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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY62157G30-45BVXI | 11.7000 | ![]() | 1199 | 0,00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | CY62157 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatil | 8mbitons | 45 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 45ns | ||||
![]() | NDS38PT5-20ET TR | 2.4786 | ![]() | 9428 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NDS38PT5-20ETTR | 1 000 | ||||||||||||||||||||
MT46H32M16LFBF-5 IT: C TR | 5.6600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H32M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 5 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | IS25LQ025B-JBLE-TR | - | ![]() | 9013 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | IS25LQ025 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 000 | 104 MHz | Non volatile | 256kbit | Éclair | 32k x 8 | Spi - quad e / o | 800 µs | ||||
![]() | T0H92AA-C | 41.0000 | ![]() | 9618 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-T0H92AA-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
IS43DR16128C-3DBLI | 11.9772 | ![]() | 2240 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS43DR16128 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1569 | EAR99 | 8542.32.0036 | 209 | 333 MHz | Volatil | 2 gbit | 450 PS | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
70V26L35J8 | - | ![]() | 4788 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 84 LCC (J-LEAD) | 70V26L | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 84-PLCC (29.31x29.31) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 200 | Volatil | 256kbit | 35 ns | Sram | 16k x 16 | Parallèle | 35ns | |||||
![]() | P1N51AA-C | 25.0000 | ![]() | 1138 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-P1N51AA-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S29JL064J55TFI000 | 7.9800 | ![]() | 4305 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Jl-j | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | S29JL064 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 64mbitons | 55 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 55ns | ||||
![]() | S25FL127SABMFI001 | 2.4200 | ![]() | 165 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | - | En gros | Actif | - | 2156-S25FL127SABMFI001 | 165 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 647873-B21-C | 36.2500 | ![]() | 4729 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-647873-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 70121S45JG | - | ![]() | 7426 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Acheter la Dernière | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 52 LCC (J-LEAD) | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | 800-70121S45JG | 1 | Volatil | 18kbit | 45 ns | Sram | 2k x 9 | Parallèle | 45ns | |||||||||
![]() | FM24C128LN | 0,6000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | FM24C128 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8 plombs | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | Non volatile | 128kbit | 3,5 µs | Eeprom | 16k x 8 | I²c | 6 ms | |||
![]() | CY62157G18-55BVXI | 13.1075 | ![]() | 1410 | 0,00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | CY62157 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatil | 8mbitons | 55 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 55ns | ||||
![]() | 24AA04SC-I / S16K | - | ![]() | 1149 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | 24aa04 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V | Mourir | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 5 000 | 400 kHz | Non volatile | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | I²c | 5 ms | |||
![]() | Mt25tl512baa1esf-0aat | - | ![]() | 9864 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | MT25TL512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||||
![]() | Cat24c32c4ctr | 0 4500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 4-xfbga, wlcsp | CAT24C32 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V | 4-WLCSP (0,77x0,77) | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-CAT24C32C4CTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 675 | 1 MHz | Non volatile | 32kbit | 400 ns | Eeprom | 4k x 8 | I²c | 5 ms | |||
![]() | IS42S16400E-7TL | 1.1100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-IS42S16400E-7TL | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Lvttl | - | |||
![]() | CY7C1318BV18-250BZC | 35.1300 | ![]() | 572 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1318 | Sram - Synchrones, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 250 MHz | Volatil | 18mbitons | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | Non Vérifié | |||||
![]() | IS61NVF102418-7.5B3I | - | ![]() | 6844 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61NVF102418 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | Volatil | 18mbitons | 7,5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | Mt29gz6a6bpiet-53ait.112 | 18.3750 | ![]() | 8592 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 149-VFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 149-VFBGA (8x9,5) | - | 557-mt29gz6a6bpiet-53ait.112 | 1 | Non volatile, volatile | 8 Gbit | 25 ns | Flash, Bélier | 1g x 8 | Onfi | 30ns | |||||||||
![]() | MT29F4T08GMLCEJ4: C | 78.1500 | ![]() | 4679 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4: C | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL512T11DHV023 | 10.1850 | ![]() | 8999 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Gl-t | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | S29GL512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (9x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 200 | Non volatile | 512mbitons | 110 ns | Éclair | 64m x 8 | Parallèle | 60ns | ||||
![]() | CY62128BLL-70ZAXE | 2.1400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand) | CY62128 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-tsop | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 1mbit | 70 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 70ns | ||||
![]() | 70V06S12J | - | ![]() | 1341 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Acheter la Dernière | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 68 LCC (J-LEAD) | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 68-PLCC (24.21x24.21) | - | 800-70V06S12J | 1 | Volatil | 128kbit | 12 ns | Sram | 16k x 8 | Parallèle | 12ns | |||||||||
![]() | C-2400D4DR8EN / 8G | 105.0000 | ![]() | 2176 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-C-2400D4DR8EN / 8G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W972gg6kb-18 | 10.0484 | ![]() | 5609 | 0,00000000 | Electronique Winbond | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | W972gg6 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-WBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 144 | 533 MHz | Volatil | 2 gbit | 350 PS | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | S25FL256SDSMFIG10 | 4.5850 | ![]() | 8525 | 0,00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 16 ans | télécharger | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 80 MHz | Non volatile | 256mbitons | 6.5 ns | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o | 750 µs | |||||||
![]() | STK15C88-NF45I | - | ![]() | 2812 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | STK15C88 | Nvsram (SRAM non volatile) | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-Sic | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 54 | Non volatile | 256kbit | 45 ns | Nvsram | 32k x 8 | Parallèle | 45ns | ||||
![]() | CY7C1418JV18-300BZXC | 58.4000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1418 | Sram - Synchrones, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | Volatil | 36mbitons | Sram | 2m x 18 | Parallèle | - | Non Vérifié |
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