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Mémoire (70838)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Sic programmable	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type programmable	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
TM248NBK36R-80	60,0000	RFQ	49	Texas Instruments	*	En gros	Actif									télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8473.30.1140	1
AT27C256R-90JI	-	RFQ	5072	Technologie des micropuces	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	32 LCC (J-LEAD)	AT27C256	Eprom - OTP		4,5 V ~ 5,5 V	32-PLCC (13.97x11.43)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté	AT27C256R90JI	EAR99	8542.32.0061	32			Non volatile	256kbit	90 ns	Eprom	32k x 8	Parallèle	-
CY7C1480V33-200AXC	-	RFQ	4609	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	CY7C1480	Sram - synchrone, d.		3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz		Volatil	72mbitons	3 ns	Sram	2m x 36	Parallèle	-
At25128t1-10ti	-	RFQ	1582	Technologie des micropuces	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	14-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	AT25128	Eeprom		4,5 V ~ 5,5 V	14-TSSOP	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	At25128t110ti	EAR99	8542.32.0051	100	3 MHz		Non volatile	128kbit		Eeprom	16k x 8	Pimenter	5 ms
Edb4432bbbj-1d-fr	-	RFQ	1543	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-WFBGA	EDB4432	Sdram - mobile lpddr2		1,14 V ~ 1,95 V	134-fbga (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	533 MHz		Volatil	4 Gbit		Drachme	128m x 32	Parallèle	-
Cy7c1061dv33-10bvxi	49.1400	RFQ	6	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	CY7C1061	Sram - asynchrone		3V ~ 3,6 V	48-VFBGA (8x9,5)	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2A	8542.32.0041	11			Volatil	16mbitons	10 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	10ns
GT28F800B3T90	0,6700	RFQ	178	Intel	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA		Flash - Bloc de Démarrage		2,7 V ~ 3,6 V	48-UBGA (7.7x9)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.32.0071	1			Non volatile	8mbitons	90 ns	Éclair	512k x 16	Cui	-
S34ML08G201TFI003	-	RFQ	2691	Étendu	Automotive, AEC-Q100, ML-2	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	S34ML08	Flash - Nand (SLC)		2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Non applicable				3A991B1A	8542.32.0051	1 000			Non volatile	8 Gbit	25 ns	Éclair	1g x 8	Parallèle	25ns
LE82G965	34.6600	RFQ	10	Intel	*	En gros	Actif									-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	360
MT40A256M16GE-062E: B Tr	-	RFQ	9652	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT40A256M16	Sdram - ddr4		1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (9x14)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT40A256M16GE-062E: BTR	OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	1,6 GHz		Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	Parallèle	-
BR24G128FJ-3GTE2	0,6300	RFQ	2	Semi-conducteur de Rohm	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	BR24G128	Eeprom		1,6 V ~ 5,5 V	8-SOP-J	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	2 500	400 kHz		Non volatile	128kbit		Eeprom	16k x 8	I²c	5 ms
7132LA55CB	198.0120	RFQ	6065	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Acheter la Dernière	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	Par le trou	48-DIP (0,600 ", 15,24 mm)	7132la	Sram - double port, asynchrone		4,5 V ~ 5,5 V	Bradé à 48	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		3A001A2C	8542.32.0041	8			Volatil	16kbit	55 ns	Sram	2k x 8	Parallèle	55ns
EDB1332BDBH-1DIT-FR TR	-	RFQ	6262	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-VFBGA	EDB1332	Sdram - mobile lpddr2		1,14 V ~ 1,95 V	134-VFBGA (10x11,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	533 MHz		Volatil	1 gbit		Drachme	32m x 32	Parallèle	-
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R: B TR	-	RFQ	5703	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F1HT08	Flash - Nand		2,5 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	333 MHz		Non volatile	1,5 tbit		Éclair	192g x 8	Parallèle	-
CY7C1268XV18-600BZXC	-	RFQ	3558	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1268	Sram - synchrone, ddr ii +		1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-Cy7c1268xv18-600bzxc	3A991B2A	8542.32.0041	136	600 MHz		Volatil	36mbitons		Sram	2m x 18	Parallèle	-
M29W640GB70N3E	-	RFQ	6044	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W640	Flash - ni		2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	96			Non volatile	64mbitons	70 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	70ns
34AA02T-I / OT	0,3000	RFQ	7	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	SOT-23-6	34AA02	Eeprom		1,7 V ~ 5,5 V	SOT-23-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	3 000	400 kHz		Non volatile	2kbit	900 ns	Eeprom	256 x 8	I²c	5 ms
CY7C1480V33-200AXC	148.8400	RFQ	45	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	CY7C1480	Sram - synchrone, d.		3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz		Volatil	72mbitons	3 ns	Sram	2m x 36	Parallèle	-	Non Vérifié
CY7C1334H-166AXC	5.8400	RFQ	437	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	CY7C1334	Sram - synchrone, d.		3.15V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2A	8542.32.0041	52	166 MHz		Volatil	2mbitons	3,5 ns	Sram	64k x 32	Parallèle	-	Non Vérifié
UCS-MR-1X162RX-AC	82.5000	RFQ	2866	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif									-	Rohs conforme			4932-UCS-MR-1X162RX-AC	EAR99	8473.30.5100	1
MT29F4G08ABAFAH4-ITE: F	-	RFQ	4948	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F4G08	Flash - Nand		2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 260			Non volatile	4 Gbit		Éclair	512m x 8	Parallèle	-
S99AL008J70TFI020	-	RFQ	4608	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète									-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		OBSOLÈTE		1
CY7C25702KV18-550BZXC	430.7275	RFQ	2884	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C25702	Sram - synchrone, ddr ii +		1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	680	550 MHz		Volatil	72mbitons		Sram	2m x 36	Parallèle	-
IS25CD010-JNLE	-	RFQ	2931	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25CD010	Éclair		2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	100	100 MHz		Non volatile	1mbit		Éclair	128k x 8	Pimenter	5 ms
MT62F1G64D4EK-023 AUT: C	109.1100	RFQ	7148	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif									-				557-MT62F1G64D4EK-023AUT: C			1
AT17LV512-10PI	-	RFQ	2640	Technologie des micropuces	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	AT17LV512		Non Vérifié	3V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V	8 PDI	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		3A991B1B2	8542.32.0051	50		Eeprom en série		512KB
AS8C801801-QC150N	8.4670	RFQ	9137	Alliance Memory, Inc.	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	AS8C801801	Sram - synchrone, d.		3.135V ~ 3 465V	100-TQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	100	150 MHz		Volatil	9mbitons	3,8 ns	Sram	512k x 18	Parallèle	6.7N
MKL25Z128VLK4,557	-	RFQ	7106	NXP USA Inc.	*	Plateau	Actif									-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini				1
Rd38f2010w0ytl0	4.9900	RFQ	4	Intel	*	En gros	Actif									-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B1A	8542.32.0071	2 000
N01L63W3AT25I	1.6400	RFQ	270	AMI Semiconductor Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	N01L63	Sram - asynchrone		2,3V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8542.32.0041	135			Volatil	1mbit	55 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	55ns

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Entrepôt en stock

Mémoire (70838)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²