m x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | FEMC008GttA7-T13-16 | 41.7600 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Flexxon Pte Ltd | Xtra III | Plateau | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 153-VFBGA | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-fbga (11,5x13) | télécharger | 3 (168 Heures) | 3052-FEMC008GttA7-T13-16 | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | Non volatile | 8 Gbit | Éclair | 8g x 1 | EMMC | - | ||||||
![]() | 46W0678-C | 111.2500 | ![]() | 7690 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-46W0678-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | GD25LD80CSIGR | 0,3549 | ![]() | 8832 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | Gd25ld80 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 000 | 50 MHz | Non volatile | 8mbitons | Éclair | 1m x 8 | Spi - double e / s | 60 µs, 6 ms | |||
Bu9890gul-we2 | 0,7470 | ![]() | 5071 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 6-ufbga, cspbga | BU9890 | Eeprom | 1,7 V ~ 3,6 V | VCSP50L1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 3 000 | 400 kHz | Non volatile | 32kbit | Eeprom | 4k x 8 | I²c | 5 ms | ||||
![]() | CAT93C86xi | - | ![]() | 3225 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | CAT93C86 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 3 MHz | Non volatile | 16kbit | Eeprom | 2k x 8, 1k x 16 | Microwire | - | |||
![]() | 25LC010A-E / MS | 0,6450 | ![]() | 9035 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand) | 25LC010 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8 MSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | Non volatile | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | Pimenter | 5 ms | |||
![]() | Cy15b116qsn-108bkxit | 45.1269 | ![]() | 1350 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Excelon ™ -ultra, F-Ram ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Fram (Ferroelectric RAM) | 1,8 V ~ 3,6 V | 24-fbga (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 2 000 | 108 MHz | Non volatile | 16mbitons | 6.7 ns | Fracture | 2m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | - | |||||
![]() | S25FL512SAGMFIR13 | 9.8400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | S25FL512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1450 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o | - | |||
![]() | Mb85re4m2tfn-g-jae2 | - | ![]() | 7143 | 0,00000000 | Kaga Fei America, Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Mb85re4 | Fram (Ferroelectric RAM) | 1,8 V ~ 3,6 V | 44-tsop | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 4mbbitons | Fracture | 256k x 16 | - | 150ns | |||||
![]() | At24c1024y4-10yu-2.7 | - | ![]() | 3256 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | At24c1024 | Eeprom | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SAP (4.9x6.0) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 74 | 1 MHz | Non volatile | 1mbit | 550 ns | Eeprom | 128k x 8 | I²c | 10 ms | ||
![]() | AS4C32M16D2C-25BCN | 3.7800 | ![]() | 209 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | AS4C32 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1450-AS4C32M16D2C-25BCN | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 0,4 ns | Drachme | 32m x 16 | Sstl_18 | 15NS | ||
![]() | 70v9359l9pfi | - | ![]() | 6940 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 70V9359 | Sram - double port, synchrone | 3V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | - | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | Volatil | 144kbit | 9 ns | Sram | 8k x 18 | Parallèle | - | ||||
![]() | Cy62256vnll-70snxit | 2.2400 | ![]() | 586 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | CY62256 | Sram - asynchrone | 2,7 V ~ 3,6 V | 28-Sic | télécharger | Rohs3 conforme | 2832-CY62256VNLL-70SNXIT | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 256kbit | 70 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 70ns | ||||
![]() | 812221-001-C | 132.5000 | ![]() | 6995 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-812221-001-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
NM27C256V200 | - | ![]() | 3964 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 32 LCC (J-LEAD) | NM27C25 | Eprom - OTP | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PLCC (14x11.46) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0061 | 30 | Non volatile | 256kbit | 200 ns | Eprom | 32k x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | NM95C12EM | - | ![]() | 1087 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | NM95C12 | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V | 14-SOIC | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 55 | 1 MHz | Non volatile | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | Pimenter | 10 ms | |||
GS81302DT38GE-500I | 243.6300 | ![]() | 9248 | 0,00000000 | GSI Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | Support de surface | 165 LBGA | GS81302DT38 | Sram - Port Quad, synchrone | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FPBGA (15x17) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 2364-GS81302DT38GE-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 500 MHz | Volatil | 144mbitons | Sram | 4m x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | W25Q256JVBIM | 2.6831 | ![]() | 8737 | 0,00000000 | Electronique Winbond | SPIFLASH® | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | W25Q256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o | 3 ms | |||
![]() | 7052S20G | - | ![]() | 6783 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Par le trou | 108-BPGA | 7052S20 | Sram - Port Quad, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 108-PGA (30.48x30.48) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 3 | Volatil | 16kbit | 20 ns | Sram | 2k x 8 | Parallèle | 20ns | |||
![]() | MX25R4035FZUIH0 | 0,3827 | ![]() | 5648 | 0,00000000 | Macronix | MXSMIO ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UFDFN | MX25R4035 | Flash - ni | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1B1 | 8542.32.0071 | 12 000 | 108 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o | 100 µs, 4 ms | |||
![]() | At49bv001ant-55ti | - | ![]() | 3041 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | At49bv001 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 32-tsop | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | Non volatile | 1mbit | 55 ns | Éclair | 128k x 8 | Parallèle | 50 µs | |||
![]() | BR93G56FVJ-3AGTE2 | - | ![]() | 2781 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand) | BR93G56 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP-BJ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 2 500 | 3 MHz | Non volatile | 2kbit | Eeprom | 128 x 16 | Microwire | 5 ms | |||
![]() | AS7C256A-15TCN | 1.9941 | ![]() | 3115 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur) | AS7C256 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | Q9105101 | EAR99 | 8542.32.0041 | 234 | Volatil | 256kbit | 15 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | S98WS512N0GFW0180G | - | ![]() | 5286 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | R1LV0408DSA-5SR # B0 | 13.3100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand) | R1lv0408d | Sram | 2,7 V ~ 3,6 V | 32-tsop I | - | Non applicable | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 4mbbitons | 55 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 55ns | |||||
![]() | Mtfc16ganalea-wt | - | ![]() | 2230 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | Mtfc16 | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 520 | ||||||||||||||||||
![]() | IS41LV16100C-50TI-TR | - | ![]() | 1194 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur), 44 pistes | IS41LV16100 | DRAM - EDO | 2 97V ~ 3,63 V | 50-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | Volatil | 16mbitons | 25 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | 85ns | |||
![]() | MT51K256M32HF-50 N: A TR | - | ![]() | 8109 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | MT51K256 | Sgram - gddr5 | 1,3 V ~ 1 545 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 000 | 1,25 GHz | Volatil | 8 Gbit | Bélier | 256m x 32 | Parallèle | - |
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