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Mémoire (70500)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
Cat24aa01wi-g	0 1700	RFQ	6414	onsemi	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Cat24AA01	Eeprom	1,7 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.32.0051	1	1 MHz	Non volatile	1kbit	400 ns	Eeprom	128 x 8	I²c	5 ms
Cy7c1011cv33-10zxi	4.3400	RFQ	7079	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	Cy7c1011	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	32-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	2mbitons	10 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	10ns
SST26VF040A-80E / MF	1.5600	RFQ	588	Technologie des micropuces	SST26 SQI®	Tube	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	Sst26vf040	Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	8-WDFN (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	150-sst26vf040a-80e / mf	3A991B1A	8542.32.0071	98	80 MHz	Non volatile	4mbbitons		Éclair	512k x 8	Spi - quad e / o	1,5 ms
Cy14b104l-ba25xc	23.9500	RFQ	203	Cypress Semiconductor Corp	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	CY14B104	Nvsram (SRAM non volatile)	2,7 V ~ 3,6 V	48-fbga (6x10)	-	Non applicable				3A991B2B	8542.32.0041	13		Non volatile	4mbbitons	25 ns	Nvsram	512k x 8	Parallèle	25ns	Non Vérifié
MT53E512M32D2NP-046 WT: E TR	-	RFQ	6816	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53E512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-					OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	2.133 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	-	-
S99GL128S90TFI010	3.6700	RFQ	141	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Obsolète								-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		2832-S99GL128S90TFI010	EAR99	8542.39.0000	1
IS61LV25616AL-10TLI	4.7200	RFQ	1	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61LV25616	Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	135		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	10ns
CY7C1312SV18-167BZC	39.9400	RFQ	792	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1312	Sram - Synchrone, Qdr II	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	-	Non applicable				3A991B2A		8	167 MHz	Volatil	18mbitons		Sram	1m x 18	Parallèle	-	Non Vérifié
Fm25v02-g	4.5600	RFQ	5	Cypress Semiconductor Corp	F-RAM ™	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FM25V02	Fram (Ferroelectric RAM)	2V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme			2832-FM25V02-G	EAR99	8542.32.0071	110	40 MHz	Non volatile	256kbit		Fracture	32k x 8	Pimenter	-
P770020CF5C000	-	RFQ	8985	Infineon Technologies	-	En gros	Acheter la Dernière								-							1
Cy7c1512v18-167bzxi	134.0500	RFQ	267	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1512	Sram - Synchrone, Qdr II	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2A	8542.32.0041	105	167 MHz	Volatil	72mbitons		Sram	4m x 18	Parallèle	-	Non Vérifié
Cy14b101k-sp25xc	-	RFQ	4326	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-BSSOP (0,295 ", 7,50 mm de grand)	Cy14b101	Nvsram (SRAM non volatile)	2,7 V ~ 3,6 V	48-SSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	1		Non volatile	1mbit	25 ns	Nvsram	128k x 8	Parallèle	25ns
S29PL032J70BFID20E	-	RFQ	2595	Infineon Technologies	*	Plateau	Obsolète								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	338
Cy7c1021v33-15bai	5.1400	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	Cy7c1021	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	48-fbga (7x7)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre Affeté		3A991B2B	8542.32.0041	1		Volatil	1mbit	15 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	15NS
MT29F16T08GSLCEG4-QB: C	312.5850	RFQ	3687	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F16T08GSLCEG4-QB: C			1
SST39VF800A-70-4I-B3KE	1.9700	RFQ	3	Technologie des micropuces	SST39 MPF ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	Sst39vf800	Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	Sst39vf800a704ib3ke	EAR99	8542.32.0071	480		Non volatile	8mbitons	70 ns	Éclair	512k x 16	Parallèle	20 µs
BR24G08F-3GTE2	0 2400	RFQ	92	Semi-conducteur de Rohm	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	BR24G08	Eeprom	1,6 V ~ 5,5 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	2 500	400 kHz	Non volatile	8kbit		Eeprom	1k x 8	I²c	5 ms
NDS76PBA-16AT TR	2.6055	RFQ	8897	INSignnis Technology Corporation	*	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-NDS76PBA-16ATTR			2 500
CY7C1462KV25-250BZXC	-	RFQ	5418	Infineon Technologies	Nobl ™	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1462	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-fbga (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	2832-CY7C1462KV25-250BZXC	3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	Volatil	36mbitons	2,5 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
CY62167ELL-45ZXIT	14.4375	RFQ	1500	Infineon Technologies	MOBL®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	CY62167	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	16mbitons	45 ns	Sram	2m x 8, 1m x 16	Parallèle	45ns
IS66WVQ8M4DALL-200BLI	3.8900	RFQ	340	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	IS66WVQ8M4	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS66WVQ8M4DALL-200BLI	3A991B2A	8542.32.0041	480	200 MHz	Volatil	32mbitons		Psram	8m x 4	Spi - quad e / o	45ns
CY7C1371KVE33-100AXI	28.9000	RFQ	57	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	CY7C1371	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20)	télécharger	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-CY7C1371KVE33-100AXI			11	100 MHz	Volatil	18mbitons	8,5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-	Non Vérifié
M29W640GL70ZS6E	-	RFQ	4792	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	M29W640	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	160		Non volatile	64mbitons	70 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	70ns
71V25761S166PFG	7.5947	RFQ	7656	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	71V25761	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100-TQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	166 MHz	Volatil	4,5 Mbit	3,5 ns	Sram	128k x 36	Parallèle	-
70V658S10BCG	188.0754	RFQ	7358	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	256 LBGA	70V658	Sram - double port, asynchrone	3,15 V ~ 3 45 V	256-Cabga (17x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	6		Volatil	2mbitons	10 ns	Sram	64k x 36	Parallèle	10ns
JS28F640J3F75D TR	-	RFQ	2039	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JS28F640J3	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 600		Non volatile	64mbitons	75 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	75ns
IS45S16400J-6BLA1	4.2265	RFQ	7164	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS45S16400	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	348	166 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	-
CY7C1361S-133AXC	9.5600	RFQ	279	Cypress Semiconductor Corp	-	Sac	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	CY7C1361	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x14)	-	Non applicable				3A991B2A		32	133 MHz	Volatil	9mbitons	6.5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-	Non Vérifié
W25n01gwzeig tr	2.8012	RFQ	7608	Electronique Winbond	SPIFLASH®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	W25N01	Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	8-WSON (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W25N01Gwzeigtr	3A991B1A	8542.32.0071	4 000	104 MHz	Non volatile	1 gbit	8 ns	Éclair	128m x 8	Spi - quad e / o	700 µs
GS88036CGT-300I	25.2292	RFQ	6852	GSI Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	GS88036	Sram - synchrone, standard	2,3V ~ 2,7 V, 3V ~ 3,6 V	100-TQFP (20x14)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	2364-GS88036CGT-300I	3A991B2B	8542.32.0041	36	300 MHz	Volatil	9mbitons		Sram	256k x 36	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Mémoire (70500)

2000+

30 000 000

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15 000 m2

15 000 m²